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在高磁场上对UTE2的评论
在高磁场上对UTE 2的评论Sylvia K. Lewin，Corey E. Frank，Sheng Ran，Johnpierre Paglione和Nicholas P. Butch Abstract Ditelluride（UTE 2）被公认为是宿主的材料，是一种无惯性的旋转性超级导入性的宿主材料，但它表现出了其他不合时宜的行为。非常规超导性的最突出的特征之一是超过顺磁性极限的大型且各向异性的上临界场。这种超导性生存至35 t，并由不连续的磁过渡界定，该磁过渡本身也依赖于场方向。一个不同的，重进入的超导阶段仅出现在磁性转变的高场面，在晶体学B和C轴之间的角度范围。本综述讨论了这些高场相的知识状态，重型费米昂正常状态的高视野行为以及其他通过施加压力稳定的阶段。
CDMFT+HFD：动态平均场理论的扩展...
我们使用CDMFT + HFD，群集动力学平均场理论（CDMFT）的组合和Hartree Dynamial-Fock均值段的群体间消除群群间扩展相互作用的组合。对于有吸引力的非局部相互作用，该模型在半填充附近表现出一个相分离的区域，在附近，我们发现了D波超导性的岛屿，随着掺杂的函数迅速衰减，具有较小的（高）电子密度的扩展S-波序的断开区域。另一方面，当扩展的相互作用令人反感时，在强耦合限制下，孔掺杂以hole掺杂的稳定性，有利于D-波超导性。在颗粒 - 孔不变的化学电位上，我们发现了从抗铁磁性（AF）到d波超强度的一阶相变，这是有吸引力的最近邻居相互作用的函数，以及密度偏离半填充极限的偏差。反复的扩展相互作用而不是半填充的电荷密度波（CDW）订单。
印度半导体劳动力发展计划
在当今快速发展的技术环境中，半导体不仅是数字设备的基石，也是重塑世界的革命性技术的基石。它们对于开发和部署突破技术极限的创新至关重要。鉴于这一关键作用，著名的印度科学研究所 (IISc)、美国 Synopsys Inc. 和三星半导体印度研究中心 (SSIR) 之间的一项具有里程碑意义的合作催生了印度半导体劳动力发展计划 (ISWDP)。这一举措证明了培养能够跟上全球半导体需求的熟练劳动力的战略重要性。这种合作关系还为行业赞助的奖学金打开了大门。三星提供的择优奖学金旨在表彰和奖励参与者中的杰出人才，使该计划更具吸引力。但为什么这个项目至关重要，它如何将其相关性从印度边界扩展到全球舞台？访问 ISWDP (https://iisc-iswdp.org/about.php) 了解有关我们的使命和愿景的更多信息。
提高物理现象建模的准确性
在建立物理现象或过程的模型时，科学家不可避免地要在模型的简单性（定性-定量变量集）和准确性之间做出妥协。数百年来，定律的直观简单性证明了提出它的科学家的物理思维的天才和深度。目前，对周围世界和新发现的物理现象有更深的物理理解的渴望促使研究人员增加模型中考虑的变量数量。这个方向导致选择不准确甚至错误模型的可能性增加。本研究描述了一种估计测量精度极限的方法，其中考虑了模型构建阶段在存储、传输、处理和观察者使用信息方面的信息。由于模型中存储的信息量有限，这个限制允许您选择最佳变量数以最好地再现观察对象，并计算测量理论中模型与所研究现象之间的阈值差异的精确值。我们考虑两个例子：声速的测量和物理常数的测量。
量子增强多相估计与多重...
量子计量可以实现超出标准量子极限的未知参数估计的增强灵敏度。最近，利用量子资源的多相位估计因其在量子成像和传感器网络中的应用而引起了人们的浓厚兴趣。对于多相位估计，增强灵敏度的量取决于量子探测状态，而多模 N 00 N 状态是已知的关键资源。然而，由于生成这种状态极具挑战性，因此迄今为止一直缺少它的实验演示。在这里，我们报告了多模 N 00 N 状态的生成和使用多模 N 00 N 状态的量子增强多相位估计的实验演示。特别是，我们表明，使用我们的双光子四模 N 00 N 状态和使用 4 × 4 多模分束器的测量方案，量子 Cramer-Rao 界限可以饱和。我们的多相位估计策略为研究多参数估计场景提供了一个可靠的平台。
具有相反磁场的双层量子厅系统中的相变
2，其中内层相互作用是排斥的，并且层间相互作用很有吸引力。我们在圆环上进行精确的对角度（ED）计算，以研究分离距离d / l b时的相变。d c / l b = 0处的临界点。68的特征是变性和能量水平的交叉。在D / L B 成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。时相关。成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。我们发现了由结合对组成的激子条带相。铁磁基态被强大有效的有吸引力的潜力破坏。电子复合 - fermion（ECF）和一个孔复合费用（HCF）紧密结合。在D / L B> D C / L B区域中，观察到从D→D C极限到大D极限的交叉。电子和孔复合液体（CFL）分别通过相对的相对的复合材料（CF）实现。
基于氯化物的添加剂工程用于高效稳定的宽带隙钙钛矿太阳能电池
基于金属卤化物钙钛矿的串联太阳能电池有望实现超越单结太阳能电池理论极限的功率转换效率。然而，克服宽带隙钙钛矿太阳能电池中存在的显著开路电压不足仍然是实现高效稳定的钙钛矿串联电池的主要障碍。本文报道了一种通过氯化物添加剂设计钙钛矿结晶途径来克服 1.8 eV 钙钛矿太阳能电池挑战的整体方法。结合使用自组装单层作为空穴传输层，实现了 1.25 V 的开路电压和 17.0% 的功率转换效率。阐明了甲基氯化铵添加的关键作用，即促进富含氯化物的中间相的生长，从而引导所需立方钙钛矿相的结晶并诱导更有效的卤化物均质化。形成的 1.8 eV 钙钛矿表现出抑制卤化物偏析和改善的光电性能。
通过石墨烯插入在原子薄量子旋转厅绝缘子中实现环境稳定性
半导体表面上的原子单层代表了二维极限的新兴功能量子材料 - 从超导体和莫特绝缘体到铁电和量子旋转厅绝缘子的范围。indenene是iDenene的iDenene，含量约为120 MeV的im依的三角形单层是一种量子自旋霍尔绝缘子，其微米尺度的SIC上的显式外延生长（0001）使其在技术上具有相关性。然而，它对室温旋转的适合性受到空气中拓扑特征的不稳定的挑战。必须制定一种在现场加工和装置制造过程中保护indenene拓扑性质的策略。在这里，我们表明，将泛烯烯酮插入到外延石墨烯中，可以有效地保护氧化环境，同时保留完整的拓扑特征。我们的方法开放了一个现有实验机会的丰富领域，启动单层量子旋转厅绝缘子，以实现逼真的设备制造并访问拓扑保护的边缘通道。
博士tomohiro soejima
鉴定超导性的新型机制是理论物理学的长期目标。在这项工作中，我们认为排斥相互作用和高磁场的组合可以产生电子配对，相干性和超导性。受到Moiré材料的较大晶格常数的启发，在实验室领域可访问每个单位电池的大量通量。莫特绝缘子。我们认为，在整数量子大厅附近掺杂到手性旋转液体过渡时，拓扑超导会出现。我们采用精确的对角度化和密度矩阵重新归一化的方法来检查这种理论情况，并发现电子配对确实发生在半充满的基础状态之上，不仅在推定的临界点附近，而且在关键两侧的耦合强度范围非常广泛。在手性旋转液体侧，我们的结果提供了对Anyon超导性的传奇机理的具体模型。因此，我们的研究建立了以良好控制极限的电子配对的超出BCS机制，依赖于电子相关性和带拓扑之间的相互作用。
基于飞秒激光直写的成像/非成像微光学元件和立体系统
现代信息技术的发展导致对具有复杂表面轮廓和纳米级表面粗糙度的微光学元件的需求巨大。因此，各种微纳加工技术被用于制造微光学元件和系统。飞秒激光直写（FsLDW）利用超快脉冲和飞秒激光的超强瞬时能量进行微纳加工。FsLDW表现出各种优异的性能，包括非线性多光子吸收、超越衍射极限的高精度加工和可加工材料的通用性，展示了其在三维（3D）微纳制造中的独特优势和潜在应用。FsLDW已在各种微光学系统的制造中展示了其价值。本研究详细介绍了FsLDW的三种典型原理、几种提高加工性能的设计考虑因素、可加工材料、成像/非成像微光学元件及其立体系统。最后，对FsLDW支持的微光学元件和立体系统的未来研究方向进行了总结和展望。