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2022 年秋季市场更新 - McGriff 保险
自 2021 年第一季度以来，沿海房地产市场受到严重影响，即使是干净的账户、受限制的条款（屋顶 ACV、洪水/EQ 和 DIC 政策的可用性、更高的百分比和每次事故免赔额、距离海岸要求），费率也上涨了 25% 以上。大多数承运人不会增加太多运力，因此即使是 TIV 较低的时间表也必须分层和/或共享和分层。通常，超额选项很有竞争力，但第一层很难。通货膨胀和材料成本的增加正在推高建筑 ITV 限额，因此，在考虑提高费率之前，保费就已经上涨了。飓风伊恩预计将造成 500 亿至 750 亿美元的损失，这只会加剧房地产市场的费率和运力。非沿海暴露物业的影响仍有待确定，直到大多数条约在 2023 年 1 月 1 日之后续签。
2022 年秋季市场更新 - McGriff 保险
自 2021 年第一季度以来，沿海房地产市场受到严重影响，即使是干净的账户、受限制的条款（屋顶 ACV、洪水/EQ 和 DIC 政策的可用性、更高的百分比和每次事故免赔额、距离海岸要求），费率也上涨了 25% 以上。大多数承运人不会增加太多运力，因此即使是 TIV 较低的时间表也必须分层和/或共享和分层。通常，超额选项很有竞争力，但第一层很难。通货膨胀和材料成本的增加正在推高建筑 ITV 限额，因此，在考虑提高费率之前，保费就已经上涨了。飓风伊恩预计将造成 500 亿至 750 亿美元的损失，这只会加剧房地产市场的费率和运力。非沿海暴露物业的影响仍有待确定，直到大多数条约在 2023 年 1 月 1 日之后续签。
工业日 2023 年 12 月 7 日 - 军事海运司令部
快速招标流程：所有 MSC 船舶维修要求将通过直接电子邮件向每个 FLCY 站点的 MSRA/ABR 持有者征求。招标也将在 SAM.gov 上发布。对于超过简化采购门槛 (SAT)（超过 25 万美元）的要求，除非获得豁免，否则将至少提前 30 天征求。 问答：对于招标中任何不清楚的方面，投标人可以使用规范澄清请求、附件 J-4 来请求澄清任何工作项目规范或合同条款。政府将对招标截止日期前收到的问题作出答复。 招标修订：所有修订将通过电子邮件发送给 MSRA/ABR 持有者。投标人必须连同其报价一起提交一份签署的招标修正案。 价格提案：应包括拟议的工时、人工费率、材料成本和其他直接成本的详细信息。提案提交要求将在主招标书 L 部分 - 投标人说明、条件和通知中提供。
熔融锂黄铜/氯化锌系统高 -
摘要电池具有高安全性，低成本和合理的能量密度对于网格尺度存储至关重要，并且仍然难以捉摸。在这里，我们报告了使用石榴石型锂离子固体固体电元素，锂阳极和黄铜/Zncl 2 PORTODE的固体电解质液锂/氯化氯化物/氯化锌（卖出涂料/Zncl 2）电池。细胞反应的化学和在排放状态中组装的能力具有很高的安全性。低成本ZNCL 2阴极的使用可以意识到低细胞材料成本为$ 16 kWh 1。采用锂阳极果仁的高理论能量密度为750 WH kg 1和2,250 WH 1。此外，通过将黄铜粉末用作阴极中的锌源，成功解决了Zn颗粒生长问题，并且可以获得电池的良好循环稳定性。作为完整的细胞性能和可伸缩性也可以验证，我们的卖出包装/ZNCL 2电池在网格储能中的实际使用可能很高。
低成本高级包装和粘合晶片应用
抽象的高级包装技术继续使半导体行业能够满足移动设备和其他高性能应用所需的较薄，更小，更快的组件的需求。但是，由摩尔定律驱动的芯片I/O计数的增加以及低于10nm的FinFET的能力对现有的高级包装过程提出了许多其他挑战。与摩尔定律不同，该法律预测密集综合电路中的晶体管数量大约每两年两倍，高级包装正在经历另一种“法律”；在晶体管的数量增加的情况下，它的功能数量增加，在最终产品的最终量限制下驱动技术路线图的数量不断减少。不可避免地，随着功能的增加，过程的复杂性和成本也随之增加。在这个非常敏感的高级包装舞台上，外包半导体组件和测试供应商（OSAT）需要通过降低其制造成本来补偿。这要求OSAT降低材料成本，增加吞吐量，产量并寻找减少过程步骤数量的新方法。OSAT降低材料成本的方式之一是从后端处理中除去硅晶片。使用环氧霉菌化合物（EMC）创建重构的晶片，或使用玻璃载体。在玻璃载体的情况下，通常情况下，骰子面朝下固定在载体上，然后进行处理，即使使用红外（IR）成像，也可以防止从复合堆栈的顶部看到前侧图案。在这种特殊情况下，在对齐标记上的光孔器中定义了一个其他光刻的“清除”窗口，因此可以将不透明的膜从对齐标记处蚀刻出来，距离剥去的距离，并重新设计了光刻层。这种额外的处理显然是昂贵且耗时的。本文特别关注基于步进的光刻解决方案的概念，方法和性能，该解决方案利用光孔潜在图像为光刻过程提供了临时的对齐标记，从而消除了对附加图案和蚀刻步骤的需求。这个革命性系统采用了背面摄像头，可以对齐在载体中死亡。一个单独的曝光单元，校准了对齐摄像头中心，曝光了临时潜在图像目标，然后在正常的步进光刻操作过程中由系统的常规比对系统检测到该目标。详细讨论了对齐，覆盖和潜在图像深度控制的性能数据。最终分析证明，<2µm的覆盖层很容易实现，对系统吞吐量没有影响。关键词：高级包装，3D IC，TSV，背面对齐，步进，面板，粘合晶片对齐，通过硅Via，UBM对齐，潜在图像。
GS SUSTAIN 向循环经济转型
多年来，人们一直在讨论转向循环经济的必要性，即生态资源消耗等于或少于地球可再生资源的必要性，但并未得到充分部署。2021 年，资源消耗将超过地球的再生能力 75%，到 2050 年，废弃物将比 2016 年高出 70%。然而，根据世界经济论坛的一项研究，我们看到了三种可以推动循环经济解决方案部署的催化剂，这些催化剂每年可能节省 1 万亿美元的材料成本。首先，大宗商品价格飙升可能会增加个人和企业对能源/废弃物/食品效率解决方案的部署。其次，资源消耗/废弃物与温室气体排放之间的内在联系将使循环经济解决方案成为向低碳经济转型的关键。第三，欧盟分类标准扩展至包括循环经济类别，可能会增加企业和投资者对解决方案的关注，并提高表现强劲企业的估值。在本报告中，我们详细介绍了七个循环经济主题。
电源杂志 - 亚琛工业大学出版社
钴在锂离子电池正极化学中的重要性不言而喻。然而，钴的稀缺性和不确定的供应链带来了重大挑战。按照目前的需求趋势，未来十年钴供应短缺的风险不言而喻，尤其是考虑到电动汽车产量的迅猛增长[7]。预计到 2030 年，欧盟 (EU) 的储能和电动汽车电池对钴的需求将增加 5 倍，到 2050 年将增加 15 倍，如果不加以解决，可能会导致供应问题[8]。钴占电池生产商材料成本的 60%。为了确保这些行业的盈利能力，持续供应价格合理的钴至关重要[9]。另一种方法是寻找这种关键元素的替代品[10，11]。这种转变有几个好处。首先，它减少了对昂贵、稀缺的钴的依赖，并减轻了与稀缺相关的挑战。其次，无钴电池可避免钴开采和提炼带来的不利影响，从而促进环境可持续性。最后，采用无钴电池化学工艺可简化并节省锂离子电池制造成本 [ 9 , 12 ]。
储罐热能存储系统
由多个储罐组成的热能存储系统允许实施热跃层控制方法，这可以在放电过程中降低流出温度的下降并增加体积存储密度和利用率。基于提取和混合热阶层控制方法的多坦克系统，使用模拟评估了河流岩石作为储存材料和压缩空气作为热转移流体的模拟。对于绝热条件，模拟显示所有多坦克系统的性能都提高了，并且随着储罐数量的增加，改进的改善。混合方法的性能比提取方法更好。混合方法使用两个储罐的总体积比单坦克系统小的2.15倍提供了5.1％的流出温度下降。在绝热条件下，超过三个坦克无益。使用两个油箱，混合方法的温度下降为5.8％，体积比单坦克系统小的2.5倍。两坦克系统的发射效率为91.3％，而单坦克系统的98.1％。两坦克系统的特定材料成本比单坦克系统的特定材料成本低1.5倍。
现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析
可充电海水电池（SWB）是一种独特的储能系统，可以将海水直接转化为可再生能源。在SWB阳极和阴极（表示为海水电池脱盐； SWB-D）之间放置脱盐室，可在充电SWB时进行海水脱盐。由于海水脱盐是一种成熟的技术，主要由基于膜的过程（例如反渗透）（RO）占据，因此必须考虑用于替代脱盐技术的能源成本。到目前为止，基于每个脱盐水的单位成本（$ m-3）的SWB-D系统的可行性已不足。因此，这种观点旨在根据详细的成本分析提供此信息和未来的研究方向。基于计算，当前SWB-D系统的设备成本为≈1.02$ m-3（低于RO的0.60–1.20 $ m-3），当回收能量的96％并实现1000循环的稳定性时。阴离子交换膜（AEM）和分离器分别对材料成本分别占总成本的50％和41％的贡献。因此，未来的研究着重于创建低成本AEM和分离器将为SWB-D的大规模应用铺平道路。
纳米级进步-RSC Publishing
对可持续能源开发的需求显着增加了对可再生资源的兴趣。太阳能是一种突出的可再生能源，可提供“无限”的无排放能量。在许多半导体材料中，硅具有将近70年的发育历史，用于光伏目的。基于Si-Wafer的PV技术约占2020年总产量的95％（参考文献1）由于几个原因：硅是地壳中第二大元素；硅的带隙在最佳区域内（1.1 - 1.4 eV），用于有效的太阳能转换；它是稳定且无毒的，硅半导体技术已经建立得很好。当前的晶硅（C-SI）太阳能电池效率记录为26.7％。2但是，最大可实现的功率转换效率（PCE）限制为29.43％（参考3）通过硅的间接带隙在1.12 eV和非放射性螺旋螺旋体重组 - c-SI光伏电池的主要固有损耗机制。C-SI太阳能电池开发的另一个瓶颈是材料成本，约占太阳能电池板成本的50％。4，由于硅的间接带隙，使用单次通量吸收获得的光电流很低，除非厚度超过许多微米。因此，