方法深度剂量(PDD)和传输测量值是在Varian TrueBeam加速器上进行的。通过CT扫描(Toshiba Aquilon)和Alderson-Rando Head Phantom的CT扫描(Toshiba Aquilon)和光学成像(Einscan Pro 2X)获得了用于设备设计的表面轮廓。该设备是在Autodesk Meshmixer软件中建模的3D,并使用Bilby3D TPU和Colorfabb Bronzefill填充剂使用Rish3D Pro2加上FDM打印机生产。使用Varian Eclipse TPS实施了治疗计划,并使用Gafchromic EBT3纤维进行了验证。结果,印刷的TPU在质量和相对电子密度方面表现出与常规推注相似的放射学特性。需要大约10毫米的印刷屏蔽才能将相对剂量减少95%,而9 MeV梁则需要15毫米的9 MeV梁。创建了一个组合的推注/屏蔽装置,初始结果显示幻影可接受。结论TPU和金属纤维均表现出适当的放射学特性,目的是将其作为推注和屏蔽材料在下部电子束能量内用作。使用一种新型生产方法,两种材料都成功地纳入了组合的推注和屏蔽装置中。
美国质量协会 (ASQ) ASQ-Z1.4 — 按属性检验的程序、抽样和表格(国防部采用)。(可从 www.asq.org 获取此文件的副本。)ASTM INTERNATIONAL ASTM A1008/ - 钢材、板材、冷轧、ASTM A1008M 碳、结构、高强度低合金、具有改进的成形性要求硬度、溶液硬化和可烘烤硬化的高强度低合金的标准规范(DoD 采用) ASTM B152/B152M - 铜板、带、板和轧制棒的标准规范(DoD 采用) ASTM B633 - 钢铁上锌电镀层的标准规范(DoD 采用) ASTM D471 - 橡胶性能的标准测试方法 - 液体的影响(DoD 采用) ASTM F15 - 铁-镍-钴密封合金的标准规范 ASTM F1249 - 水蒸气透过率的标准测试方法使用调制红外传感器通过塑料薄膜和薄片(这些文件的副本可从 www.astm.org 获得。)静电放电协会 (ESD) ANSI/ESD STM 11.11 - 平面材料的表面电阻测量 - 保护静电放电敏感物品的标准测试方法 ANSI/ESD STM 11.31 - 评估静电放电屏蔽材料的性能 - 袋子,标准测试方法(这些文件的副本可从 www.esda.org 获得。)
摘要:这篇全面的评论文章总结了从多苯并嗪获得的高级碳质材料的关键特性和应用。鉴定在碳化过程中产生的几种热降解产物,允许碳化的几种不同的机制(竞争性和独立机制),同时还确定了苯唑阵的热稳定性。多苯第二嗪衍生的碳材料的电化学性能,指出伪电容性和电荷稳定性特别高,这将使苯佐昔唑适用于电极。苯唑嗪的碳材料也具有高度的用途,可以通过多种方式合成和制备,包括泡沫,泡沫,纳米纤维,纳米球,纳米球和凝胶凝胶,其中一些提供了独特的特性。特殊特性的一个例子是,材料不仅可以作为气凝胶和凝聚凝胶作为多孔,而且可以作为具有高度量身定制孔隙率的纳米纤维,通过各种制备技术控制,包括但不限于使用表面活性剂和二氧化硅纳米粒子。除了高可调制的孔隙率外,苯佐昔嗪还具有多种特性,可使它们适用于碳化形式的众多应用,包括电极,电池,气体吸附剂,催化剂,屏蔽材料和浓烈的涂层等。极端的热和电稳定性还允许苯唑嗪在更恶劣的条件下(例如在航空航天应用中)使用。
对于 Ge 光谱测定,应用最新技术,与无屏蔽情况相比,背景可降低 5 到 6 个数量级。这种降低系数适用于连续背景光谱,也适用于线背景,如图 1 所示,这是海德堡-莫斯科双重 beta 衰变实验 [1] 的 Ge 探测器。图 1 的上部光谱是在 MPI-Kemphysik [2] 的低级实验室中无屏蔽测量的,而下部光谱是在 Gran Sasso 实验室 [3] 的纯铅屏蔽中测量的。要实现如此大幅的背景降低,只有非常仔细地选择探测器和屏蔽材料以获得低放射性、尽可能缩短晶体和这些材料的宇宙射线曝光时间、在组装阶段进行酸性表面清洁和洁净室条件、通过覆盖层对宇宙射线进行强力屏蔽以及在测量过程中完全抑制氡。通过这些预防措施,几个月的测量时间可以达到几十 n Bq/kg 的灵敏度。对于样品周转时间短得多的正常实验室工作,测量任务可能只需要较少的努力就足够了。如果我们比较图 1 所示光谱的典型检测限(根据 DIN 25482-5 [4] 的 d.l.),例如 250 keV,假设背景连续(检测到的峰值下没有线背景)和 1 小时的测量时间,这一点就变得显而易见了。结果只是低了 34 倍 d
由于无线电信设备的指数增长,对有效的电磁干扰(EMI)屏蔽材料的需求很大。这些设备发出的电磁辐射会破坏电子设备并引起健康危害。因此,开发可以保护设备和人类免于电磁辐射的材料至关重要。在这种情况下,纳米复合材料具有巨大的优势,这是因为可以调整界面以及在纳米复合材料中使用磁性和介电成分的互补特性来增强EMI屏蔽性能。这项工作表明,通过仔细调整合成参数,我们可以生长氧化双相锂(Ferri磁性α -Life 5 O 8和顺磁性α -LifeO 2)纳米复合材料,具有不同的两个阶段相对级分。相位分数的变化和两个阶段的同时增长使我们能够控制两个相之间的接口以及纳米复合材料的物理特性,这对EMI屏蔽性能有直接影响。详细的结构(X射线衍射),成分(拉曼规格Troscopicy)和形态学(高分辨率透射电子显微镜)表征得出了,以了解合成条件对EMI屏蔽参数的影响。改进的介电和磁性性能以及样品中的界面数量增加,几乎相等的两个阶段导致最佳性能。这项工作证明了使用具有可控界面和物理性能的EMI屏蔽的双相磁氧化物纳米复合材料的重要潜力,EMI屏蔽层将来可以构成更复杂的三式系统的基础。
本文报告了氧化钡(BAO)对BAO - K 2 O - COO - COO - Al 2 O 3 - B 2 O 3玻璃的机械和辐射保护特性的影响。获得的结果证实了增强的弹性模量,证实了高度交联密度,高冲击电阻和网络的韧性,并具有样品的良好机械稳定性,并具有进一步的BAO添加剂。,随着BAO含量的增加,据观察,剪切模量从33.8 GPA增加到37.7 GPA(增加了约11.5%),而纵向模量则从100.5 GPA增强,从100.5 GPA从100.5 GPA增强,最高为117.4 GPA,到117.4 GPA(增强了9.8%的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul的GPA,besul's besul的GPA,besul的GPA增强(增强了13%的增强),并且大量模量从55.4 GPA增加到67.2 GPA(增加了21.3%)。弹性模量中的这些增强功能归因于随着BAO添加剂的增加,玻璃基质内部的四面体单元(BO 4和ALO 4单元)增加。另一方面,随着BAO的增加,光条间隙从3.07 eV增加到3.58 eV,配体场强度值从3494 cm -1至3273 cm -1降低。此外,添加BAO会减少线性和非线性折射率。此外,研究了获得的辐射屏蔽参数,并将其与众所周知的屏蔽材料进行了比较。比较证实,氧化钡含量最高的玻璃标本比其他玻璃标本具有更好的辐射屏蔽能力,并且适用于辐射屏蔽应用。
本研究研究了混凝土的辐射屏蔽特性,该特性融合了稻壳灰(RHA),牡蛎壳粉(OSP)和铁粉(FEP)。四个混凝土混合样品ି一种标准混凝土(C -M25)和三个具有40%RHA(C -RHA),OSP(C -SOSP)和FEP(C -FEP)的混凝土样品,作为良好的聚集物替换率ି,以后进行了ASTM C31。通过Epixs软件的插值来计算样品的光子衰减参数。总原子交叉 - 段(σT)值按以下顺序排名:C- FEP> c -osp> c -M25> c -c -rha。c -fep具有最大的MAC值,除了662ି1332KEV的能量范围,其中C -OSP表现出较高的值。C -fep的HVL在整个光子能量上是最高的,其值分别为3.07、4.05、5.34和5.70 cm,分别为356、662、1173和1332 KEV。c -fep在整个光子能量范围内达到了最大的z eff值,这归功于其高浓度的高z元素ିfe和ca。虽然混凝土样品的值接近,但C -fep以40 mfp获得了最低的EABF和EBF因子。c -fep是三个样品中最好的混凝土混合物,在考虑的所有辐射屏蔽参数方面达到了较高的值。与利用其他废物副产品的其他屏蔽材料相比,研究中的混凝土样品显示了材料的MAC和HVL的可比值。
摘要:短期电子设备的不断增长固有地导致大量有问题的废物,这构成了环境污染的风险,危害人类健康并引起社会经济问题。因此,为了减轻这些负面影响,我们的普遍兴趣是将传统材料(聚合物和金属)替换为电子设备中的传统材料(聚合物和金属),并在可能的情况下,同时考虑了功能,制造性和成本的各个方面。在这项研究中,我们探索了可生物降解的生物塑料的使用,例如聚乳酸(PLA),与多羟基丁酸(PHB)(PHB)(PHB)以及与Pyrolyzed的木质素(PL)以及多壁处理的碳nan型(My naneS)(梅尔氏含量)相结合。电子组件,包括等离子体处理,浸入涂料,喷墨和丝网印刷,以及热混合,挤出和成型。我们表明,经过短暂的氩等离子处理,对热泡PLA-PHB混合纤维的表面进行了短暂的表面处理后,单壁碳纳米管(SWCNTS)的渗透网络(SWCNT)可以通过浸水层沉积至1kΩ /□的薄板电阻,以制造能涂层的电极,以制造能力触摸触摸传感器的电极。我们还证明,作为浮光电介质底物的生物塑料膜适用于通过喷墨和屏幕印刷的手段来沉积SWCNT和AG(分别为1kΩ /□和1Ω /□)的导电微图案(分别为1kΩ /□和1Ω /□),并具有潜在电路板的应用。关键字:生物塑料,复合材料,混合物,热解木质素,电气设备,电极,触摸屏,EMI屏蔽■简介此外,我们以PL和MWCNT为PLA的复合和成型的复合材料是电磁干扰屏蔽材料的优秀候选物,其k频段无线电频率(18.0 - 26.5 GHz)分别屏蔽了高达40和46 db的效果。
1。V. I. Matkovich,硼和耐火硼(Springer,1977)。2。X. Luo等。,金属添加剂对热压tib 2的致密性行为的影响。浅金属,1151-1155(2009)。3。A.A. Shiriev,A。S。Mukasyan,“ SHS过程的热力学”中的“自我传播高温合成的百科全书”中。(Elsevier,2017年),pp。385-387。4。W. Tao等。(2009)400KA大型铝还原电池中热电耦合场的有限元分析。在2009年,世界非网格连接风能和能源会议(IEEE),第1-4页。5。X. Cao等。,添加Ni对钨二吡啶的无压烧结的影响。国际难治金属和硬材料杂志41,597-602(2013)。6。X. Cao等。(2011)高温电化学合成熔融盐的硼化物。高级材料研究(Trans Tech Publ),第463-466页。7。V. Yukhvid,SHS过程的修改。纯和应用化学64,977-988(1992)。8。C. Wang,X。Xue,X。Cao,H。Yang,BN添加对Tib 2- al复合材料的机械性能和微观结构的影响。东北大学杂志(自然科学),19(2012年)。 9。 W. Chao等。 ,一种制造Aln-Tib2复合陶瓷的新方法。 材料和制造过程28,953-956(2013)。 10。 11。东北大学杂志(自然科学),19(2012年)。9。W. Chao等。 ,一种制造Aln-Tib2复合陶瓷的新方法。 材料和制造过程28,953-956(2013)。 10。 11。W. Chao等。,一种制造Aln-Tib2复合陶瓷的新方法。材料和制造过程28,953-956(2013)。10。11。C. Wang,J。Zhang,X。X. Xue,X。Z. Cao(2013)通过真空金属浸润制造B-Ni-Al屏蔽材料。高级材料研究(Trans Tech Publ),第410-413页。P.中国非有产金属协会的交易17,S27-S31(2007)。12。X. Cao等。,来自氯化氯化物 - 尿素深共晶溶剂的SN涂层的电化学行为和电沉积。涂料10,1154(2020)。13。H. C. Yi,J。Moore,粉末 - 压缩材料的自传播高温(燃烧)合成(SHS)。材料科学杂志25,1159-1168(1990)。14。W. Zhang等。,CR含量对Cr – Ti – C系统的SHS反应的影响。合金和化合物杂志465,127-131(2008)。