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World File Search System晶圆良率
基于颜色空间变换模型的晶圆颗粒计算机视觉检测技术
结果表明，由于背景图像噪声比颗粒尺寸更占主导地位，因此无法辨别晶圆上的颗粒。另一方面，所提出的方法可以以最小的串扰检查晶圆表面，并且使用实验定义的 HSV 颜色空间模型，可以按类型分离颗粒。生成的图像在视觉上清晰，没有颗粒和背景之间的串扰。所提出的方法简单、快速且易于使用，并表现出良好的颗粒分类性能。因此，该方法有望用于晶圆缺陷检测步骤，增强晶圆缺陷分类过程。
混合晶圆键合中的 CMP 挑战回顾...
ST Microelectronics 和 LETI：S. Lhostis、A. Farcy、E. Deloffre、F. Lorut 等人在拉斯维加斯电子元件和技术会议 ECTC 上发表演讲（2016 年）。
2021 年 InP 晶圆、外延片和器件市场
3) 市场趋势 89 市场细分 InP 行业：发展时间表 InP 应用市场概览 技术概览、每种应用的经济要求 4) 市场份额和供应链 188 光子学和射频应用的 InP 供应链和商业模式 主要参与者和格局 不同地理区域主要晶圆和外延片参与者的映射 InP 裸片市场份额 打开 InP 外延片市场份额 InP 晶圆市场份额 公司简介：II-V、Lumentum、LandMark、Sumitomo、AXT、InPact、Denselight、Smart Photonics 5) InP 技术趋势 215 器件 • 基于 InP 的器件概览：光子学、集成 SiPh 和 PIC 和 RF 器件 外延 • 外延生长方法 • 关注 DFB 外延生长 • 讨论外延要求 晶圆 • InP 晶体生长方法 • 晶圆精加工 • 基板尺寸和类型 6) 展望 286 总结 7) 附录 291 8) Yole 集团公司介绍
采用 Smart Cut 技术的更环保的 SiC 晶圆
在使用我们的 Smart Cut 技术生产 SiC 基板时，我们发现优化键合步骤对于实现高水平的电导率和热导率至关重要。我们的研究表明，键合界面对总基板电阻的贡献相当于标准 SiC 材料的几十微米。在 Smart Cut 将薄片 SiC 从供体基板分割并转移到载体基板后，我们采用了精加工工艺，以确保通过抛光和退火，我们新形成的基板已准备好进行外延处理并与 SiC 器件加工兼容。请注意，我们的 Smart Cut SiC 技术生产的晶圆顶层没有基面位错（见图 2 和 3）。
溅射多孔 Pt 用于晶圆级制造低温...
1. 莱斯大学电气与计算机工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 2. 莱斯大学应用物理项目，美国德克萨斯州休斯顿 77005 3. 莱斯大学生物工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 4. 贝勒医学院神经科学系，美国德克萨斯州休斯顿 77030 摘要
半导体晶圆键合：科学、技术与应用 17
T. Wernicke、B. Rebhan、V. Vuorinen、M. Paulasto-Krockel、V. Dubey、K. Diex、D. Wünsch、M. Baum、M. Wiemer、S. Tanaka、J. Froemel、KE Aasmundtveit、HV Nguyen、V. Dragoi
山东晶导微电子股份有限公司首次公开发行股票并在创业 ...
声明 ................................................................................................................................................................ 1
程良教授
学术出版物（精选） 1. Pei, ZF; Lei, HL; Cheng, L.* ，用于癌症治疗诊断的生物活性无机纳米材料。化学学会评论 2023, 52 (6), 2031-2081。 2. Lei, HL; Li, QG; Li, GQ; Wang, TY; Lv, XJ; Pei, ZF; Gao, X.; Yang, NL; Gong, F.; Yang, YQ; Hou, GH; Chen, MJ; Ji, JS*; Liu, Z.*; Cheng, L.* ，具有 STING 活化双重扩增的锰钼酸盐纳米点用于金属免疫治疗的“循环”治疗。生物活性材料 2024, 31, 53-62。 3. Wang, YJ; Gong, F.*；Han, ZH; Lei, HL; Zhou, YK; Cheng, SN; Yang, XY; Wang, TY; Wang, L.; Yang, NL; Liu, Z.; Cheng, L.*，缺氧氧化钼纳米增敏剂用于超声增强癌症金属免疫治疗。Angewandte Chemie-International Edition 2023, 62, e202215467 4. Wang, L.; Zhang, BR; Yang, XT; Guo, ST; Waterhouse, GIN; Song, GR; Guan, SY*; Liu, A. H*.; Cheng, L.*；Zhou, SY，通过阿托伐他汀-铁蛋白Gd层状双氢氧化物有针对性地缓解缺血性中风再灌注。生物活性材料 2023, 20, 126-136。 5. Wang, L.；Mao, Z.；Wu, J.；Cui, XL；Wang, YJ；Yang, NL；Ge, J.； Lei, HL; Han, ZH; Tang, W.; Guan, SY; Cheng, L.*，设计层状双氢氧化物基声催化剂以增强声动力免疫治疗。纳米今日 2023, 49。6. Cheng, SN; Chen, L.; Gong, F.; Yang, XY; Han, ZH; Wang, YJ; Ge, J.; Gao, X.; Li, YT; Zhong, XY; Wang, L.; Lei, HL; Zhou, XZ; Zhang, ZL*; Cheng, L.*，具有炎症微环境调节功能的 PtCu 纳米声敏剂可增强声动力细菌消除和组织修复。先进功能材料 2023, 33, 2212489 7. Wang, ZK; Zhang, P.; Yin, CY; Li, YQ; Liao, ZY; Yang, CH; Liu, H.; Wang, WY; Fan, CD*; Sun, DD*; Cheng, L.*，抗生素衍生的碳纳米点修饰水凝胶通过生物膜损伤增强活性氧的抗感染作用。先进功能材料 2023, 33, 2300341
200 毫米晶圆级集成高性能多晶 MoS 2 薄膜晶体管
在生长过程中，腔体压力和晶圆温度分别保持在 5.0 托和 800 o C。我们采用脉冲注入策略来调节二次成核并实现逐层生长模式。每个反应循环包括 2 分钟所有前体共注入，然后中断前体并清洗 1 分钟，循环时间为 3 分钟。通过五个生长循环获得了晶圆级多晶 MoS 2 薄膜；因此，总生长时间为 15 分钟。
198/192 系列 200 毫米晶圆运输载具
晶圆加工技术的趋势要求晶圆载体技术不断进步，以支持当今先进的半导体加工设施。我们的 198/192 系列 200 毫米晶圆运输载体可满足当今 200 毫米晶圆厂的自动化、污染控制和生产力要求。这些开放式侧壁晶圆载体专为先进的晶圆运输而设计，与传统的中低端晶圆载体相比，具有显著的性能优势，包括精确的晶圆存取、可靠的设备操作和安全的晶圆保护。