Valley Design 是一家通过 AS9100D/ISO 9001:2015 认证的基板、窗口、晶圆、精密垫片和间隔物、平面光学器件以及包括圆顶在内的复杂机械加工部件制造商。自 1975 年以来,我们一直是先进材料加工领域的行业领导者,提供精密研磨和抛光服务、4 轴和 5 轴 CNC 加工、切割、背面研磨、超声波钻孔、边缘和角度抛光以及其他精密加工服务。我们拥有 35,000 平方英尺的生产设施,运营着 100 多台单面和双面研磨、抛光和研磨机,最大尺寸为 64 英寸,可处理从最小 0.127 平方毫米到最大 1.83 米(6 英尺)的零件。我们还提供生产切割服务。凭借 15 台 K&S 和 Disco 切割锯,我们的产能在业内名列前茅。我们的 4 轴和 5 轴 CNC 微加工能力使我们能够制造复杂的形状和机械特征,例如凹槽、空腔、槽、通道、倒角、通孔、半径和台阶,所有这些都具有严格的公差。我们现在还能够加工圆顶。
背景:透明隔尾状沟 (CSP) 是一种重要的解剖结构,在胎儿大脑发育中发挥作用。本研究旨在评估孕妇 CSP 的位置、几何特性和面积,以及它与中线的关系。方法:对 106 名孕妇进行了横断面研究。评估了 CSP 相对于中线的位置,并使用超声成像测量了其长宽比、面积和形状。进行了统计分析以检查这些特征与年龄、BMI 和孕龄等母亲特征之间的关系。结果:大多数 CSP 位于中线或中线附近 (67.9%)。CSP 的长宽比主要大于 1.5,表明呈细长形状。CSP 面积范围为 6 至 10 平方毫米,观察到一些较大的值。 CSP特征与母体因素无明显相关性。结论:孕妇CSP的位置、几何形状和面积均呈正常变化,大多数测量值均在预期发育范围内。这些发现为胎儿大脑发育评估提供了有用的参考,并可能有助于识别妊娠期间异常的大脑结构。
通常,MB 的总占地面积在平方毫米甚至平方厘米量级,或者电极厚度限制在 10 毫米以内,对于 3D 配置,体积则为亚立方毫米。根据微电极的几何形状,MB 可分为 1D 形状、2D/3D 堆叠结构和 2D/3D 平面配置。15 – 17 与传统电池的三明治结构(仅允许离子沿垂直方向扩散)不同,MB 独特的电极结构可以缩短离子传输路径,提高倍率性能和功率密度。特别是具有叉指微电极的平面 MB 表现出多方向离子扩散机制,极大地促进了反应动力学。 18,19 此外,从结构角度考虑,采用浆料浇铸法制备的传统电池难以满足微电子的美学多样性和形状可定制性要求。20 – 22 值得注意的是,MB 可以通过各种微加工方法解决上述形状多样性和定制结构的问题,例如光刻、23,24 激光划片、25 – 27 电沉积、28,29 丝网印刷、30,31 和 3D 打印技术。32 – 34 光刻
摘要 —本文介绍了一种生物启发的事件驱动神经形态传感系统 (NSS),该系统能够执行片上特征提取和“发送增量”脉冲传输,针对外周神经记录应用。所提出的 NSS 采用基于事件的采样,通过利用神经电图 (ENG) 信号的稀疏性质,实现 > 125 × 的数据压缩比,同时在重建后保持 4% 的低归一化均方根误差 (NRMSE)。所提出的 NSS 由三个子电路组成。采用具有背景偏移校准的无时钟电平交叉 (LC) 模数转换器 (ADC) 来降低数据速率,同时保持高信号量化噪声比 (SQNR)。完全合成的脉冲神经网络 (SNN) 提取复合动作电位 (CAP) 信号的时间特征,功耗仅为 13 µW。事件驱动的脉冲式体通道通信 (Pulse-BCC) 采用序列化地址事件表示 (AER) 编码方案,可最大限度地降低传输能量和尺寸。原型采用 40 纳米 CMOS 制造,占用 0.32 平方毫米的有效面积,在特征提取和全功率传输中分别消耗 28.2 和 50 µW 的功率
摘要 — 单芯片双向脑机接口 (BBCI) 通过同时进行神经记录和刺激来实现神经调节。本文介绍了一种原型 BBCI 专用集成电路 (ASIC),该集成电路由 64 通道时分复用记录前端、面积优化的四通道高压兼容刺激器和支持同时进行多通道刺激伪影消除的电子设备组成。刺激器电源集成在芯片上,通过谐振电荷泵从低压电源提供 ± 11 V 的顺从电压。高频 (∼ 3 GHz) 自谐振时钟用于减少泵送电容器面积,同时抑制相关的开关损耗。基于 32 抽头最小均方 (LMS) 的数字自适应滤波器可实现 60 dB 的伪影抑制,从而实现同时进行神经刺激和记录。整个芯片采用 65 纳米低功耗 (LP) 工艺,占地 4 平方毫米,由 2.5/1.2 V 电源供电,记录时功耗为 205 µ W,刺激和消除后端功耗为 142 µ W。刺激输出驱动器在最大输出功率为 24 mW 时可实现 31% 的直流-直流效率。
这项研究展示了暗场 X 射线显微镜 (DFXM)(一种纳米结构的 3D 成像技术)在表征 GaN/AlN/Si/SiO 2 纳米柱顶部的新型氮化镓 (GaN) 外延结构以用于光电应用方面的潜力。纳米柱旨在使独立的 GaN 纳米结构聚结成高度取向的薄膜,因为 SiO 2 层在 GaN 生长温度下变软。在纳米级的不同类型的样品上展示了 DFXM,结果表明,通过这种生长方法可以实现取向极好的 GaN 线(标准偏差为 0.04)以及面积高达 10 10 平方毫米的区域的高度取向材料。在宏观尺度上,高强度 X 射线衍射表明 GaN 金字塔的聚结会导致纳米柱中硅的方向错误,这意味着生长按预期进行(即柱在聚结过程中旋转)。这两种衍射方法证明了这种生长方法对于微型显示器和微型 LED 的巨大前景,这些显示器和 LED 需要小岛状的高质量 GaN 材料,并提供了一种新方法来丰富对最高空间分辨率下光电相关材料的基本理解。
我们提出了一种用于电刺激周围神经的无线、完全可植入设备,该设备由供电线圈、调谐网络、齐纳二极管、可选刺激参数和刺激器 IC 组成,全部封装在生物相容性硅胶中。13.56 MHz 的无线射频信号通过片上整流器为植入物供电。ASIC 采用台积电的 180 nm MS RF G 工艺设计,占地面积不到 1.2 平方毫米。该 IC 通过片上只读存储器实现外部可选的电流控制刺激,具有 32 个刺激参数(90 – 750 μA 幅度、100 μs 或 1 ms 脉冲宽度、15 或 50 Hz 频率)。IC 使用 8 位二进制加权 DAC 和 H 桥生成恒定电流波形。在最耗电的刺激参数下,刺激脉冲期间的平均功耗为 2.6 mW,电能传输效率约为 5.2%。除了台式和急性测试外,我们还在两只大鼠的坐骨神经上长期植入了两种版本的设备(一种是带导线的设计和一种是无导线的设计),以验证 IC 和整个系统的长期疗效。无导线设备的尺寸如下:高 0.45 厘米,长轴 1.85 厘米,短轴 1.34 厘米,带导线的设备尺寸类似
换算系数(与公制单位的近似换算) 换算自 功能 值 长度 英寸 米 除以 39.3701 英寸 毫米 乘以 25.4000 英尺 米 除以 3.2808 体积 立方英尺 立方米 除以 35.3149 立方英寸 立方米 除以 61,024 截面 模数 英寸 2 英尺 厘米 2 米 乘以 1.9665 英寸 2 英尺 厘米 3 乘以 196.6448 英寸 3 厘米 3 乘以 16.3871 惯性矩 英寸 2 英尺 2 厘米 2 米 除以 1.6684 英寸 2 英尺 2 厘米 4 乘以 5993.73 英寸 4 厘米 4 乘以 41.623 力或质量长吨 吨 乘以 1.0160 长吨 公斤 乘以 1016.047 磅 吨 除以 2204.62 磅 公斤 除以 2.2046 磅 牛顿 乘以 4.4482 压力或应力 磅/英寸2 牛顿/米2(帕斯卡) 乘以 6894.757 千磅/英寸2 兆牛顿/米2 乘以 6.8947(兆帕斯卡) 弯曲或扭矩 英尺吨 米 吨 除以 3.2291 英尺磅 公斤米 除以 7.23285 英尺磅 牛顿米 乘以 1.35582 能量 英尺磅 焦耳 乘以 1.355826 应力强度 千磅/英寸2 英寸 √ 英寸) 兆牛顿 MNm 3/2 乘以 1.0998 J-INTEGRAL 千磅/英寸 焦耳/平方毫米 乘以 0.1753 千磅/英寸 千焦耳/平方米 乘以 175.3
肺部疾病对人类健康影响巨大:许多肺部疾病目前无法治愈,需要持续治疗。由于便携式吸入器易于使用且可融入日常生活,因此成为患者的首选治疗选择。人们尝试替代排放温室气体的便携式吸入器,并因此产生了便携式水基系统,即所谓的软雾吸入器(SMI)。然而,与市场上的推进剂驱动系统相比,SMI 气雾化装置在致病安全性方面仍然存在缺点,硅占用空间较大,并且必须在洁净室环境中制造。本论文开发了三种不同类型的喷嘴,在病原体安全性、制造成本和气雾化性能方面对现有技术进行了改进。新型 3D 打印整体式涡流喷嘴首次能够在洁净室环境之外制造这种气雾化装置。该装置能够将易碎且剪切敏感的大分子药物温和地雾化。一种处理和封装硅 MEMS 的新方法使得世界上最小的便携式吸入器水基喷嘴得以展示,其硅面积仅为 1/6 平方毫米。为了改善 SMI 设备缺乏致病安全性的问题,开发了一种带阀喷嘴,可以有效地在喷嘴处密封吸入装置,防止运动肠道细菌的致病内生。这一发展可能使环保型 SMI 能够改善多种肺部疾病的治疗。
深度神经网络 (DNN) 是图像、语音和文本处理的最新技术。为了解决训练时间长和能耗高的问题,自定义加速器可以利用稀疏性,即零值权重、激活和梯度。提出的稀疏卷积神经网络 (CNN) 加速器支持使用不超过一个动态稀疏卷积输入进行训练。在现有的加速器类别中,唯一支持双面动态稀疏性的是基于外积的加速器。然而,当将卷积映射到外积时,会发生与任何有效输出都不对应的乘法。这些冗余笛卡尔积 (RCP) 降低了能源效率和性能。我们观察到在稀疏训练中,高达 90% 的计算都是 RCP,它们是由 CNN 训练后向传递期间大矩阵的卷积产生的,用于更新权重。在本文中,我们设计了一种机制 ANT 来预测和消除 RCP,与外积加速器结合使用时可以实现更高效的稀疏训练。通过预测超过 90% 的 RCP,在使用 DenseNet- 121 [ 38 ]、ResNet18 [ 35 ]、VGG16 [ 73 ]、Wide ResNet (WRN) [ 85 ] 和 ResNet-50 [ 35 ] 的 90% 稀疏训练中,ANT 比类 SCNN 加速器 [67] 实现了 3.71 倍的几何平均速度提升,能耗降低了 4.40 倍,面积增加了 0.0017 平方毫米。我们将 ANT 扩展到稀疏矩阵乘法,以便同一个加速器可以预测稀疏全连接层、Transformer 和 RNN 中的 RCP。