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用于高频数字应用的低电感去耦电容器
随着 LSI 技术的快速发展，LSI 的工作频率不断提高，电源电压不断降低。为了有效使用高性能 LSI，需要能够抑制 LSI 产生的开关噪声并稳定电源电压的新型去耦电容器。通过使用 (Ba,Sr)TiO 3 (BST) 化学溶液沉积 (CSD) 膜和细间距电极结构，我们开发了一种可以在 300 MHz 频率范围内满足这些要求的电容器。在具有 Au 基电极的 Si 晶片上沉积两个 200 nm 厚的 BST 介电层。用于安装到电路板的焊料凸块端子形成在顶部 Cr/Pt/Au 电极上。研制的电容器电容密度为2 µF/cm 2 ，电感为30 pH ，谐振频率约为230 MHz ，击穿电压为10 V 。本文介绍了新型电容器的介电BST薄膜和薄膜电极的材料技术。
石英晶体谐振器和振荡器
从历史上看，随着商用双向无线电用户数量的增长，信道间隔不断缩小，必须分配更高频率的频谱才能满足需求。更窄的信道间隔和更高的工作频率需要更严格的频率公差，无论是发射器还是接收器。1940 年，当只有几千台商用广播发射机在使用时，500 ppm 的公差就足够了。今天，数百万部蜂窝电话（工作在 800 MHz 以上的频段）中的振荡器必须保持 2.5 ppm 或更高的频率公差。896-901 MHz 和 935-940 MHz 移动无线电频段要求基站的频率公差为 0.1 ppm，移动站的频率公差为 1.5 ppm。容纳更多用户的需求将继续要求越来越高的频率精度。例如，NASA 的个人卫星通信系统概念将使用类似对讲机的手持终端、30 GHz 上行链路、20 GHz 下行链路和 10 kHz 信道间隔。终端的频率精度要求是 10 8 的几分之一。
具有 0.9 dB 噪声系数和 12.8- ... 的 RF p-GaN HEMT
摘要 — 深入研究了增强型 p-GaN 栅极高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的低噪声放大性能。该器件具有钨 (W) 栅极金属和与 CMOS 兼容的源极/漏极端子金属触点，表现出 2.7 V 的正阈值电压。在夹断区和导通区分别提取 3.8 pA/mm 和 16.3 nA/mm 的低栅极漏电流密度 (IG)。该器件在 2 GHz 时提供 15.8 dBm 的输入三阶截取点 (IIP3)，同时具有良好的线性特性对频率变化的免疫力。在 2 GHz 的工作频率下实现了 0.9 dB 的最小噪声系数 (NF min) 和 12.8 dB 的相关增益 (G a)。此外，通过检查偏置和频率对 NF min 和 G a 的影响，发现在 1 GHz 时 NF min 为 0.65 dB，G a 为 18.3 dB。这项工作为 p-GaN HEMT 在低噪声放大器应用中的利用铺平了道路。
硅中介层上的嵌入式电容器可实现更高频率的应用
BT 基板。封装在中介层和 BGA 基板之间有底部填充环氧树脂，并用无铅焊料进行凸块处理。标准可靠性测试是按照 JEDEC 条件“B”进行的热循环，温度为 –55 至 125 摄氏度，每小时两次。测试结果表显示在本文末尾。对于所有可靠性测试，都要对要测试的样品进行 0 次预筛选。读数在 250 次循环、500 次循环、750 次循环和 1000 次循环时完成。高频电容测量不同值的小值旁路电容器可一起使用以进行阻抗频率整形。较小值的电容器可用于非旁路应用，并提供更高的有效工作频率。下面和图 6 中绘制的是 0.304 nfd 和 14.8 nfd 电容器样本在 1 MHz 至 6 GHz 范围内测试的结果。 SR点分别约为1.4 GHz和175 Mhz。
拓扑声表面波
用于经典波（例如电磁波和声波）的拓扑材料引起了越来越多的关注，这主要是因为它们具有鲁棒性、低损耗以及边界赋予的新的人工自由度。表面声波 (SAW) 作为广泛使用的微型设备相关信息载体，在当今的无线通信和传感网络中无处不在。在此，我们报告了基于单片集成平台的 SAW 拓扑绝缘体的实现。通过在压电半空间上使用工作频率为数十兆赫的微型声学谐振器阵列，我们成功地赋予电泵浦瑞利型 SAW 以“自旋动量锁定”特性，使固态声波在“三维体积上二维表面的一维界面”上任意绕行并穿过缺陷和交叉点，而损耗比任何其他解决方案都要小得多。这些革命性的拓扑 SAW 可能为未来移动通信、传感和量子信息处理等领域具有超高性能和先进功能的单片电子（光子）声子电路开辟一条道路。
科学期刊
毫特斯拉至特斯拉级别的单片强磁感应为物理、化学和医疗系统提供了基本功能。当前的设计选项受到三维 (3D) 结构构造、电流处理和磁性材料集成方面的现有能力的限制。我们在此报告通过气相自卷膜 (S-RuM) 纳米技术将大面积和相对较厚 (~100 至 250 纳米) 的 2D 纳米膜几何转换为多圈 3D 空芯微管，并结合通过毛细力对磁流体磁性材料进行后卷集成。设计和测试了蓝宝石上的数百个 S-RuM 功率电感器，最大工作频率超过 500 MHz。单个微管电感器在 10 kHz 时实现了 1.24 H 的电感，相应的面积和体积电感密度分别为 3 H/mm 2 和 23 H/mm 3 。在 10 MHz 时，在制造的器件中模拟的磁感应强度达到数十毫特斯拉。
采用半导体分布掺杂区带宽可切换带通滤波器的新型合成方法
摘要 本文介绍了一种使用半导体分布掺杂区 (ScDDA) 作为有源元件的带宽可切换带通滤波器的新型合成方法。提出了一种协同设计方法，对可切换滤波器的有源和无源部分进行整体和同步设计。集成在硅基板中的 ScDDA 能够从半波长开路短截线转换为四分之一波长短路短截线。这种协同设计方法具有很大的灵活性，允许将有源元件直接集成在基板中，从而避免任何元件焊接。该合成是针对有源元件的两种状态开发的，并作为概念验证应用于四极带宽可切换带通滤波器。该滤波器工作频率为 5 GHz，在 OFF 状态下（当短截线通过开路终止时）带宽为 50%，在 ON 状态下（当短截线短路时）带宽为 70%。对于该滤波器，合成在两种状态下进行，允许选择两个所需的带宽。这些结果得到了良好的拟合，证明了这种方法的可行性。
空间噪声相关性对航母定位精度的影响
最常用的潜艇探测和定位手段之一是定向频率分析和记录 (DIFAR) 声纳浮标系统。这是一种被动系统，通过接收潜艇发射的声学信号、探测和定位潜艇来工作。近年来，DIFAR 声纳浮标还被用于追踪鲸鱼的迁徙并记录它们发出的声音（ McDonald，2004；Miller，2012；Greene Jr. 等，2004）。一般而言，DIFAR 声纳浮标配备有由五个水听器组成的水声天线，这些水听器由交叉的梯度水听器对和一个附加的中央水听器组成（Mallet，1975；Salamon，2004）。类似的没有中央水听器的天线系统也是已知的（Stover，1969；Salamon 等人，2000）。在本文中，作者将证明这两种解决方案都是正确的，并且在很宽的信噪比范围内提供类似的方位精度水平。与任何被动或主动声学系统一样，方位精度受噪声影响，其中噪声在声纳浮标的工作频率范围内（10 Hz 至 3 kHz）特别高（Salamon，2004；2006；Marszal 等人，2005）。了解
CMOS前端用于插入自旋式霍尔纳米振荡器，用于GHz范围的神经形态计算
摘要：自旋效应的纳米振荡器在当前可用的CMO设备之外有望，并且有可能用于模仿计算神经元系统中神经元的功能。当它们在4-20 GHz范围内振荡时，它们有可能用于构建高速加速的神经硬件平台。然而，由于它们的产出极低的信号水平和高阻抗以及其微波范围的工作频率，因此，当使用CMOS技术实施其状态读出电路时，SHNO是否振荡是否会带来巨大的挑战。本文介绍了第一个CMOS前端读出电路，该电路在180 nm上实施，以shno振荡频率高达4.7 GHz，设法辨别了100 µV的SHNO SHNO幅度，即使对于障碍物的障碍也达到300ω，并且噪声效果高达300ω，并且噪声效果为5.3 db db 300ω。提出了该前端的设计流以及其每个块的架构。对低噪声放大器的研究在设计中的固有困难中加深了深化，满足了SHNOS的特征。
信一种采用 InP DHBT 工艺的高带宽利用率 ECL 静态分频器
高速宽带分频器广泛应用于正交信号产生[1, 2]、时间交织THA和ADC系统[3, 4, 5]以及其他高速通信领域[6]。目前，已有多种基于不同拓扑和工艺的分频器被报道。特别地，InP DHBT在相同尺寸的器件下具有更高的击穿电压和更好的频率性能[7, 8]，这意味着InP DHBT是高速分频器电路的更好选择。但是，电路的工作频率范围不能超过与器件工艺有关的截止频率ft的几分之一[9]，这限制了电流型逻辑 (CML) 分频器的工作频率[9, 10]。为了提高分频器电路的高频性能，应努力提高相同ft 的器件的工作频率的利用率。已经发表了许多增强技术来扩展分频器的工作频率范围，例如电感峰值[9, 11, 12, 13]，分流电阻负载[14, 15, 16]，非对称锁存器[17]，动态分频器[18, 19, 20, 21, 22]和双射极跟随器[23, 24]。然而，在电路设计中最大限度地利用器件ft的报道很少。本信