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World File Search System导电
通过空间原子层沉积对透明导电聚合物的高性能封装
AmélieSchultheiss，Abderrahime Sekkat，Viet Huong Nguyen，Alexandre Carella，Anass Benayad等。通过空间原子层沉积，高性能封装透明导电聚合物。合成金属，2022，284，pp.116995。10.1016/j.synthmet.2021.116995。hal-03636177
利用扫描焦耳膨胀显微镜对交叉电阻存储器中的导电丝进行定位
摘要 — 为了确保这种新兴器件的可靠性，控制导电桥式随机存取存储器 (CBRAM) 中的细丝生长至关重要。在这里，我们证明了扫描焦耳膨胀显微镜 (SJEM) 可用于检测和精确定位工作中的交叉 CBRAM 器件中的导电细丝。基于 Pd/Al 2 O 3 /Ag 堆栈的柔性存储器件首先在低温下在聚酰亚胺基板上精心制作。这些器件在低压 (<2V) 下显示置位和复位操作，开/关比高于 10 4 。在低电阻状态下操作时，SJEM 振幅图像显示出单个导电细丝存在下的热点。在 50kHz 下提取的有效热扩散长度为 4.3µm，并且还证明了热膨胀信号与耗散的焦耳功率成正比。我们相信，所提出的程序为可靠性研究开辟了道路，可将其应用于任何基于细丝传导的存储器件系列。索引词——CBRAM、柔性电子、SJEM、长丝定位。
二维量子材料和超导电子学博士研究员。
项目名称：二维量子材料和超导电子学。描述：研究重点是 Nb 基二维材料，特别是二硫化铌 (NbS₂) 和二硒化铌 (NbSe₂)，以及它们在超导场效应晶体管 (FET) 中的应用。这些材料因其独特的特性而处于材料科学的前沿，包括单层超导性[1]。超导性的特点是零电阻和排除磁场，是现代材料科学的基本原理。虽然已经提出了许多利用超导性的设备并付诸实施，但在创造可扩展的高质量材料和设备方面仍然存在挑战[2-4]。传统的制造方法，如溅射，通常会导致材料质量不理想，特别是对于需要精确控制厚度和纯度的应用[5]。该项目旨在通过利用二维过渡金属二硫属化物 (TMDC) 的卓越特性来解决这些限制，这些特性可以精确控制材料厚度和晶体纯度。在本研究中，候选人将专注于合成基于 Nb 的 2D 材料并将其集成到器件架构中以创建超导 FET。这些器件将利用电场来调节超导性，实现新功能并为超导电子学的潜在突破铺平道路。这项工作将涉及在洁净室环境中进行先进的材料合成、广泛的特性描述和器件制造，以及传输测量以研究器件在不同条件下的行为。该项目提供了为材料科学的变革领域做出贡献的机会，并有可能产生重大的技术影响。成功的候选人将加入一个充满活力的跨学科研究团队，该团队配备了最先进的设施，并受益于该领域领先研究人员的指导和合作。外部参考：[1] Xi 等人，《自然物理》，12(2):139–143 (2016) [2] Puglia 等人，《应用物理快报》，116(25) (2020)。 [3] De Simoni 等人，Nature Nanotechnology, 13(9):802–805 (2018) [4] Paolucci 等人，Nano letters, 19(9):6263–6269 (2019) [5] Durrell 等人，Reports on Progress in Physics, 74(12):124511 (2011). 主要指导老师：Camilla Coletti ( 2D 材料工程 ) 其他指导老师：Antonio Rossi ( 2D 材料工程 ) 关键专业知识：
分子级诱导电荷转移在C60 ...
摘要：我们在拓扑绝缘子（TI）BI 4 TE 3上合成和光谱研究了单层C 60。此C 60 /BI 4 TE 3异质结构的特征是在BI 4 TE 3的A（9×9）细胞（9×9）细胞上的小说（4×4）C 60上层结构中出色的翻译顺序。C 60 /BI 4 TE 3的角度分辨光发射光谱（ARPE）表明，ML C 60在室温下接受Ti的电子，但在低温下没有电荷转移。通过拉曼光谱，光致发光（PL）和C 60 /BI 4 TE 3的计算进一步研究了这种依赖温度的掺杂。在低温下，拉曼光谱和PL显示C 60相关信号的强度急剧增加，这表明过渡到旋转有序状态。计算解释了C 60吸附到BI 4 TE 3表面缺陷的电荷转移。电荷转移的温度依赖性归因于C 60的方向顺序。由于旋转运动的冻结，C 60的电子亲和力在低温下增加。关键字：拓扑绝缘子，富勒烯，角度分辨光发射，拉曼，光致发光
亚微米玻璃碳作为ESD和EMI应用的基于HDPE的导电聚合物复合材料
玻璃碳（GC）是一种独特的碳，具有广泛的有用特性，包括高热稳定性，低热膨胀和出色的电导率。这使其成为热塑性复合材料中加强的有前途的候选人。在这项工作中，使用微米GC粉（µGC）和亚皮平GC粉末（SµGC）制造高密度聚乙烯（HDPE）基础复合材料。通过两种不同的方法将GC钢筋引入聚合物基质中，以形成随机和隔离的增强分布。检查了GC体积含量（φ）和复合结构对电导率的影响。证明，虽然玻璃碳可以比石墨更有效地增强HDPE的电导率，但它与碳Na- Notubes的出色性能相匹配，碳Na- Notubes的性能弥补了它们之间的间隙。研究表明，GC的添加增加了HDPE的电导率，并且在φ≈4％时可以实现渗透阈值（φC）。GC的隔离分布导致渗透阈值的值（φC≈1％）低于随机分布。
基于导电 MXene 的微型 3D 打印......
附属机构：¹爱尔兰皇家外科医学院 (RCSI) 解剖与再生医学系组织工程研究组，123 St. Stephen's Green，都柏林 2，D02YN77，爱尔兰²先进材料与生物工程研究 (AMBER) 中心，RCSI 123 St Stephen's Green，都柏林 2，D02YN77，爱尔兰。 3 都柏林圣三一学院化学学院、自适应纳米结构和纳米器件研究中心（CRANN）和先进材料生物工程研究中心（AMBER），都柏林 2，爱尔兰 4 都柏林大学物理学院，都柏林圣三一学院（TCD），爱尔兰 5 都柏林圣三一学院（TCD）三一生物医学工程中心，爱尔兰*通讯作者：电子邮件：fjobrien@rcsi.ie 摘要：目前尚无针对中枢神经系统神经创伤的有效治疗方法，但电刺激方面的最新进展表明其在神经组织修复方面有一定前景。我们假设，将导电生物材料结构化整合到组织工程支架中可以增强神经再生的电活性信号传导。导电 2D Ti 3 C 2 T x MXene 纳米片由 MAX 相粉末合成，表现出与神经元、星形胶质细胞和小胶质细胞的优异的生物相容性。为了实现这些 MXenes 的空间控制分布，采用熔融电写技术 3D 打印出具有不同纤维间距（低、中、高密度）的高度有序的 PCL 微网，并用 MXenes 对其进行功能化，以提供高度可调的导电性能（0.081±0.053-18.87±2.94 S/m）。将这些导电微网嵌入神经营养、免疫调节透明质酸基细胞外基质 (ECM) 中，可产生柔软、支持生长的 MXene-ECM 复合支架。在这些支架上接种的神经元受到电刺激，促进神经突生长，受微网中纤维间距的影响。在多细胞细胞行为模型中，与低密度支架和不含 MXene 的对照相比，在高密度 MXene-ECM 支架上刺激 7 天的神经球表现出显著增加的轴突延伸和神经元分化。结果表明，神经营养支架中导电材料的空间组织可以增强对电刺激的修复关键反应，并且这些仿生 MXene-ECM 支架为神经创伤修复提供了一种有前途的新方法。关键词：组织工程、3D 打印、导电、生物材料、MXene、支架、神经。
超薄非晶 NbP 半金属中的表面导电和降低的电阻率
众所周知，由于电子表面散射，传统金属（如铜）的电阻率在薄膜中会增加，从而限制了金属在纳米级电子器件中的性能。在这里，我们发现在相对较低的 400°C 温度下沉积的磷化铌 (NbP) 半金属中，随着薄膜厚度的降低，电阻率会异常降低。在厚度小于 5 纳米的薄膜中，室温电阻率（1.5 纳米厚的 NbP 约为 34 微欧姆厘米）比我们的块体 NbP 薄膜的电阻率低六倍，并且低于类似厚度的传统金属（通常约为 100 微欧姆厘米）。NbP 薄膜不是晶体，而是在非晶态基质内表现出局部纳米晶体、短程有序。我们的分析表明，较低的有效电阻率是由通过表面通道的传导以及薄膜厚度减小时的高表面载流子密度和足够好的迁移率引起的。这些结果和在此获得的基本见解可以实现超越传统金属限制的超薄、低电阻率纳米电子线。
超导电流的门控制
1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。 3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。 3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >1 Department of Physics, University of Kontanz, Universit € AtsTraße 10, 78464 Konstanz, Germany 2 Nest, Nanoscienze-Cnr Institute Normal School, Piazza San Silvestro 12, 56127 Pisa, Italy 3 MTA-BME SuperConducting Nanoelectronics Momentum Research Group, M € M € M € M € Ugyetem RKP。3.，1111布达佩斯，匈牙利4物理系，布达佩斯大学技术与经济学，M€uegyetem RKP。3.，1111 Budapest，匈牙利5物理学系，科学系，许多大学，Al-Geish St.，31527 Tanta，Gharbia，Gharbia，Gharbia，埃及6 Microtechnology and Nanoscience系，Chalmers Technology，41296 g 41296 g欧特伯格，Sweden 7 Cnr cnr cnr cnr cnr cn. Paolo II 132，84084 Fisciano，意大利萨勒诺市8物理学系“ E. R. Caianiello”，萨勒诺研究的大学，通过Giovanni Paolo II 132，84084 Fisciano，salerno，意大利，意大利> > >