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World File Search System氮化合物
INP和III-V化合物
III-V半导体材料组的生长特性与硅具有相似的生长特性，该特性在微电子学中已良好。III-V半导体材料是在单晶半导体底物上的外延生长的。主要区别在于光电特性中，大多数III-V半导体具有直接的带隙，这是制造有效激光器和光学放大器的先决条件，缺少属性硅。此外，几个III-V半导体（例如GAAS和INP）具有比硅具有更好的电子性能，这使它们适合于高端RF插图。各种III-V半导体之间的关键差异是波长范围，它们支持光学功能，例如发光，放大，传输和检测光。对于GAA，这是在半导体激光器中应用的第一种III-V材料，操作窗口的范围为800-1100 nm，使其适用于短期通信。GAAS垂直腔表面发射激光器（VCSELS）是短距离（<几百米）通信的主要光源。用于INP及其第四纪化合物Ingaasp和Ingaalas，可以在INP底物上生长，操作窗口范围为1200-1700 nm，范围涵盖了在更长距离（O波段，C-Band，C-Band和l频段）高速通信的最重要波长。因此，这是长时间和中距离高速通信的首选材料。这使其成为在复杂图片中使用的首选材料，在复杂图片中，必须将广泛的功能集成到单个芯片中。光过滤器）。INP及其化合物Ingaasp和Ingaalas的另一个优点是，它们的光学特性（增益，透明度，吸收和检测以及电光调制效率）可以在晶圆中进行本地设计，同时保留在宽波长范围内优化性能的可能性。示例是连贯的发射器和接收器，更一般而言，需要将激光器和光学放大器与有效调节器和检测器集成在一起的任何电路，以及低损坏的被动光元素（例如，用于钝化和隔离的介电材料与用于硅微电子的介电材料非常相似。电气间连接的金属不同。黄金由于其良好的电气和机械性能而经常用于III-V半导体，而由于它具有扩散到硅非常有害的风险，因此它没有应用于硅上。另一方面，铝和铜很少用于III-V材料。特别是铜杂质在III-V材料中降解电和光学特性。晶片小于硅。对于GAAS 4“，6”和8英寸的直径可在市售。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。 较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。INP晶圆具有2英寸，3英寸和4英寸的直径，质量良好。较大的6英寸晶片可用于研发目的，其蚀刻坑密度（EPD）稍大，在需求增加时将改善。
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食品系统中的氮
本出版物确实是协作努力的结果。首先，我要感谢塔拉·加内特（Tara Garnett）对手稿的五个先前版本的耐心，详细和智力上的反馈。也要感谢三位外部审稿人Souhil Harchaoui，Adrian Muller和Lena Schulte-uebbing，以及Ken Giller和Table员工Tamsin Blaxter，Hester van Hensbergen和Sophie Hockley，以在各个阶段获得详细的和建设性的反馈。感谢Lise Benoist对早期草案的评论，路易斯·拉萨莱塔（Luis Lassaletta）帮助创建了图4。最后但并非最不重要的一点是，感谢插图画家苏珊·弗洛丁（Susanne Flodin没有您的所有贡献，最终结果将几乎相同。
细菌生长（细菌的培养）
氮源氮是氨基酸和核酸的合成所需的。取决于生物体，氮，硝酸盐，氨或有机氮化合物作为氮来源。从添加到培养基生长因子（细菌维生素）的水中提供的氢和氧生长因子是有机化合物，例如氨基酸，嘌呤，嘧啶和维生素，细胞必须具有生长，但不能合成自身。矿物1。需要硫硫来合成含硫的氨基酸和某些维生素。2。磷磷是需要合成磷脂，核酸和辅酶的。3。跟踪元素