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图 S11。a) 0.01 V-3 V 范围内 0.2 mV s -1 的 CV b) NGA-CMP 最初五次循环期间 0.1 A g -1 的恒电流充电/放电。在第一次阴极扫描期间,1.06 V 处的明显峰归因于 Na + 插入 NGA-CMP,而 0.52 V 处的宽峰可归因于伴随 Na + 插入的 SEI 形成。1 从第二次循环开始,CV 曲线几乎重叠,表明本材料具有优异的可逆性和循环稳定性。 0.67 V 处出现宽阴极峰,符合化学相互作用的电容过程,NGA-CMP 在 0.4 V-0.01 V/0.01 V-0.82 V 和 1.22 V-0.38 V/0.62 V-1.35 V 附近呈现两条可逆曲线,与恒电流循环曲线一致。第一条斜线属于钠离子插入和从孔隙中脱出,这在 Sb@NGA-CMP 中并不明显。第二条斜线与吡嗪位点有关。2
图S2。 原子力显微镜(AFM)图像分析了新的化学去角质MOS 2。 (a)Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和(b)垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型,100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。 此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。 (c)可以看出,单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm,可与Ca相当。 单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明,有56%的薄片为单层,其中两层中有28%,三层中的13%等等。 平均地形高度约为1.04 nm,与SL-MOS 2的典型高度相符,并且存在水分子(在0.6至1.0 nm之间)[9]。图S2。原子力显微镜(AFM)图像分析了新的化学去角质MOS 2。(a)Si底物表面上自旋涂层SL-MOS 2的AFM图像和(b)垂直于C轴的2-H MOS 2结构的模型,100片薄片在0.6-0.7nm之间扫描。此SL-MOS 2纳米片的横向尺寸约为20-40 nm。(c)可以看出,单个层的台阶高度为0.6-0.7 nm,可与Ca相当。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。 对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明,有56%的薄片为单层,其中两层中有28%,三层中的13%等等。 平均地形高度约为1.04 nm,与SL-MOS 2的典型高度相符,并且存在水分子(在0.6至1.0 nm之间)[9]。单层S-MO-S构建块的0.65 nm。对锂去角质方法产生的100片片的统计分析表明,有56%的薄片为单层,其中两层中有28%,三层中的13%等等。平均地形高度约为1.04 nm,与SL-MOS 2的典型高度相符,并且存在水分子(在0.6至1.0 nm之间)[9]。
1. 简介 本太阳能存储系统支持政策概述了 Ficom Networks (Pty) Ltd 子公司 Nexsola Energy 促进和支持采用和使用太阳能存储系统的承诺。通过鼓励整合太阳能存储技术,我们旨在提高能源效率、减少碳排放并为更可持续的未来做出贡献。 2. 目标 我们的太阳能存储系统支持政策的主要目标如下: a) 客户援助:为有兴趣实施太阳能存储系统的客户提供全面的支持和指导,确保无缝集成和最佳性能。 b) 环境管理:鼓励使用清洁和可再生太阳能,从而减少传统能源对环境的影响并应对气候变化。 c) 能源弹性:通过让客户储存多余的太阳能以便在太阳能发电量低或电网中断期间使用,提高能源弹性。 d) 技术进步:通过与行业合作伙伴合作并支持研发计划,促进太阳能存储技术的创新和持续改进。 e) 3. 咨询和设计支持 a) 免费初步咨询:为客户提供免费的初步咨询,以评估他们的能源需求并确定集成太阳能存储系统的可行性。 b) 定制系统设计:提供适合每个客户特定要求的定制太阳能存储系统设计,同时考虑到能源消费模式和可用的太阳能资源。 c) 财务分析:协助客户进行财务分析,评估采用太阳能储能系统的投资回报和长期成本节约。 4. 优质产品和安装 a) 优质产品:供应以可靠性和性能著称的知名制造商的太阳能储能系统。 b) 专业安装:确保太阳能储能系统由合格和经过认证的技术人员安装,以满足安全和效率标准。 5. 融资选择 a) 灵活的融资解决方案:提供灵活的融资选择,使更广泛的客户能够使用太阳能储能系统,包括租赁、贷款和现收现付计划。 b) 激励援助:帮助客户确定和申请相关的政府激励措施、税收抵免和回扣,以进一步降低太阳能存储装置的前期成本。