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通过辐照在非晶硅中制备的纳米粒子尺寸越小，越软……
“越小越软”是强度的逆尺寸依赖性，违背了“越小越强”的原则。它通常由表面介导的位移或扩散变形引起，主要存在于一些超小尺度（几十纳米以下）的金属材料中。在这里，利用离子束辐照的表面改性，我们在更大尺寸范围（< ∼ 500 纳米）的共价键、硬而脆的材料非晶硅（a-Si）中实现了“越小越软”。它表现为从准脆性破坏到均匀塑性变形的转变，以及在亚微米级范围内随着样品体积的减小而屈服应力的降低。提出了一个硬核/超塑性壳的分析模型来解释人为可控的尺寸相关软化。这种通过离子辐照的表面工程途径不仅对于调整小尺寸非晶硅或其他共价结合非晶态固体的强度和变形行为特别有用，而且对于非晶硅在微电子和微机电系统中的实用性也具有实际意义。© 2023 由 Elsevier Ltd 代表《材料科学与技术杂志》编辑部出版。
利用导电氧化物界面实现电阻式随机存取存储器
二维电子气 (2DEG) 可在某些氧化物界面处形成，为创造非凡的物理特性提供了肥沃的土壤。这些特性可用于各种新型电子设备，例如晶体管、气体传感器和自旋电子器件。最近有几项研究展示了 2DEG 在电阻式随机存取存储器 (RRAM) 中的应用。我们简要回顾了氧化物 2DEG 的基础知识，强调了可扩展性和成熟度，并描述了从外延氧化物界面（例如 LaAlO 3 /SrTiO 3 ）到简单且高度可扩展的非晶态-多晶系统（例如 Al 2 O 3 /TiO 2 ）的最新发展趋势。我们批判性地描述和比较了基于这些系统的最新 RRAM 设备，并强调了 2DEG 系统在 RRAM 应用中的可能优势和潜力。我们认为当前的挑战是围绕从一个设备扩展到大型阵列，其中需要在串联电阻降低和制造技术方面取得进一步进展。最后，我们列出了基于 2DEG 的 RRAM 所带来的一些机遇，包括增强的可调性和设计灵活性，这反过来可以为多级功能提供优势。
晶体化学教学大纲.pdf
1.固体的结构类型 α) 金属和非金属 β) 二元化合物： AB, AB 2 , AB 3 , A 2 Β 3 , A x B y γ) 三元化合物： ABX 2 , ABX 3 , AB 3 , AB 2 Χ 4 , A 2 ΒΧ 4，AB 2 Χ 2 δ) 金属间化合物和Zintl 相ε) 模块化化合物：多型体、同系系列和失配层状化合物2. 能带结构（基于R. Hoffmann 评论）。 α) 从分子轨道开始构建“意大利面条”图。 β) 电子不稳定性（Peierls 畸变、Jahn-Teller 效应） γ) 态密度、能带折叠、直接和间接带隙 δ) 量子限制：低维材料、量子阱、量子线、量子点 3. 晶体中的非化学计量和缺陷 α) 非化学计量和扩散。热淬火、烧结和退火。 β) 相图、共晶、调幅分解和固溶体。 γ) 相变。无机固体、晶体和非晶态固体中的相变。 4. 合成方法 α) 固相合成、湿法合成、溶剂热合成 β) 晶体生长 从熔体、溶液和蒸汽传输中生长。
内部锂丝生长引起的固体电解质电化学机械失效
使用高剪切模量的固体电解质被认为是抑制锂枝晶形成并同时保证电池高安全性的最有前途的方法。[9] 尽管在提高固体电解质的高离子电导率方面取得了重大进展，但固态电池在实际工业条件下，特别是高功率系统下的运行尚未实现。[10] 一旦施加的电流密度超过某个值（该值被定义为临界电流密度），锂丝（或锂枝晶）通过固体电解质的扩展将引发电池故障。[11] 当锂丝连接阳极和阴极时，锂丝的生长会导致界面物理接触失败、固体电解质机械性能下降，甚至导致电池短路。 [12] 各种固体电解质均已报道了此类失效过程，包括石榴石 Li 7 La 3 Zr 2 O 12 (LLZO)、[13] 非晶态 70Li 2 S-30P 2 S 5 玻璃、[14] 银锗矿 (Li 6 PS 5 Cl) [15] 和钠超离子导体类型（NASICON，例如 Li 1 + x Al x Ge 2 − x (PO 4 ) 3 ）。[16]
增材制造的进步
Prof. Dr.-Ing. Prashanth Konda Gokuldoss (KG Prashanth) 现担任爱沙尼亚塔林理工大学增材制造实验室主任兼教授。他的研究领域包括制造和生产工程（包括但不限于增材制造、粉末冶金、铸造和锻造）、材料科学、冶金学、材料机械测试、材料热处理、复合材料、焊接冶金学、凝固等）。他曾在各种国内和国际会议、研讨会和研讨会上发表过多次主题演讲、受邀演讲、口头和海报展示。他曾获得过多个奖项，包括印度金属研究所布巴内什瓦尔分会颁发的 SK Tamotia 铝冶金研究奖、意大利罗马第 25 届亚稳态、非晶态和纳米结构材料国际研讨会颁发的 2018 年 ISMANAM 青年科学家奖等。他在同行科学评审的国际期刊上发表了近 175 篇研究论文，H 指数为 41，引用次数为 7,200（谷歌学术）。此外，他被 2019/2020/2021 年斯坦福调查评为全球前 2% 的材料科学家。
Ruobing Bai
1. Y. Wang, Z. Wei, T. Ji, R. Bai, H. Zhu，“用于柔性固态超级电容器的高离子导电、可拉伸和坚韧的离子凝胶”。Small，2023 年。2. D. Cao, T. Ji, Z. Wei, W. Liang, R. Bai, KS Burch, M. Geiwitz, H. Zhu，“通过自调节内部压力提高无阳极固态电池的锂剥离效率”。Nano Letters，2023 年。3. Z. Wei, P. Wang, R. Bai，“多畴液晶弹性体中的热机耦合”。应用力学杂志，2024 年。4. Y. Xiao, Q. Li, X. Yao, R. Bai, W. Hong, C. Yang，“具有动态共价键的非晶态水凝胶的疲劳”。 Extreme Mechanics Letters，2022 年。5. Z. Wei、R. Bai，“光活性液晶弹性体的温度调节光机械驱动”，Extreme Mechanics Letters，2022 年。6. R. Bai、E. Ocegueda、K. Bhattacharya，“光活性半结晶聚合物中的光化学诱导相变”。Physical Review E，2021 年。
AI4MAT-ICLR-2025：ICLR 2025 人工智能研讨会
我们提议在 ICLR 2025 上举办一个全天中型研讨会，题为“加速材料设计的人工智能”（AI4Mat-ICLR-2025）。该研讨会将成为人工智能与材料科学交叉领域的研究人员使用人工智能驱动的技术解决紧迫科学挑战的场所，如图 1 所示。人工智能正在开始彻底改变材料科学与工程，推动学术和政府机构（美国国家标准与技术研究所 (NIST)，2024 年；多伦多大学，2024 年；mol，2023 年；宾夕法尼亚州立大学，2024 年；美国国家科学基金会 (NSF)，2024 年）和企业研究实验室（IBM Research，2024 年；默克集团，2023 年；微软研究，2024 年；FAIR Chem，2024 年）的全球重大研究计划，同时还出现了几家由人工智能驱动的材料发现初创公司（Radical AI，2024 年；CuspAI，2024 年；PhaseTree，2024 年；Entalpic AI， 2024；轨道材料，2024）。为了促进这些不同利益相关者之间的合作，我们的研讨会将采用包容性材料设计方法，涵盖晶体、聚合物、分子、纳米材料、非晶态材料和高熵材料等多种物质形式。这种整体方法将确保全面的讨论，并促进材料领域的新方向。
快速热退火对纳米级 MOSFET 技术中超薄高 k HfO2 薄膜性能影响的研究
研究了快速热退火对射频溅射系统沉积的高 k HfO 2 超薄膜结构和电学性能的影响。分别在氧气和氮气环境下研究了薄膜特性以获得最佳快速热退火温度，以获得作为 MOS 器件结构的最佳电学效果。使用傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 详细研究了温度诱导退火对 HfO 2 /Si 界面的影响。分别通过椭圆偏振仪、XRD 和 AFM 研究了薄膜厚度、成分和微观结构，并显示了退火对这些参数的影响。采用 Si/HfO 2 /Si MOS 电容器结构研究了退火电介质薄膜的 I-V 和 C-V 特性。结果表明，在氮气环境下采用快速热退火 (RTA) 的 HfO 2 /Si 堆栈比在氧气环境下表现出更好的物理和电学性能。结果表明，RTA 改善了 HfO 2 /Si 的界面特性和 HfO 2 超薄膜的致密化。在氮气和氧气中分别以 700 C 退火后，沉积的薄膜为非晶态和正交晶系。我们发现，氮气退火样品的等效氧化物厚度、界面态密度、电容-电压滞后和漏电流均有所降低；此外，在正电压偏置和温度应力下，电荷俘获也几乎可以忽略不计。本文对结果进行了介绍和讨论。2011 Elsevier BV 保留所有权利。
使用超快激光器的晶体硅的无形化和消融：对脉冲持续时间和辐照波长的依赖性
使用激光器以高空间精度实现硅中受控的晶体相变，承诺在包括硅光子学在内的半导体技术中新的制造溶液。最近的改善非晶厚度位置超快激光器作为应对当前挑战的最佳工具。在这里，审查了有关硅转化的文献，并与新的实验数据相辅相成。这包括非晶态和消融响应，这是脉冲持续时间的函数（𝝉 = 13.9至134 fs 𝝀 = 800 nm）和激光波长（𝝀 = 258至4000 nm，𝝉 = 200 fs脉冲）。对于脉冲持续时间依赖性的SI研究（111），非晶化的阈值随持续时间较短而降低，强调了在考虑条件范围内非线性吸收的显着性。对于波长依赖性研究，非晶化阈值从𝝀 = 258急剧增加到1030 nm，其次是接近恒定的行为至𝝀 = 3000 nm。相反，在这些指定的范围内的消融阈值增加。还讨论了在Si（111）和Si（100）上获得的非晶化厚度的差异，并识别出异常大的宽度范围，以在𝝀 = 258 nm处进行非晶化。最后，解决了与相互作用非线性无关的横向分辨率的问题。
高度有序的相超分子材料
高效的长距离能量传输对于光电和光收集设备至关重要。尽管有机分子的自组装纳米纤维表现出较长的激子扩散长度，但将这些纳米纤维排列成具有相似性质的大型有序域的薄膜仍然是一个挑战。本文展示了如何用离散长度的寡二甲基硅氧烷（o DMS）侧链对 C3 对称羰基桥接三芳胺三酰胺 (CBT) 进行功能化，从而形成完全覆盖的表面，其中排列的域最大可达 125 × 70 μ m 2，可在其中进行长距离激子传输。域内的纳米级形貌由高度有序的纳米纤维组成，纳米纤维在柔软的非晶态 o DMS 基质内具有离散的柱间距。o DMS 可防止 CBT 纤维捆绑，从而减少 CBT 柱内的缺陷数量。因此，这些柱具有高度的相干性，导致激子扩散长度为几百纳米，激子扩散率（≈ 0.05 cm 2 s − 1）与结晶四苯并菲相当。这些发现代表了通过使用 o DMS 功能化实现高度对齐的纳米纤维完全覆盖表面的下一步。