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World File Search System氧化物
血浆三甲胺N氧化物（TMAO）
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诱导的硝基 - 氧化物合酶和...
方法论：将共有20个白化病的雄性大鼠随机分为两组：对照组（n = 10）和吸烟组（n = 10）。吸烟组大鼠使用吸烟盒暴露于吸烟中一个月。对照组大鼠暴露于新鲜空气中。在实验结束时，所有动物均使用以太终止。将所有动物的心脏组织均固定在10％的福尔马林中。心脏组织，并染色以用于一氧化氮合酶同工型，可诱导的一氧化氮合酶（INOS），内皮一氧化氮合酶（ENOS）和神经元一氧化物氧化物合酶（NNOS）使用免疫组织化学（Indiretirect Immunoperect Immunoperoperoperapase enyme）。使用Adobe Photoshop版本7.2计算NOS同工型的表达。抗体染色的截面显微照片。像素揭示了生物标志物（棕色）和残留组织（蓝色）的存在。两组之间的关系是由独立t检验计算得出的。显着性。
用于高能锂离子正极的阳离子无序岩盐过渡金属氧化物和氟氧化物
更广泛的背景 可充电电池仍然是便携式电子设备、混合动力电动汽车和电动汽车的限制组件，这促使人们开展研究以提高锂离子电池，特别是正极材料的能量密度、功率容量和安全性。此外，电能储存在应对全球变暖的全球战略中发挥着关键作用。对于电网储存应用，需要低成本、维护成本低且充放电循环寿命长的电池技术。在过去几年中，具有阳离子无序岩盐型结构的锂过渡金属氧化物已成为潜在的高能量密度正极。当制备过量的锂含量时，这些化合物可以成为合理的离子和电子导体，这一认识导致人们研究这种结构空间中的大量成分。目前，几种阳离子无序岩盐正极已经表现出非常高的比容量和高达 1000 W h kg 1 的能量密度，远远超过市售的层状锂过渡金属氧化物正极。阳离子无序的岩盐阴极也有望整合廉价且地球丰富的过渡金属物质，从而为大规模电力运输和电网存储应用提供更可持续的电池化学反应。
基于半导体氧化物的温度传感器 - arXiv
早期研究表明，有机和无机半导体材料是用于温度传感器最有前途的材料。在这篇简短的综述中，我们将关注温度传感器及其在各个领域的应用。此外，我们还研究了纳米结构 ZnO 和 ZnO-CuO 纳米复合材料的温度传感特性。为此，通过化学沉淀法合成了 ZnO 和 ZnO-CuO 纳米复合材料。还进行了传感材料的扫描电子显微镜和 X 射线衍射。ZnO 和 ZnO-CuO 的平均晶粒尺寸分别为 45 和 68 纳米。在室温环境下，使用液压机（MB Instrument，德里）在 616 MPa 的压力下将合成粉末制成颗粒。将该颗粒放入 Ag-颗粒-Ag 电极配置中以进行温度传感。计算了上述半导体氧化物的温度灵敏度。材料的电性能决定了这些传感颗粒的半导体性质。此外，还估算了ZnO和ZnO-CuO纳米复合材料的活化能。关键词：温度传感器，灵敏度，活化能，阿伦尼乌斯图。
高性能金属氧化物薄膜 T
最近，有报道称，通过采用新的器件架构，人们提出了几种提高MOTFT性能的策略，包括双栅极注入[28–30]、高k绝缘体[31–33]和半导体异质结构。[34–38]在这些策略中，不同MO的低维双层或多层异质结构提高了MOTFT中的载流子迁移率和驱动电流。[39,40]这些改进通常源于两个具有较大费米能差的半导体之间异质界面势阱内受限的自由电子。[41]然而，尽管这些方法值得关注，但可用组件材料和漏电流控制的局限性损害了该平台的保真度。[37,38]另一种提高性能的方法
金属氧化物纳米颗粒：药物评论
纳米技术和纳米粒子是一个不断发展的领域，由于其在各个领域有无数的应用，在过去的几十年里引起了化学家和科学家的极大兴趣[1]。纳米尺寸的粒子称为纳米粒子。它们的尺寸范围从1到100纳米。一纳米等于基本单位（米）的十亿分之一。对这种粒子的研究被称为纳米技术。纳米粒子由于其独特的物理和化学性质而具有大量的应用。它们具有不同的形状，如球体、立方体、棒状、板状等，但是，纳米粒子仍然有优点和缺点，并在此背景下进行讨论[2]。它们在不同领域有各种应用
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何设备更好的设备匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的设备在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更加坚固耐用。
互补金属氧化物半导体 (CMOS) 7
Sandia 的 CMOS7 技术是一种战略性抗辐射、3.3 伏、350 纳米、绝缘体上硅 (SOI) CMOS 工艺，适用于定制、高可靠性数字、模拟和混合信号 ASIC。CMOS7 是一种具有 5 个金属层的 24 掩模级工艺。模拟和混合信号应用的选项包括金属-绝缘体-金属 (MIM) 电容器和 N+ 多晶硅电阻器。Sandia 使用 350 纳米几何结构来优化模拟电路的性能，从而实现比小几何器件更好的器件匹配、更高的电源电压、更低的泄漏和更宽的信号动态范围。经过适当设计和制造，较大的器件在温度波动、冲击和辐射的扩展操作环境中可以更坚固耐用。
氧化物/氮化物界面的室温铁磁性
Wensheng Yan 5 , Tao Zhu 1,4,12 , Lin Gu 1,2,12 , Scott A. Chambers 6 , Sujit Das 13 , Gang-Qin Liu 1,2,12 ,
二维过渡金属氧化物和氢氧化物...
超级电容器被广泛视为最有前途的新兴储能装置之一，它将化学能转化为电能并储存起来。二维 (2D) 金属氧化物/氢氧化物 (TMOs/TMHs) 因其高理论比电容、丰富的电化学活性位点以及通过与石墨碳、导电聚合物等结合组装成分级结构而彻底改变了高性能超级电容器的设计。所实现的分级结构不仅可以克服使用单一材料的局限性，而且可以带来性能上的新突破。本文综述了 2D TMOs/TMHs 及其在分级结构中作为超级电容器材料的研究进展，包括超级电容器材料的演变、分级结构的配置、所调控的电性能以及存在的优缺点。最后，提出了与超级电容器材料发展相关的方向和挑战。