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半导体中的静电效应和拓扑超导率⠍超导体⠍磁性隔热器混合导线
Majorana零模式（MZM）的成功实现 - 不代表大约的凝结物类似物[2，3]，为拓扑量子构成[4-7]的有前途的平台[4-7]，依赖于拓扑阶段的强大超级超级超级阶段[4-7]，这些阶段是他们[8-8]的固有阶段[8]。在没有天然发生的一维拓扑超导体的情况下，该研究集中在杂化结构[15-17]上，尤其是半导体（SM）电线，在存在磁性纤维相似的情况下，与S-波超导体（SCS）接近耦合，并耦合。即使在存在一些弱 /中度系统不均匀性的情况下，即使在存在某些弱 /中度系统的情况下，也可以确保出现拓扑超导阶段的出现。然而，除了抑制母体超导体的间隙外，轨道效应起着重要作用[25]，并且严重限制了可靠的拓扑超导性的实现，应用的磁性磁场对基于Majorana基于Majorana topolication Quological Qubits的可能的设备布局构成了严重的限制[26]。可能的解决方案是通过将半导体耦合到磁性内硫酸[16，27]来创建所需的Zeeman场。最近，使用INAS纳米线进行了实验性探索，具有超导Al和铁磁EUS的外延层[28-30]。关键的发现是1 t命令的有效Zeeman Field SC EFF（〜0。这些特征在没有重叠的Al和EUS覆盖的小面的杂化结构中不存在[28]。05 MeV）在没有施加的磁场的情况下出现在超导体中，但仅在具有超导体和铁磁绝缘子的壳壳中壳壳[28]。与超导体中有效的Zeeman场的出现相关的是，观察到零偏置电导峰，用于电荷隧穿到半导体线的末端，这与拓扑超导的存在一致。
复杂结构 Cu 26 V 2 Sn 6 Se 32 中的超低晶格热导率
CVS-Se 32 和 CVS-Se 30 S 2 的 (κ l )。(c) Cu 基复合晶体中 κ l 随晶胞体积 (V c ) 的变化
在室温下揭示锗锡半导体的热导率
材料的低导热率是其潜在应用在高性能热电设备中的关键基本参数。在室温下实验可获得今元（GE 1 -x sn x）半导体薄膜的纯度低电导率。在宽松的GE 1 -x Sn X二进制合金中，导热率随着SN浓度的增加而降低，这主要是通过合金通过合金增加原子之间的原子间距离来解释。在宽松的GE 1 -x sn X中，从58 w m -1 k -1中明显降低了20次，从58 w m -1 k -1降低到≈2.5w m -1 k -1，观察到sn含量最高为9％。该热导率仅比最先进的热电材料（胞晶硒酸硒酸盐）高2倍。ge 1-x sn x是一种无毒的组IV型半导体材料，它是使用半导体行业标准表育观生长技术的标准硅晶片上的外延生长的。因此，它可以导致期待已久的高性能低成本热电产生器，用于在人类日常生活中的室温应用，并将为CO 2发射和绿色的电力发电中的全球效果做出重大贡献。
使用孔石墨烯改善了固体电解质电导率测量中的界面接触
硫化物电解质通常具有高离子电导率（> 1 ms/cm）LI6 PS 5 Cl（LPSCL; LPSC）是研究最多的硫化物电解质，并且大量可用（〜$ 10/g）
低温溅射沉积亚微米氮化铝薄膜的高热导率
摘要：氮化铝 (AlN) 是少数具有优异导热性的电绝缘材料之一，但高质量薄膜通常需要极高的沉积温度 (>1000°C)。对于密集或高功率集成电路中的热管理应用，重要的是在低温 (<500°C) 下沉积散热器，而不会影响底层电子设备。在这里，我们展示了通过低温 (<100°C) 溅射获得的 100 nm 至 1.7 μ m 厚的 AlN 薄膜，将其热性能与其晶粒尺寸和界面质量相关联，我们通过 X 射线衍射、透射 X 射线显微镜以及拉曼和俄歇光谱对其进行了分析。通过反应性 N 2 的分压控制沉积条件，我们实现了 ∼ 600 nm 薄膜热导率 ( ∼ 36 − 104 W m − 1 K − 1 ) 的 ∼ 3 × 变化，上限范围代表室温下此类薄膜厚度的最高值之一，尤其是在低于 100°C 的沉积温度下。还可以从热导率测量中估算出缺陷密度，从而深入了解 AlN 的热工程，可针对特定应用的散热或热限制进行优化。关键词：热导率、氮化铝、生产线后端、热传输、溅射沉积、低温、电力电子
![b'composites，[14 \ xe2 \ x80 \ x9316]聚合物粘合剂，[17 \ xe2 \ x80 \ x9319]和添加剂[19,20]，以改善Li-Cells中的Si-Electrode性能。在硅阳极中涉及金属碳化物是尚未探讨增加容量和周期寿命的另一种策略。首先，据报道，具有特定微观结构的复合硅/Wolfram Carbide@Graphene可维持高初始库仑效率和较长的循环寿命，从而减轻了结构变化。 [21]相比之下，还报道了良好的电 - 化学性能，以Si Cr 3 C 2 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @Si Cr 3 C 2 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @Si Mo 2 C @Si Mo 2 C的形式形式的金属碳化物（Mo 2 C，Cr 2 c 3等）进行了鲜明的表现。 [22]此外，碳化物通常还可以提供出色的导电骨架，以提高Si的电子电导率，这要归功于存在降低电子传递电阻的纳米传导通道。 [23,24]'](/simg/9/9536fe4cbba8b087ce049a15cc98c3ec59c25caa.webp)
b'composites，[14 \ xe2 \ x80 \ x9316]聚合物粘合剂，[17 \ xe2 \ x80 \ x9319]和添加剂[19,20]，以改善Li-Cells中的Si-Electrode性能。在硅阳极中涉及金属碳化物是尚未探讨增加容量和周期寿命的另一种策略。首先，据报道，具有特定微观结构的复合硅/Wolfram Carbide@Graphene可维持高初始库仑效率和较长的循环寿命，从而减轻了结构变化。 [21]相比之下，还报道了良好的电 - 化学性能，以Si Cr 3 C 2 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @Si Cr 3 C 2 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @Si Mo 2 C @Si Mo 2 C的形式形式的金属碳化物（Mo 2 C，Cr 2 c 3等）进行了鲜明的表现。 [22]此外，碳化物通常还可以提供出色的导电骨架，以提高Si的电子电导率，这要归功于存在降低电子传递电阻的纳米传导通道。 [23,24]'
b'composites，[14 \ xe2 \ x80 \ x9316]聚合物粘合剂，[17 \ xe2 \ x80 \ x9319]和添加剂[19,20]，以改善Li-Cells中的Si-Electrode性能。涉及硅阳极中的金属碳化物是尚未探讨增加容量和循环寿命的另一种策略。首先，据报道，具有特定微观结构的复合硅/wolfram碳化物@石墨烯可维持较高的初始库仑效率和长期循环寿命，从而减轻了结构变化。[21]相反，金属碳化物（mo 2 C，Cr 2 C 3等）以Si Cr 3 C 2的形式 @几层石墨烯和Si Mo 2 C @几层石墨烯电极的据报道，具有良好的电化学性能。[22]此外，碳化物通常还可以提供出色的导电骨架，以提高Si的电子电导率，这要归功于纳米导电通道的存在，从而降低了电子转移电阻。[23,24]'
锂硼硅酸盐玻璃的离子电导率
• LiBH 4 和 Al 2 O 3 • LiI 和 Al 2 O 3 • AgI 和 Al 2 O 3 • AgBr 和 Al 2 O 3 • CuBr 和 Al 2 O 3 • CuBr 和 TiO 2 • Li 7 La 3 Zr 2 O 12 和锂硼硅酸盐玻璃
阶 - disorder相变和离子电导率，LI2B12H12固体电解质
摘要：使用基于范德华校正的密度功能理论（Rev-VDW-DF2函数），使用使用机器学习的原子质势模拟了温度诱导的相变和离子电导率。阶 - 疾病相变的模拟温度，晶格参数，扩散，离子电导率和激活能与实验数据非常吻合。我们对Li 2 B 12 H 12的模拟发现了[B 12 H 12] 2-阴离子的重新定位运动的重要性。在有序的α-相（t <625 K）中，这些阴离子具有明确的方向，而在无序的β-相（t> 625 K）中，它们的方向是随机的。在空缺系统中，观察到其完整的旋转，而在理想的晶体中，阴离子显示有限的vabrational运动，表明没有动态无序的相位过渡的静态性质。使用机器学习间的原子势使我们能够以长（纳秒尺度）分子动力学研究大型系统（> 2000个原子），从头开始质量。关键字：密度功能理论，机器学习间原子潜能，固体电解质，相变，离子电导率
通过STHM技术对热导率的定量测量：测量，校准方案和不确定性评估
摘要：热管理是电子组件缩减尺寸以优化其性能的关键问题。这些设备结合了越来越多的纳米结构材料，例如薄膜或纳米线，需要适合表征纳米级热性能的测量技术，例如扫描热显微镜（STHM）。在活动模式下，热热探针扫描样品表面，其电阻R随着探针和样品之间的热传递的变化而变化。本文提出了使用STHM技术对热导率进行定量和可追溯测量而开发的测量和校准方案，前提是校准和测量之间的热传递条件是相同的，即本研究的扩散热方案。在宏观上测得的K的校准样品用于建立将R与K的变化连接的校准曲线。对校准参数和估计的k值详细介绍了对不确定性（影响因素和计算技术）的完整评估。结果分析表明，使用STHM的热导率的定量测量（不确定性值为10％）仅限于导热率较低的材料（K <10 W m -1 K -1）。