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Sorachi Shinkin银行注册了北海道区域金融局总监（第21号注册）Obihiro Shinkin Bank注册了北海道区域金融局的金融机构总监（注册第15号） Tohoku地区财务局的ERAL（第31号）福岛新金银行注册了金融机构的董事第234号）Kitagunma Shinkin银行注册了Kanto地区财务局总监（233号注册）Shinonome Shinkin Bank注册金融机构Kanto地区财务局局长（232）银行注册金融机构Kanto地区金融局（224号注册）萨诺·辛金银行（Sano Shinkin Bank Awasaki Shinkin银行注册了Kanto地区金融局的金融机构总监（第190号注册）○Sagami Shinkin Bank注册了Kanto地区金融局金融机构总监（注册号191）（191号） Kanto地区金融局（第162号登记）○Johoku Shinkin Bank注册金融机构Kanto地区金融局总监（第147号注册）○OME Shinkin Bank注册金融机构董事Director-General of the Kanto Regional Finance Bureau (Notification No. 256) ○ Ueda Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Kanto Regional Finance Bureau (Notification No. 254) Suwa Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Kanto Regional Finance Bureau (Notification No. 255) Fukui Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Hokuriku Regional Finance Bureau (Notification No. 32) Shizuoka Yaizu Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 38) Enshu Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 28) Gifu Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 35) ○ Ogaki Seino Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 29) Seki Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 45) Ichii Shinkin Bank Registered financial institution Director-General of the Tokai Regional Finance Bureau (Notification No. 25) Seto Shinkin Bank Registered financial institution东海财务局（注册编号 46） ○ 知多信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 48） 丰川信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 54） 西尾信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 58） ○ 蒲郡信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 32） 东春信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 52） 北濑上野信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 34） 桑名三重信用金库 注册金融机构 东海财务局（注册编号 37） 长滨信用金库 注册金融机构 近畿财务局（注册编号 69） 江东信用金库 注册金融机构 近畿财务局（注册编号 57）
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1. 参加者应具备的资格 (1) 参加者不得有《预算会计审计法》第70条规定的情况。此外，未成年人、被监护人或接受协助的人，即使已经取得订立合同所必需的同意，也属于同一条款内有特殊事由的情况。 （2）不属于《预算会计审计法》第七十一条规定情形的。 （3）2022、2023、2024年度防卫省竞争性投标资格（各省厅统一资格）“服务提供等”类别中被评为D级以上，且具备参加关东、甲信越地区竞争性投标资格的，或者，如果其不具备参加竞争性投标的资格，但在竞争之日前已经接受竞争性投标资格审查，已在竞争性投标资格名单中登记，并被认定为具备参加竞争性投标资格的。 （4）目前没有受到防卫省长官房督导局长、防卫政策局局长、装备技术后勤局长（以下称为“防卫省暂停权限”）或海上自卫队参谋长根据“装备等及服务采购暂停提名等指南”采取的暂停提名措施。 (5) 与前项规定暂停指定对象者有资本或人事关系，且无意与国防部签订与其同类物品买卖、制造或承包服务契约者。 （6）目前处于暂停提名状态的人员原则上不允许进行分包。但有关部会暂停提名权机关认定确有不可避免的情况时，不在此限。
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使用原子层沉积制造的氧化二晶型晶体管
在过去的几十年中，互补的金属 - 氧化物 - 氧化 - 氧化核（CMOS）技术一直是现代综合电路发展的推动力。增强栅极静电控制以提高对短通道效应（SCE）的免疫力（尤其是在积极缩放晶体管技术的发展中）的关键策略。这包括开发高等效氧化物厚度（EOT）缩放的高κ /金属门技术，以及超薄体，鳍和堆叠的纳米片通道晶体管；在3 nm技术节点1之外，半导体工业（遵循FIN场效应晶体管技术）目前正在采用堆叠的纳米表晶体管。要进一步扩展长度尺寸并保持良好的驱动电流，至关重要的是抑制SCE。可以使用增加数量的薄堆积通道来实现这一目标。然而，常规半导体晶体管的性能迅速降低到硅的3 nm厚度低于3 nm的厚度，而INGAAS的性能降低了10 nm。二维（2D）半导体是一种替代通道材料，与传统的半导管相比，单层厚度和单层厚度较高，在单层厚度上具有更高的迁移率。但是，2D材料缺乏高品质的大区域CMOS兼容生长技术。也很难在其范德华表面形成介电。此外，这些材料很难浓缩，并且在Schottky金属/半导体触点处引起的高接触分析。特别是原子层氧化物半导体，尤其是无定形im-gallium-Zinc氧化物（Igzo） - 用于平面晶体管（TFTS）中的半导体通道材料（用于平面式式施用应用程序12）。但是，尽管是高批量制造的成熟技术，但氧化物半导体很少被视为用于缩放高性能晶体管的Channel材料。这是由于它们的低电荷载流子迁移率约为10 cm 2 v -1 s –1，并且在质量生产中使用时，它们通常需要多达几十纳米的通道厚度13。然而，对于单一三维（3D）整合应用14-21的CMOS后端（BEOL）中氧化物半导体晶体管的使用引起了兴趣。