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操纵层间激子产生近红外量子光
洛斯阿拉莫斯国家实验室是一家采取平权行动/提供平等机会的雇主，由 Triad National Security, LLC 为美国能源部国家核安全局运营，合同编号为 89233218CNA000001。通过批准本文，出版商承认美国政府保留非独占的、免版税的许可，可以为了美国政府的目的出版或复制本文的已发表形式，或允许他人这样做。洛斯阿拉莫斯国家实验室要求出版商将本文注明为在美国能源部的支持下完成的工作。洛斯阿拉莫斯国家实验室坚决支持学术自由和研究人员的发表权利；但是，作为一个机构，实验室并不认可出版物的观点，也不保证其技术上的正确性。
由LANIO3/LAMNO3超级晶格的接近效应和层间电荷转移引起的分层铁磁结构
摘要：磁接近性诱导的磁性磁性在过去十年中刺激了密集研究。然而，到目前为止，在相关异质结构中LNO层中的磁顺序尚未达成共识。本文报告了（111） - 定向LNO/LAMNO 3（LMO）超级晶格的分层铁磁结构。发现，超级晶格的每个时期都由一个绝缘的LNO间相相（厚度五个单位细胞，〜1.1 nm），一个金属LNO-INNER相位，是一个金属LNO-INNER相，一个导电性LMO-Interflacial相（厚度较差，厚度为3.0.7 nm），以及一个绝缘的LMO-inners nersners-nernernnernernernnernernernnernernernnernernernnernernnernernnernernernnernernernnernernernnernernernnernernnernernernnernernnernernnernernnernernnernernnernernnerners nernernnerners nerners nernernnernerners。所有这四个阶段都是铁磁性的，显示出不同的磁化。MN到Ni Interlayer电荷转移负责层次磁性结构的出现，这可能会在LNO/LMO界面上引起磁相互作用，并在LMO间接层内的双重交换。这项工作表明接近效应是操纵复杂氧化物的磁态和相关特性的有效手段。关键字：LANIO 3，LAMNO 3，接近效应，电荷转移，分层铁磁结构
b'Abstract：使用高能量阴极在锂金属电池中极大地忽略了通用阴极的交叉，例如使用高能量阴极，从而导致严重的容量降解并引起严重的安全问题。此处是由多功能活性位点组成的多功能且薄（25 \ XCE \ XBCM）的层间，以同时调节LI沉积过程并抑制阴极的交叉。 AS诱导的双梯度固体电解质相间与丰富的岩石性位点结合使用，即使在10 MACM 2的高电流密度下，也可以使稳定的LI剥离/电镀工艺能够稳定。此外，X射线光电子光谱和同步加速器X射线实验表明，富含N的框架和COZN双重活性位点可以有效地减轻不希望的阴极交叉，因此显着最大程度地减少了Li腐蚀。因此，使用各种高能阴极材料（包括LINI 0.7 MN 0.2 CO 0.1 O 2，LI 1.2 CO 0.1 MN 0.55 Ni 0.15 O 2）组装的锂金属细胞，硫磺表现出明显改善的循环稳定性，并具有高阴极载荷。
b'Abstract：使用高能量阴极在锂金属电池中极大地忽略了通用阴极的交叉，例如使用高能量阴极，从而导致严重的容量降解并引起严重的安全问题。在此，开发了由多功能活性位点组成的多功能和薄（25 \ XCE \ XBCM）中间层，以同时调节LI沉积过程并抑制阴极交叉。即使在10 MACM 2的高电流密度下，AS诱导的双梯度固相之间的相互作用结合了丰富的岩石嗜性位点也能稳定稳定的LI剥离/电镀工艺。此外，X射线光电子光谱和同步子X射线实验表明，富含N的框架和COZN双重活性位点可以有效地减轻不希望的阴极交叉，因此显着最大程度地减少了Li Li腐蚀。因此，使用各种高能阴极材料（包括LINI 0.7 MN 0.2 CO 0.1 O 2，LI 1.2 CO 0.1 Mn 0.55 Ni 0.15 O 2）组装的锂金属细胞，硫表现出明显改善的循环稳定性，并具有高阴极载荷。
定向能量沉积过程中通过层间铣削提高 Ti-6Al-4V 的延展性
增材制造 (AM) 通常会导致钛合金强度高但延展性差。混合 AM 是一种能够同时提高延展性和强度的解决方案。在本研究中，通过将定向能量沉积与层间加工相结合，实现了 Ti-6Al-4V 的混合 AM。通过检查微观结构、残余应力和显微硬度，可以解释层间加工如何在保持与打印样品相同的强度的同时使延展性提高 63%。层间加工在打印中引入了反复中断，从而导致加工界面处针状 α 板条在缓慢冷却下变粗。选择性加工层上的粗 α 板条增加了拉伸载荷下的位错运动并提高了整体延展性。本出版物中强调的结果证明了混合 AM 提高钛合金韧性的可行性。关键词：混合增材制造、铣削、定向能量沉积、钛 1. 简介
全稳态锂金属电池的锂阳极层间设计
所有固定状态锂金属电池（ASSLB）由于其高能量密度和高安全性而引起了人们的兴趣。然而，由于对机制的理解不足，LI树突生长和高界面耐药性仍然具有挑战性。在这里，我们开发了两种类型的多孔菌丝中间层（Li 7 N 2 I –碳纳米管和Li 7 N 2 I – Mg），以使Li能够在Li/Interlayer界面处的LI板，并可逆地渗透到多孔的层中。实验和仿真结果表明，岩石性，电子和离子电导率以及层间的孔隙率的平衡是以高容量稳定的LI板板/剥离的关键促进器。一个微调的LI 7 N 2 I –碳纳米管中间层使LI/LNI/LI对称细胞在25°C时在4.0 mAh cm -2下实现4.0 mA cm -2的高临界电流密度； the Li 7 N 2 I–Mg interlayer enables a Li 4 SiO 4 @LiNi 0.8 Mn 0.1 Co 0.1 O 2 /Li 6 PS 5 Cl/20 µm-Li full cell to achieve an areal capacity of 2.2 mAh cm −2 , maintaining 82.4% capacity retention after 350 cycles at 60 °C at a rate of 0.5 C. The interlayer design principle opens opportunities to develop safe and high energy ASSLBs.
层间停留时间对定向能量沉积残余应力的影响
摘要 各行业采用金属增材制造受到沉积部件中残余应力和变形的阻碍。定向能量沉积过程中的大热梯度通常会导致最终沉积物中出现残余应力。参数优化主要用于缓解残余应力。然而，工艺参数的影响是材料特定的。当前的研究旨在研究层间停留时间对高强度钢合金定向能量沉积中残余应力的影响。样品以三个层间停留时间水平沉积。使用 X 射线衍射测量表面和体积残余应力。发现表面和体积残余应力都随着层间停留时间的增加而增加。
![b'show电子特性，从半导体到超导。 [4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治组成，这些三明治通过Van der waals的相互作用将其固定在一起。 [5,6]由于与内部的共价键相比，层间相互作用的弱性，因此可以在相对容易的方式中分离出单个X \ Xe2 \ X80 \ x80 \ x93m \ x93m \ x93m \ x93m \ x80 \ x80 \ x93x平板（也称为单层或单层）。主要多型型为1T，2H和3R，其中字母数字代码指示X \ XE2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X每单位单元格的X93X三明治加上结构对称性（H = Hexagonal，t = totragonal，t = totragonal，r = Rhombohedral）。 [5] MOS 2是具有低毒性的分层TMDC的原型示例。 [7] 2H（或单层的特定情况下1H）和1T作为MOS 2的最探索类型。 2H MOS 2具有三角棱柱结构，在热力学上是稳定的，可以在自然界中作为钼矿物矿物质。 [8]当大量2H MOS 2缩小到1H单层时，它会从'](/simg/7/7b39bb38fc7f601938f1f2aa929c33981b3cd7fe.webp)
b'show电子特性，从半导体到超导。 [4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治组成，这些三明治通过Van der waals的相互作用将其固定在一起。 [5,6]由于与内部的共价键相比，层间相互作用的弱性，因此可以在相对容易的方式中分离出单个X \ Xe2 \ X80 \ x80 \ x93m \ x93m \ x93m \ x93m \ x80 \ x80 \ x93x平板（也称为单层或单层）。主要多型型为1T，2H和3R，其中字母数字代码指示X \ XE2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X每单位单元格的X93X三明治加上结构对称性（H = Hexagonal，t = totragonal，t = totragonal，r = Rhombohedral）。 [5] MOS 2是具有低毒性的分层TMDC的原型示例。 [7] 2H（或单层的特定情况下1H）和1T作为MOS 2的最探索类型。 2H MOS 2具有三角棱柱结构，在热力学上是稳定的，可以在自然界中作为钼矿物矿物质。 [8]当大量2H MOS 2缩小到1H单层时，它会从'
b'show电子特性，从半导体到超导。[4]分层TMDC的整体结构由堆叠的X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X93X三明治组成，这些三明治通过van der waals相互作用将其固定在一起。[5,6]由于与内部的共价键相比，层间相互作用的弱点，因此单个X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X平板（也称为单层或单层）可以在相关的方式中隔离。主多型型为1T，2H和3R，其中字母数字代码指示X \ Xe2 \ X80 \ X93M \ X93M \ Xe2 \ X80 \ X80 \ X93X三明治每单位单元单元格以及结构对称性（H = H = Hexagonal，T = Totragonal，R = Totragonal，R = Rhombohed）。[5] MOS 2是层状TMDC低毒性的典型示例。[7] 2H（或单层特定情况下的1H）和1T是MOS 2的最探索类型。2H MOS 2具有三角骨结构，在热力学上是稳定的，可以在自然界中作为钼矿物矿物质。[8]当散装2H MOS 2缩小到1H单层时，它会从'
调节无缓冲直接键合 GaN/Si 异质结构的层间微结构和残余应力
1 英国布里斯托大学 HH Wills 物理实验室器件热成像与可靠性中心 (CDTR)，Tyndall Avenue，布里斯托 BS8 1TL，英国。2 中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室，北京 100083，中国。3 中国科学技术大学纳米科学与技术研究所，合肥 230026，中国。4 上海高压科学与技术先进研究中心，上海 201203，中国。5 哈尔滨工业大学理学院，深圳 518055，中国。 6 北京工业大学光电子技术教育部重点实验室，北京 100124，中国 7 大阪市立大学电子信息系统系，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585 8 大阪都立大学工程研究生院，大阪住吉杉本 3-3-138，日本 558-8585
金属单核化异质结构中的厚度和扭曲角度依赖的层间激子WenkaiZheng§，⊥，lixiang§，⊥
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§，⊥，⊥，lixiang§，⊥，⊥，felipe dequesada˧，£，£，Mathias Augustinǂ，Mathias Augustinǂ，ƪ，
全反铁磁结中的正交层间耦合
实验和理论结果均表明，由于磁矩非常小，平行态和垂直态之间的微小能量差可以体现为反铁磁层间耦合的相当大的层间耦合场，与铁磁层间耦合相比具有独特的优势。结合温度和间隔层厚度相关的 SMR 测量、XMLD 表征和理论模型，证明了反铁磁结中的正交层间耦合。