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World File Search System晶体
2D材料提升p型晶体管性能，为未来技术铺平道路
宾夕法尼亚州立大学 (PSU) 的研究人员在阿克利工程科学与力学教授 Saptarshi Das 博士的带领下，开发出了基于二维材料的高性能 p 型场效应晶体管 (FET)。这些晶体管是在《自然电子学》杂志上发表的一篇论文中介绍的，是通过一种制造策略创建的，该策略利用了两种二维材料（即二硒化钼 (MoSe 2 ) 和二硒化钨 (WSe 2 )）的掺杂和厚度控制。
对多晶硅垂直薄膜晶体管的电特性的深入分析
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
各向异性热传输在可调的自组装纳米晶超晶体中
*通信：james.utterback@sorbonne-universite.fr摘要实现具有内置纳米级热流动性的可调功能材料是一个重大挑战，可以推进热管理策略。在这里，我们使用时空分辨的热反射率在各向异性AU纳米晶体的自组装超晶体中可视化侧向热传输各向异性。相关电子和热反射显微镜表明，纳米尺度的热量主要沿各向异性纳米晶体的长轴流动，并且在晶粒边界和弯曲的组件上进行了这种情况，而弯曲的组件则干扰热流动。我们通过组成纳米棒的长宽比来精心控制各向异性，并且它超过了纳米双锥体超晶体的纵横比和某些纳米排列。有限元模拟和有效的培养基建模合理地将出现的各向异性行为合理化，以简单的串联电阻模型，进一步提供了一个框架，以估算热各向异性作为材料和结构参数的函数。胶体纳米晶体的自组装有望在使用这种重要材料类别的广泛应用中引导热流的有趣途径。关键字纳米级热传输，胶体纳米晶体，超晶，各向异性，热质融合，时空显微镜
特刊 - 晶体
本期特刊探索了纳米材料这一令人着迷的领域，重点关注其晶体结构、合金以及在核材料和核能中的应用。为此，我们正在寻求利用密度泛函理论 (DFT)、从头算分子动力学 (AIMD) 和其他基于第一性原理的理论框架来研究电子结构和特性的原创研究、评论和观点。纳米级材料由于尺寸减小而具有独特的性能，使其在核应用方面具有吸引力。第一性原理计算提供了对原子级行为的洞察，本期特刊旨在增强我们对晶体结构、合金和纳米级材料在核系统中的性能之间关系的理解。我们邀请研究人员和专家为核材料和核能应用贡献他们对纳米级材料的原创研究。本期特刊的目的是促进跨学科合作，并在核科学和技术的背景下增进我们对纳米级材料的理解。
通过绝缘体上硅的固态脱湿生长的硅纳米晶体的高灵敏度 MIS 结构，可用于太阳能电池和光电探测器应用
Mansour Aouassa、Saud Algarni、Ibrahim Althobaiti、Luc Favre、Isabelle Berbezier。通过固态脱湿绝缘体上硅生长的硅纳米晶体的高灵敏度 MIS 结构，可用于太阳能电池和光电探测器应用。《材料科学杂志：电子材料》，2022 年，33 (24)，第 19376-19384 页。�10.1007/s10854-022-08774-w�。�hal-03988811�
不要再指责纳米晶体阵列中的跳跃传导，而应将其用于主动光子学！
纳米晶体 (NC) 现已成为光子应用的既定基石。然而，它们在光电子学中的集成尚未达到同样的成熟度，部分原因是人们认为瓶颈在于跳跃传导导致的固有有限迁移率。人们做出了巨大努力来提高这种迁移率，特别是通过调整粒子表面化学以实现更大的粒子间电子耦合，并且已经实现了 ≈ 10 cm 2 V − 1 s − 1 的迁移率值。人们承认，这个值仍然明显低于 2D 电子气体中获得的值，但与具有类似约束能的外延生长异质结构中垂直传输的迁移率相当。由于进一步提高迁移率值的前景似乎有限，因此建议应将精力集中在探索跳跃传导带来的潜在好处上。这些优势之一是扩散长度对偏置的依赖性，这在设计基于 NC 的设备的偏置可重构光学响应方面起着关键作用。本文将回顾构建偏置激活设备的一些最新成果，并讨论设计未来结构的基本标准。最终，跳跃传导是产生低无序材料无法提供的新功能的机会。
原子层沉积稳定纳米晶体，使高性能量子点LED
量子点发光二极管（QD-LED）具有稳定的高官方，对于下一代显示至关重要。然而，无法控制的衰老，在储存期间效率最初增加（正衰老），但在延长的衰老（负衰老）（负衰老）时完全损失，这会阻碍进一步的设备开发。发现，基于纳米晶（NC）的电子传输层（ETL）的化学变化会导致正衰老，它们的结构漂移和形态导致瞬时改善的电荷注入平衡。使用放牧的小角度X射线散射，发现Znmgo NCS在衰老过程中进行了量身定量的成熟，改善了尺寸均匀性并创造了更平滑的能量景观。仅电子设备的测量结果显示，陷阱状态下降了7倍，表明Znmgo的表面钝化增强。这些见解，结合了ZnMGO表面结合的密度功能理论计算，激发了具有Al 2 O 3的原子层沉积（ALD）策略，以永久抑制表面陷阱并抑制NC的生长，从而有效地消除了老化诱导的效果损失。这种ALD工程的Znmgo ETL使得在30批LED中可重复可重复可重复的外部量子效应（EQE）为17％，在4500 cd m-2的初始亮度为4500 CD M-2的LED中，t 60 h 60 h，代表EQE的增长1.6倍，并且在运行式稳定性的稳定性上的提高了1.6倍。
使用 S 参数提取封装的 GaN 功率晶体管寄生参数
摘要 — 为了更好地预测功率转换器中晶体管的高频开关操作，必须准确评估这些器件的接入元件，如电阻和电感。本文报告了使用 S 参数对氮化镓 (GaN) 封装功率晶体管进行特性分析，以提取源自欧姆接触和封装的寄生效应。在封装晶体管时，使用在 FR4 印刷电路板 (PCB) 上设计的特定测试夹具设置校准技术，以便从测量的参数中获取晶体管平面中的 S 参数。所提出的方法基于改进的“冷 FET”技术和关断状态测量。它应用于市售的增强型 GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）。将提取的寄生元件与器件制造商提供的参考值进行比较。还评估了结温对漏极和源极电阻的影响。最后，提出了这些寄生效应的电热模型。