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有机薄膜晶体管的阈值电压控制的三端浮栅
摘要 - 浮动门（FG）细胞作为控制在thranddiode配置中操作的有机薄膜晶体管（TFTS）的电路级别方法。充电和排放。使用不超过4 V的编程电压，实现了阈值电压的系统调整到-0.5和2.6 V之间的值。该概念的多功能性是通过使用有机-TFT的FG细胞作为被动式直流体中可编程阈值溶剂的转置和二极管载荷式逆变器，并在透明，透明的透明塑料底物上制造的。直接菌显示出频率响应，改善3-DB点和涟漪降低。具有可编程FG-TransDiode负载的逆变器比传统的二极管逆变器具有更大的小信号增益，更大的输出 - 电压摆动和更大的噪声余量。
顶栅2D晶体管的单晶金属氧化物介电
二维（2D）结构由具有高载体迁移率的原子薄材料组成的二维（2D）结构已被研究为未来晶体管1-4的候选。然而，由于合适的高质量介电的不可用，尽管具有优越的物理和电气特性，但2D现场效应晶体管（FET）仍无法获得全部理论潜力和优势。在这里，我们证明了原子上薄的单晶Al 2 O 3（C-al 2 O 3）作为2D FET中的高质量顶栅介电。通过使用插入式氧化技术，在室温下，在单晶Al表面形成了稳定，化学计量和原子较薄的C-Al 2 O 3层，厚度为1.25 nm。由于有利的晶体结构和明确定义的接口，栅极泄漏电流，界面状态密度和C-AL 2 O 3的介电强度3符合国际路线图3,5,7的国际路线图3,5,7。通过由源，排水，电介质材料和门组成的一步转移过程，我们实现了顶部的MOS 2 FET，其特征是以61 mV的陡峭亚阈值摇摆为61 mV-1-1-1，高/OFF电流比为10 8，并且非常小的滞后率为10 mV。这种技术和材料证明了产生适合整合到完全可扩展的晚期2D FET的高质量单晶氧化物的可能性，包括负电容晶体管和自旋晶体管。
PT-D7700E/EK
内置多屏处理器、色彩匹配和边缘融合 多屏处理器 PT-D7700E/EK 无需任何附加设备即可投射大型多屏图像。最多可同时对 100 个单元（10 x 10）进行边缘融合。 色彩匹配 当多台设备一起使用时，此功能可纠正各个投影机的色彩再现范围的细微变化。PC 软件确保控制简便、准确。独立的 7 轴调节（红、绿、蓝、黄、洋红、青色、白）确保高精度并最大限度减少色彩变化。为简化设置过程，您可以在将投影机运送到演示现场之前对其进行调节。色彩匹配功能最多可容纳九台设备，用于多屏或单屏演示。 边缘融合 它控制重叠图像边缘的亮度，以确保均匀、自然的多屏图像。使用单台投影机投影高清源时，部分 DLP™ 芯片未使用。使用两台投影机进行多屏投影时，DLP™ 芯片可提高图像的水平分辨率，同时最大化垂直分辨率。
KN2.0 CRISPR 基因 KO 试剂盒
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风洞中的气动声学 - GRAS 声音和振动
嵌入式湍流屏 新型 GRAS 湍流屏是实壁风洞气动声学测试的最新创新。通过将湍流的流体动力学分量衰减高达 25 dB，现在可以识别和诊断感兴趣的声学信号，并且分辨率要高得多。嵌入式湍流屏将嵌入式和嵌入式安装技术与特殊的金属丝网集成到一个单元中，并允许适应多种安装选项。• 非常高的诱导流噪声降低• 非常低的声衰减• 安装高度低• 前部或后部安装选项• 嵌入式和标准麦克风安装
富士通 MBM2732A.pdf
采用单晶体管堆叠栅极单元结构，通过双层多晶硅技术实现。单个单元由底部浮栅和顶部选择栅组成（见图 1）。顶栅连接到行解码器，而浮栅用于电荷存储。通过将高能电子通过氧化物注入浮栅来对单元进行编程。浮栅上电荷的存在会导致单元阈值发生变化（参见图 2）。在初始状态下，单元具有低阈值（VTH1），这将使晶体管在选择单元时（通过顶部选择栅）导通。编程将阈值移至更高水平（VTHO），从而防止单元晶体管在被选择时导通。可以通过检查感测阈值（VTHS）下的状态来确定单元的状态（即是否已编程），如图 2 中的虚线所示。
Oculus Rift 中的头部和显示器运动产生的矢量运动和晕屏现象
摘要 摘要 通过头戴式显示器 (HMD) 观看虚拟环境时，经常会出现晕动症。本研究检查了 vection（即虚幻的自我运动）和感知头部运动与实际头部运动之间的不匹配是否会导致这种不良体验。观察者在通过 Oculus Rift HMD 观看立体光流时进行振荡偏航头部旋转。在 3 种对物理头部运动进行视觉补偿的条件下测量了 vection 和晕动症：“补偿”、“未补偿”和“反向补偿”。当 HMD 模拟较近的光圈时，发现 vection 在“补偿”条件下最强，在“反向补偿”条件下最弱。然而，在全视野曝光期间，这 3 种条件下的 vection 相似。晕动症在“反向补偿”条件下最严重，但在其他两种条件下并无不同。我们得出结论，感知头部运动与实际头部运动之间的不匹配会严重导致晕动症。矢量和晕屏之间的关系较弱且显得复杂。
高灵敏度栅/体连接MOSFET型光电探测器的光电流特性
本文介绍了 408 nm – 941 nm 范围内高灵敏度栅/体连接 (GBT) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 型光电探测器的光电流特性。高灵敏度对于光电探测器非常重要，它用于多种科学和工业应用。由于其固有的放大特性，GBT MOSFET 型光电探测器表现出高灵敏度。所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器是通过标准 0.18 µm 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 工艺设计和制造的，并分析了其特性。分析了光电探测器的宽长比 (W/L)、偏置电压和入射光波长。实验证实，所提出的 GBT MOSFET 型光电探测器在 408 nm – 941 nm 范围内的灵敏度比相同面积的 PN 结光电二极管高 100 倍以上。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
NASA 球栅阵列 (BGA) 和芯片尺寸 BGA (DSBGA) 选择和应用指南
目标和产品 本指南文件介绍了在高可靠性应用中使用先进塑料球栅阵列 (BGA) 和芯片尺寸 BGA (DSBGA) — 商用现货 (COTS) — 封装技术和组件的建议。最先进和高密度的 BGA 采用倒装芯片球栅阵列 (FCBGA) 配置，输入/输出 (I/O) 超过 2000 个，间距为 1 毫米。间距小于 1 毫米（低至 0.3 毫米）的 DSBGA 通常最多有几百个 I/O。由于更大芯片的产量挑战和节点缩小的高成本，业界已转向实施系统级封装 (SiP)。先进的 SiP 集成芯片技术（称为 Chiplet）是电子封装技术的下一个范式转变。本指南简要讨论了先进的 COTS 封装技术趋势，并提供了两个测试评估示例；一个针对 BGA，另一个针对 DSBGA。对于这两个类别，测试结果涵盖了关键工艺问题、质量指标和质量保证 (QA) 控制参数，随后提供了全面的测试数据以解决热循环可靠性和局限性。最后，报告摘要中包括了从这些评估中吸取的经验教训得出的关键建议。针对低风险灌注航天应用，给出了 COTS BGA/DSBGA 封装技术的具体建议，同时考虑了任务、环境、应用和寿命 (MEAL) 要求。