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World File Search System晶体
设计氰化物气体检测的光子晶体纤维
摘要：氰化氢气是一种危险而致命的气体，是环境中空气污染的原因之一。这种气体的一小部分会导致中毒并最终死亡。在本文中，设计了一种新的PCF，可提供高灵敏度和低约束性损失，使氰化物气体的吸收波长损失。所提出的结构由位于核心周围的圆形层组成，该圆形层也由圆形微观结构组成。有限元方法（FEM）用于模拟结果。根据结果，PCF的相对灵敏度为65.13％，低约束损失为1.5×10 - 3 db/m，在波长为1.533 µm时。研究了增加氰化物气体浓度对相对灵敏度和限制损失的影响。设计的PCF的高灵敏度和低约束损失表明，这种光学结构可能是在工业和医疗环境中检测这种气体的良好候选者。
纳米材料用于能量和回收 - 晶体
纳米材料和纳米结构由于其高效率而比散装材料高，而且由于它们的高效率而变得显着，但同样，可调的物理，化学和生物学特性为各种应用提供了高级可能性。最近，通过纳米材料对能源和环境问题的应用是最有吸引力的研究领域。此外，回收是减少废物并使其可持续的策略之一。纳米结构材料在可重复使用和分离元件的情况下显示出更好的可持续性。本期特刊将集中于有关纳米材料的纳米材料的合成，光学性质，制造，分离和回收应用的最新发展。因此，我们想邀请您提交本期特刊的原始研究文章和评论。
交换运动 - 纳米晶体的双向双胞胎
引言双胞胎是响应外部刺激的材料的最常见结构转换之一，包括机械载荷（1），电子束或离子照射（2，3），激光震动（4）和加热（5）。纳米晶体可能会产生较高的特性，例如优异的机械强度（6），改善的热稳定性（7），高电导率（8），显着的光发射（9）和增强的催化活性（10）。了解纳米晶体中的孪生机制可以使纳米材料具有所需特性的结构工程。传统的智慧认为，双胞胎通过在相邻原子平面上的部分位错的一层移动来进行（11）。在外部机械载荷下的孪生二胎涉及非常规的机制，被描述为部分位错的随机激活（12），同时激活部分位错（13）或洗牌机制（14）。转化孪生型对不太了解。假定纳米晶体的转化是通过传统变形孪生机制进行的（11）。但是，该主张缺乏直接证据。转化双胞胎需要外部能量才能克服能量屏障（2-5）。注入外部能量（15，16），例如在热退火和电子或离子辐照过程中，为纳米晶体中的双胞胎形成提供了机会。这表明纳米晶体的双胞胎可能表现出受动力学控制的非常规途径。但是，由于部分脱位/滑移的速度被认为是按时间尺度出现的速度（17），因此同时意识到双重激发和原子成像仍然是技术挑战。在这项工作中，以面部为中心的立方铅（PB）纳米颗粒作为模型系统，我们使用
16 bit 模数转换器TM7706 - NET
注释： 1.B 级温度范围为 -40 ℃ ~+85 ℃。 2.这些数据是按最初设计的产品发布的。 3.一次校准实际上是一次转换，因此这些误差就是表 1 和表 3 所示转换噪声的阶数。这 适用于在期望的温度下校准后。 4.任何温度条件下的重新校准将会除去这些漂移误差。 5.正满标度误差包括零标度误差 （ Zero-Scale Error ）（单极性偏移误差或双极性零误 差），且既适用于单极性输入范围又适用于双极性输入范围。 6.满标度漂移包括零标度漂移 （单极性偏移漂移或双极性零漂移）且适用于单极性及 双极性输入范围。 7.增益误差不包括零标度误差，它被计算为满标度误差——对单极性范围为单极性偏移 误差，而对双极性范围为满标度误差——双极性零误差。 8.增益误差漂移不包括单极性偏移漂移和单极性零漂移。当只完成了零标度校准时，增 益误差实际上是器件的漂移量。 9.共模电压范围：模拟输入电压不超过 V DD +30mV ，不低于 GND-30mV 。电压低于 GND-200mV 时，器件功能有效，但在高温时漏电流将增加。 10.这里给出的 AIN （ + ）端的模拟输入电压范围，对 TM7706 而言是指 COMMON 输入 端。输入模拟电压不应超过 V DD +30mV, 不应低于 GND-30mV 。 GND-200mV 的输入 电压也可采用，但高温时漏电流将增加。 11.VREF=REF IN （ + ）－ REF IN （ - ）。 12.只有当加载一个 CMOS 负载时，这些逻辑输出电平才适用于 MCLK OUT 。 13.+25 ℃时测试样品，以保证一致性。 14.校准后，如果模拟输入超过正满标度 , 转换器将输出全 1, 如果模拟输入低于负满标度， 将输出全 0 。 15.在模拟输入端所加校准电压的极限不应超过 V DD +30mV 或负于 GND － 30mV 。 16.当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时 （通过 MCLK 引脚 ）， V DD 电流和功耗 随晶体和谐振器的类型而变化 （见“时钟和振荡器电路”部分）。 17.在等待模式下，外部的主时钟继续运行， 5V 电压时等待电流增加到 150 μ A ， 3V 电 压时增加到 75 μ A 。当用晶体或陶瓷谐振器作为器件的时钟源时，内部振荡器在等待 模式下继续运行，电源电流功耗随晶体和谐振器的类型而变化 （参看“等待模式” 一节）。 18.在直流状态测量，适用于选定的通频带。 50Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波 为 25Hz 或 50Hz ）。 60Hz 时， PSRR 超过 120dB （滤波器陷波为 20Hz 或 60Hz ）。 19.PSRR 由增益和 V DD 决定，如下：
基于拓扑光子晶体的紧凑型片上功率分配器(1)-xg-0222.docx
摘要：提出并演示了一种基于拓扑光子晶体（TPC）的单片硅光子平台上的片上1×N功率分配器。得益于具有不同拓扑相位的TPC界面处的谷底锁定传播模式，所提出的功率分配器在急弯处具有可忽略的后向散射，并且对制造缺陷具有良好的稳健性，因此与传统设计相比，插入损耗更低、均匀性更好、占用空间更紧凑。对于制备的1×2（8）功率分配器，输出端口之间的均匀性低于0.35（0.65）dB，最大插入损耗为0.38（0.58）dB，紧凑占用空间为5×5 µm 2（10×12 µm 2 ），带宽为70 nm。此外，拓扑功率分配器仅需要具有不同拓扑相位的TPC的简单配置，与传统设计相比，设计和制造更可靠。
可增强X射线辐射的自由电子晶体| dr-ntu
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表面辅助2D，DNA二元晶体的自组装
需要控制以定义设备性能的大小参数。第五组元素二晶曲是一种特殊的材料，在III - V材料生长8中既充当表面活性剂，又是许多量子材料中的组成部分。9从第一个原则计算中，众所周知，如果将BI纳入具有诱导非平地拓扑特性的其他III - V化合物频段Invers Invers Invers 10中，则基于III III-BI Alloys的组合。inas作为III - V半导体系统之一，以优于标准的基于SI的技术。这种化合物对于红外探测器，14个低功率电子15和量子计算具有很大的潜力。1 INA通常在锌混合物（ZB）结构中结晶，但也可以在低维结构中生长在Wurtzite（WZ）相。这为基于带隙异质结构16,17的探索和创建新型设备打开了大门，以及较低的临时和大气条件的敏感性。试图将BI纳入INAS晶格时，出现了18个困难。由INBI区域和INAS 10区域之间的较大的混乱差距是由各自的四方和立方晶格结构产生的，在散装材料的生长过程中会产生BI ADATOM的相位分离和群集。19
采用范德华NbOCl2晶体的超薄量子光源
二维材料中的层间电子耦合可通过堆叠工程实现可调和的突发特性。然而，它也会导致二维半导体电子结构的显著演变和激子效应的衰减，例如当单层堆叠成范德华结构时，过渡金属二硫属化物中的激子光致发光和光学非线性会迅速降低。这里我们报告了一种范德华晶体——二氯化氧化铌 (NbOCl 2 )，其特点是层间电子耦合消失，块体形式下具有单层状激子行为，以及比单层 WS 2 高三个数量级的可扩展二次谐波产生强度。值得注意的是，强二阶非线性使得能够通过自发参量下转换 (SPDC) 过程在薄至约 46 纳米的薄片中产生相关参量光子对。据我们所知，这是第一个在二维层状材料中明确展示的 SPDC 源，也是有史以来报道的最薄的 SPDC 源。我们的工作为开发基于范德华材料的超紧凑片上 SPDC 源以及经典和量子光学技术中的高性能光子调制器开辟了一条道路 1–4 。
2D 晶体管有多好？特定应用的基准研究
图 2. 使用宽度归一化导通电流除以源漏电场与栅极场感应载流子浓度，对 HP 晶体管类别中的一组 2D FET 演示进行性能基准测试。1L：单层。>3L：厚度超过三层。2020 IRDS HP：IRDS 预计的 5 纳米节点高性能逻辑晶体管规格。2020 IRDS HD：IRDS 预计的 5 纳米节点高密度或低功耗逻辑晶体管规格。带有叠加“×”的数据点表示 I Max /E SD 是从输出特性（I DS 与 V DS ）的线性区域中提取的情况，因此与来自饱和状态的其他点相比可能被夸大。插图：底部栅极 2D FET 的示意图（添加了顶部栅极，在某些报告的设备中使用），其中突出显示了关键参数。 12,51,53-65