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当不对称连接双门MOSFET制造为SIO 2 /High-K介电堆积的栅极氧化物时，研究了开关电流比的变化。高介电材料具有降低短通道效应的优势，但是由于带偏移的偏移量减少和使用硅的界面性能较差，栅极寄生电流的上升已成为一个问题。为了克服这一缺点，使用了堆叠的氧化膜。电势分布是从柱道方程式获得的，阈值电压是从第二个衍生方法计算得出的，以获取循环。结果，该模型与其他论文的结果一致。随着高介电材料的介电性的增加，开关电流比率增加，但在20或更多的相对介电常数下饱和。开关电流比与上和下高介电材料厚度的算术平均值成比例。SIO 2显示了10 4或更低的开关电流比率，但TIO 2（K = 80）的On-Own电流比增加到10 7或更多。
分析不对称连接中的On-Off电流比...
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