当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时,研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势,但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差,栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点,使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的,阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的,以获取循环。结果,该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加,开关电流比率增加,但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率,但TIO 2(K = 80)的On-Own电流比增加到10 7或更多。
我们研究了铁磁异常的约瑟夫森连接的开关电流分布,该连接构成线性增加的偏置电流。我们的研究发现了开关电流分布的位置与关键系统参数之间的显着相关性,例如自旋 - 轨道耦合的强度和吉尔伯特阻尼参数。这表明可以通过实验测量直接确定这些参数。通过对噪声,磁化,相动态和开关电流分布的统计特性之间的相互作用进行全面分析,我们加深了对这些有趣的低温旋转型旋转设备的理解。这些发现有可能在量子计算体系结构和信息处理技术领域的应用中进行应用。
设计并制作了一种基于电流偏置约瑟夫森结 (CBJJ) 阈值行为的约瑟夫森辐射阈值探测器 (JRTD),用于低温红外辐射 (IR@1550nm) 检测。为了实现最佳性能,我们开发了一种二元假设检测方法来校准无辐射和有辐射时的约瑟夫森阈值行为(即 CBJJ 与 Al/AlO x /Al 结的开关电流分布)。在没有红外辐射的情况下,结点转变,结点两端的电压降可测量,该信号被视为假设 H 0 的事件。在有红外辐射的情况下观察到的结点转变事件作为假设 H 1 。考虑到通常的高斯噪声并基于统计决策理论,对测得的开关电流分布的累积数据进行处理,并估算了所演示的 JRTD 设备的阈值灵敏度。所提出的探测器的最小可探测红外辐射功率约为 0.74 pW,这对应于 5.692 × 10 6 光子/秒的光子速率。进一步优化 JRTD 以实现所需的单光子二元检测仍然是一个争论的主题,至少在理论上是如此。
电阻负载上的最大开关电流输出R1a,R1b,R1C,COS PHI = 1:3 A处,250 V AC中继a,电阻载荷上的R1B,R1B,R1C,电阻载荷,Cos Phi = 1:3 a在30 V dc dc dc dc Relay r1a,r1b,r1c,r2a,r2a in in r2 a in in r2 a in r2 a in-r2 in-r2 in-r2 in-r2 = 0. 4 250 V AC Relay output R1A, R1B, R1C, R2A, R2C on inductive load, cos phi = 0.4 an- d L/R = 7 ms: 2 A at 30 V DC Relay output R2A, R2C on resistive load, cos phi = 1: 5 A at 250 V AC Relay output R2A, R2C on resistive load, cos phi = 1: 5 A at 30 V DC电阻负载上的最大开关电流输出R1a,R1b,R1C,COS PHI = 1:3 A处,250 V AC中继a,电阻载荷上的R1B,R1B,R1C,电阻载荷,Cos Phi = 1:3 a在30 V dc dc dc dc Relay r1a,r1b,r1c,r2a,r2a in in r2 a in in r2 a in r2 a in-r2 in-r2 in-r2 in-r2 = 0. 4 250 V AC Relay output R1A, R1B, R1C, R2A, R2C on inductive load, cos phi = 0.4 an- d L/R = 7 ms: 2 A at 30 V DC Relay output R2A, R2C on resistive load, cos phi = 1: 5 A at 250 V AC Relay output R2A, R2C on resistive load, cos phi = 1: 5 A at 30 V DC
固定频率PWM操作确保开关噪声频谱被限制在600kHz基波及其谐波内,从而允许轻松进行后置滤波以降低噪声。外部时钟同步功能允许更严格的噪声频谱控制。静态功耗小于1mW,可延长电池供电系统的工作时间。两个控制输入(ONA,ONB)允许通过单个瞬时按钮开关进行简单的按压、按压关闭控制,以及传统的开/关逻辑控制。MAX1709还具有可编程软启动和电流限制功能,可实现设计灵活性和最佳电池性能。最大RMS开关电流额定值为10A。有关具有较低电流额定值、较小尺寸和更低成本的设备,请参阅MAX1708数据手册。
pn 结中的二极管效应在现代微电子学中起着重要作用。由于电子(n)和空穴(p)掺杂区之间的反演对称性破缺,电子传输是非互易的,即电流只能朝一个方向流动。这种非互易性质已广泛应用于晶体管、发光二极管、太阳能电池等电子设备中。最近,类似的二极管效应在超导系统中引起了极大的兴趣 [1-66]。与 pn 结中的二极管效应一样,超导二极管效应 (SDE),或者具体来说是约瑟夫森结 (JJ) 中的约瑟夫森二极管效应 (JDE),有望找到重要应用,如无源片上回转器和循环器 [66]。这类设备在量子计算应用中将特别有影响力。此外,SDE/JDE 可用作研究新型超导特性(如有限动量库珀对)的替代方法 [2, 10]。在典型的 JJ 或超导量子干涉装置(SQUID)中,IV 曲线在装置处于正常状态的高电流范围内呈线性,如图 1(d)所示。电压 V DC 在所谓的再捕获电流 I + r(对于电流向下扫描)处突然降至零,并在很大的电流范围内保持在零,直到达到开关电流 − I − c。本文中,我们将该开关电流视为 JJ 的临界电流(I c ),并在本文中始终使用临界电流这一术语。超过 − I − c 后,IV 曲线变为线性,装置再次进入正常状态。对于电流向上扫描曲线,可以观察到 IV 曲线的类似形状,并标记出相应的 − I − r 和 I + c 的位置。一般而言,只要存在时间反演对称性 (TRS) 或反演对称性,I + c = I − c 就与电流扫描方向无关。然而,当两种对称性都被破坏时,临界电流会根据电流扫描的方向显示不同的值,这种现象称为 JDE [ 1 , 2 ]。在非中心对称超导系统或非对称 SQUID 等器件结构中,反演对称性会被破坏
最大开关电流继电器输出电阻负载上的最大开关输出R1C,COS PHI = 1:3 A在250 V AC中继输出电阻载荷上的输出R1C,电阻载荷,COS PHI = 1:3 A在30 V DC DC中继输出电感载荷上输出r1c,COS PHI = 0.4 = 0.4 = 0.4和L/R = 7 m- s:2 AT 250 V Ac cos in = 7 m- 2 a在30 V DC中继输出电阻载荷时输出R2C,COS PHI = 1:5 a在250 V AC继电器输出电阻载荷时输出R2C在电阻载荷上,COS PHI = 1:5 a在30 V DC DC中继输出电感载荷上,COS PHI = 0.4和L/R = 0.4和L/R = 7 m- s:2 AT 250 V Ac cos lage = 7 m- s:2 a cos in cos lag/c cos cos cos cos cos lay phi = 0. 2 A在30 V DC
他的主要研究兴趣是模拟和混合信号集成电路领域,特别是高性能数据转换器,包括此类电路的分析、行为建模、设计和设计自动化。在这些课题上,de la Rosa 博士参与了西班牙和欧洲的多项研究和工业项目,并合作撰写了 260 多篇国际出版物,包括期刊和会议论文、书籍章节和书籍《用于数字通信芯片的 CMOS 开关电流带通 Sigma-Delta 调制器的系统设计》(Kluwer,2002 年)、《用于传感器和电信的 CMOS 级联 Sigma-Delta 调制器:误差分析和实际设计》(Springer,2006 年)、《用于软件定义无线电的纳米 CMOS Sigma-Delta 调制器》(Springer,2011 年)和《CMOS Sigma-Delta 转换器:实用设计指南》(Wiley-IEEE Press,2013 年,第 2 版,2018 年)。他是斯坦福大学全球前 2% 科学家名单中的一员(2019-2022 年)。
最大开关电流 继电器输出端 R1 在感性负载下 (cos phi = 0.4 和 L/R = 7 ms) : 2 A 在 250 V AC 继电器输出端 R1 在感性负载下 (cos phi = 0.4 和 L/R = 7 ms) : 2 A 在 30 V DC 继电器输出端 R2, R3 在感性负载下 (cos phi = 0.4 和 L/R = 7 ms) : 2 A 在 250 V AC 继电器输出端 R2, R3 在感性负载下 (cos phi = 0.4 和 L/R = 7 ms) : 2 A 在 30 V DC 继电器输出端 R1 在阻性负载下 (cos phi = 1) : 3 A 在 250 V AC 继电器输出端 R1 在阻性负载下 (cos phi = 1) : 3 A 在 30 V DC 继电器输出端 R2, R3 在阻性负载下(功率因数 = 1):250 V AC 时为 5 A 继电器输出 R2、R3 接在电阻负载上(功率因数 = 1):30 V DC 时为 5 A