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World File Search System晶片
引用（APA）Stehouwer，L。E. A.，Tosato，A.，Degli Esposti，D.，Costa，D.，Veldhorst，M.，Sammak，A。，＆Scabpucci，G。（2023）。
我们通过在100 mm ge晶片上减少压力化学蒸气沉积来生长紧张的GE/SIGE异质结构。将GE晶片用作外部延长的底物可以使高质量的GE富含SIGE应变 - 释放的缓冲液具有螺纹位错密度为ð66 6 61Þ10 5 cm 2，与SI Wafers上的控制应变缓冲区相比，几乎是一个数量级的改善。相关的短距离散射的减少可以极大地改善二维孔气体的疾病性能，该特性在几个GE/SIGE异质结构领域效应的晶体管中测量。We measure an average low percolation density of ð 1 : 22 6 0 : 03 Þ 10 10 cm 2 and an average maximum mobility of ð 3 : 4 6 0 : 1 Þ 10 6 cm 2 = Vs and quantum mobility of ð 8 : 4 6 0 : 5 Þ 10 4 cm 2 = Vs when the hole density in the quantum well is satu- rated to ð 1 : 65 6 0 : 02 Þ 10 11 cm 2 。我们预计，这些异质结构即时应用于下一代，高性能的GE旋转量，并将其集成到更大的量子处理器中。
在灵活的标签中整合超薄的si死亡
在整合超薄硅在柔性膜中死亡的发展导致了新的范式。的确，由于设备的薄和灵活性，可以想象可以在任何对象围绕任何对象添加函数而不会改变其方面[1-5]。当前，在市场上主要的柔性电子产品中，组件之间的电子轨道仅具有灵活性。这是由于硅成分已经包装或太厚的事实。为了获得充分的设备，必须将硅模具变细至小于100µm。可以处理三种格式以构建灵活的电子系统：色带，面板或晶圆。前两种格式针对大型设备进行了良好的适应，较低的成本，并且允许高吞吐量。这些格式的图案分辨率是公平的。与硅晶片合作有助于实现高分辨率的集成分辨率。硅晶片非常适合灵活的风扇外包包装，这有助于建立一个混合面板基板的异质，灵活的系统，包括印刷设备和互连网络与硅电子模具，集成在小型柔性标签中。
磁性纳米催化剂通过电子密度调节增强肿瘤处理
不用使用均匀高度的硅晶片，而是说：“您使硅变薄，例如150纳米，但仅在特定区域。这些高度变化（没有任何其他材料）提供了一种控制光线通过芯片传播的方法，因为高度的变化可以分布以使光线以特定的模式散射，从而使芯片能够以光速度执行数学计算。
第2章 - 硅微加工
2.1硬制造考虑。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.1.1传统MEMS材料。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。20 2.1.2硅。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。21 2.2光刻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。26 26 2.2.1掩码创建。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。27 27 2.2.2晶圆清洁。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 28 2.2.3二氧化硅热硅。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。28 2.2.4抵抗应用。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。31 2.2.5紫外线曝光。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。33 2.62.6开发。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>35 2.2.7技术考虑。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>36 2.3蚀刻方法。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。 div>。38 2.3.1可用技术。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 2.3.2等离子体蚀刻（PE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。38 2.3.3反应离子蚀刻（RIE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。39 2.3.4物理溅射（PS）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。42 2.3.5离子束铣削（IBM）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43 2.3.6反应性离子梁蚀刻（RIB）和化学辅助离子束蚀刻（Caibe）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43 2.4薄膜沉积过程。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 45 2.4.1物理蒸气沉积（PVD）。 。 。42 2.3.5离子束铣削（IBM）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 2.3.6反应性离子梁蚀刻（RIB）和化学辅助离子束蚀刻（Caibe）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。43 2.4薄膜沉积过程。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 2.4.1物理蒸气沉积（PVD）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。45 2.4.2化学蒸气沉积。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。51 2.5离子植入。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。53 2.6湿泡表面微加工。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。54 2.6.1硅晶片。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 55 2.6.2各向同性和各向异性蚀刻。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 57 2.6.3选择硅晶片方向。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。54 2.6.1硅晶片。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。55 2.6.2各向同性和各向异性蚀刻。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。57 2.6.3选择硅晶片方向。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。57 2.6.3选择硅晶片方向。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。58 2.6.4具有牺牲层的3D结构。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。60 2.7干式表面微加工。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。63 2.7.1深反应离子蚀刻（DRIE）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。63 2.7.2单晶反应性etking和金属化（尖叫）64 2.7.3 Liga和UV-Liga。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.8己二。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.9电镀。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。65 2.10底物键合。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。68
短脉冲激光辅助制造Si-Sio2微冷却装置
摘要：热管理是最苛刻的检测器技术和微电子学的未来的主要挑战之一。微流体冷却已被提议作为现代高功率微电子中热量耗散问题的完全集成解决方案。基于硅的微流体设备的传统制造涉及用于表面图案的先进的，基于面膜的光刻技术。此类设施的有限可用性阻止了广泛的开发和使用。我们演示了无掩模激光写作的相关性，以有利地替换光刻步骤并提供更原型的过程流。我们使用脉冲持续时间为50 ps的20 W红外激光器雕刻并钻出525 µm厚的硅晶片。阳极键与SIO 2晶片用于封装图案表面。机械夹紧入口/出口连接器完成了完全操作的微动设备。该设备的功能已通过热流体测量验证。我们的方法构成了一个模块化的微观分化解决方案，该解决方案应促进针对共同设计的电子和微流体的新概念的原型研究。
短脉冲激光辅助制造 Si-SiO2 微冷却装置
摘要：热管理是要求最高的探测器技术以及未来微电子技术面临的主要挑战之一。微流体冷却已被提议作为现代高功率微电子散热问题的全面解决方案。传统的硅基微流体设备制造涉及先进的基于掩模的光刻技术，用于表面图案化。此类设施的有限可用性阻碍了其广泛开发和使用。我们展示了无掩模激光写入的相关性，它可以有利地取代光刻步骤并提供更适合原型的工艺流程。我们使用脉冲持续时间为 50 ps 的 20 W 红外激光器雕刻和钻孔 525 µ m 厚的硅晶片。使用阳极键合到 SiO 2 晶片来封装图案化表面。机械夹紧的入口/出口连接器使完全可操作的微冷却装置得以完成。该装置的功能已通过热流体测量验证。我们的方法构成了一个模块化微加工解决方案，可以促进共同设计的电子和微流体新概念的原型研究。
