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采用磁控溅射层间电介质直接形成 n+ 工艺，用于自对准共面氧化铟镓锌薄膜晶体管
具有交错结构（例如蚀刻停止 (ES) 和背沟道蚀刻 (BCE) 结构）的铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 已被证明可用作平板显示器中的电路器件 [1,2]。然而，由于栅极和源/漏极 (S/D) 电极之间的重叠，这些交错结构器件不可避免地具有较大的寄生电容，从而导致 TFT 器件的工作速度较低。自对准 (SA) 共面结构是克服该寄生电容问题的一种有前途的解决方案 [3]。形成导电的 n + -IGZO 以获得有源 S/D 区和 S/D 电极之间的欧姆接触是 SA 共面器件的重要工艺。已经提出了许多用于该工艺的方法，并且制备的 IGZO 器件具有良好的性能。通常使用等离子体处理（Ar、H2 等）[4,5] 和深紫外（DUV）照射 [6] 。然而，这些解决方案需要一个额外的步骤，如图 1a 所示，这会导致额外的工艺成本。在 SiO2 栅极绝缘体（GI）过蚀刻期间形成 n + -IGZO 是一种简单的方法 [7,8]。然而，当 GI 蚀刻等离子体可以蚀刻 IGZO 薄膜时，这种方法并不适用。最近，已经证明通过简单地涂覆有机层间电介质（ILD）可以形成 n + -IGZO 区域，并且获得了 24 Ω·cm 的沟道宽度归一化 S/D 串联电阻（R SD W）[9]。本报告展示了在 ILD 沉积过程中形成 n + -IGZO 区域的可能性。基于这个想法，其他制造低 R SD W SA 共面 IGZO TFT 的新方法值得研究。在这项工作中，我们使用磁控溅射工艺沉积 SiO x ILD 并同时为 SA 共面 IGZO TFT 形成 n + -IGZO 区域。这样，ILD 沉积和 n + 形成可以合并为一个步骤，如图 1b 所示。制造的器件具有相当低的 R SD W 。降低 IGZO 薄膜的机制
通过层间超声喷丸降低增材制造镁合金的腐蚀
1. 内布拉斯加大学林肯分校机械与材料工程系，内布拉斯加州林肯市，美国 2. 普渡大学机械工程学院，印第安纳州西拉斐特，美国 通讯作者 – MP Sealy，电子邮件 sealy@unl.edu 摘要 增材制造 (AM) 镁合金由于拉伸应力和粗大微观结构而迅速腐蚀。提出了将增材制造与层间超声波喷丸循环结合（混合）作为一种解决方案，通过强化机制和压缩残余应力来提高增材制造的镁 WE43 合金的耐腐蚀性。应用层间喷丸加工硬化离散层并形成区域晶粒细化和亚表面压缩残余应力屏障的全球完整性。通常会加速腐蚀的拉伸残余应力降低了 90%。结果表明，通过层间喷丸可以实现对腐蚀的时间分辨控制，并且与打印的 WE43 相比，打印单元内的局部腐蚀减少了 57%。关键词：增材制造、混合制造、镁 1. 引言 随着镁增材制造技术发展到更高的水平 [1]，医疗器械和石油压裂行业寻求对负载-压力进行时间分辨的降解。
在II类型中主导层间谐振能量转移...
图1。（a）单层（1L）Mose 2和Res 2晶体结构。顶部面板显示侧视图，底部面板显示了晶体结构的顶视图。侧视图显示了这些分层材料中偶极子的面内方向的示意图。（b）样品1（S1）的Res 2 -Mose 2异质结构的光学图像。插图是样本侧视图的示意图。（c）来自Mose 2，Res 2和HS区域的拉曼光谱。HS拉曼光谱由单个1L区域的不同振动模式组成。（d）在透明蓝宝石基板上制成的类似异质结构的三个不同区域的吸收光谱数据（样品2，S2）。Mose 2 A和B兴奋峰清晰可见，RES 2用箭头标记较低的能量吸收峰。HS光谱由两个1L区域的峰组成。
由于电隔离的 GaAs 量子阱双层中的激子凝聚而导致的强层间电荷转移
我们介绍了一种电隔离的“浮动”双层 GaAs 量子阱 (QW) 设计，其中施加可控且高度可重复的大栅极电压会诱导电荷，这些电荷在移除栅极电压后仍被捕获在双层中。在较小的栅极电压下，双层通过厚绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的 2D 电子系统的总密度和差分密度。浮动双层设计提供了一种独特的方法来研究无法通过简单的传输测量进行研究的系统。它还提供了测量层间电荷转移的能力，即使 2D 系统的平面电阻率不同。我们测量了 QW 双层的电容和层间隧穿光谱，并独立控制顶层和底层电子密度。我们的测量显示，在 v T ¼ 1 时，层间隧穿电流大大增强，这是强层间关联双层系统激子凝聚的标志。由于各个层的密度完全可调，浮动双层 QW 系统提供了一个多功能平台来获取有关电子双层系统中量子相的先前无法获得的信息。
评估电纺纳米织物作为纤维增强聚合物的潜在层间增强材料的性能
摘要 多尺度增强聚合物由于包含三种不同的尺度而具有增强的功能：微纤维、纳米纤维和纳米颗粒。这项工作旨在研究通过静电纺丝制备的不同聚合物基纳米织物作为多层纤维增强聚合物复合材料的增强夹层的适用性。研究了三种不同的聚合物：聚酰胺 6、聚丙烯腈和聚偏氟乙烯，包括纯的和掺杂有多壁碳纳米管 (MWCNT) 的。还研究了纳米管浓度对所得纳米织物性能的影响。制备了九种不同的纳米织物系统。研究了最终用作增强夹层的不同纳米织物系统的应力-应变行为，以评估机械性能的增强并评估其作为夹层增强材料的潜力。采用扫描电子显微镜来可视化静电纺丝纳米织物的形貌和微观结构。通过差示扫描量热法研究纳米织物的热行为，以阐明纳米织物的玻璃化温度和熔点，这可用于确定复合材料的最佳加工参数。引入 MWCNT 似乎可以增强聚合物纳米织物的机械响应。在玻璃化转变温度以上进行热处理后，对这些夹层增强材料的机械性能进行检查表明，形态和微观结构的变化可以进一步增强机械响应。
碳封装的纳米层组装的MOS2纳米片具有较大的层间距离，用于柔性锂离子电池
抽象的2D过渡金属二分裂基化元素（例如具有独特分层结构的MOS 2）在锂离子电池（LIBS）领域受到了极大的关注。但是，低电导率和结构稳定性差会对LIB的速率性能产生不利影响。在此，由水稻样的MOS 2 /c组成的柔性且独立的高性能锂离子电极（MOS 2 /c@ti 3 C 2 t X）组成，设计和证明了MOS 2的较大的层套管距离，含有大米的MOS 2 /C插入式Ti 3 C 2 t x和PVP衍生的碳组成。锂离子电池由于其高能量密度引起了极大的关注。因此，作为锂离子电池的阳极材料，MOS 2 /c@ti 3 c 2 t x在0.05 a g-1时提供了538.5 mAh g-1的高排放能力，并在2 a g-1处的256.7 mAh g-g-1的快速充电 /放电能力为2 a g-g-1，以及在2 a g-1的效果（以及150 cy）150 cyect and cy and cat a and cat a and 1 150 cy。密度功能理论（DFT）计算表明，水稻样的MOS 2 /C结构有利于锂离子的吸附和扩散，并促进了氧化还原反应。MOS 2 /C@Ti 3 C 2 T X结构有望增强高性能锂离子电池的新型2D材料的开发。
全磁振子介导的层间耦合……
Fe 2 O 3 /Cr 2 O 3 /Fe 2 O 3 ( f )、Cr 2 O 3 /Fe 2 O 3 ( g ) 和 Fe 2 O 3 ( h ) 样品。XMLD 光谱
层间工艺变化感知单片 3-D NoC 设计空间探索
摘要 — 单片 3-D (M3D) 技术通过按顺序将各层堆叠在一起，实现了高密度集成、性能和能源效率。基于 M3D 的片上网络 (NoC) 架构可以通过对路由器内阶段采用层分区来利用这些优势。然而，由于与温度相关的问题，传统的制造方法不适用于支持 M3D 的设计。这需要较低的温度和温度弹性技术来制造 M3D，导致顶层晶体管和底层互连的性能较差。由此产生的层间工艺变化导致支持 M3D 的 NoC 性能下降。在本文中，我们证明，在不考虑层间工艺变化的情况下，支持 M3D 的 NoC 架构在一组 SPLASH-2 和 PARSEC 基准测试中平均高估了能量延迟积 (EDP) 50.8%。作为应对措施，我们采用了一种工艺变化感知设计方法。所提出的设计和优化方法将路由器内部阶段和路由器间链接分布在各层之间，以减轻工艺变化的不利影响。实验结果表明，与工艺无关的设计相比，所考虑的 NoC 架构在所有基准测试中平均将 EDP 提高了 27.4%。
