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World File Search System沉积的
法国国家科学研究院博士后 PlasmaCoLa2024 公告
“可持续功能涂层的特性” 职位描述：IPREM 研究所 (UMR 5254 CNRS 和波城-阿杜尔大学) 的生物启发材料 BIM 小组正在寻找一位非常优秀、积极主动的候选人，担任 2024 年 9 月开放的博士后职位。BIM 小组一直在开发具有分层或多尺度结构的生物启发材料。多年来，已经开发出与界面/涂层粘附性有关的非常先进的表征，即化学和结构。作为由 LIST（卢森堡）领导的 PlasmaCoLa M-ERANET 欧洲项目的一部分，BIM 小组将负责分析和表征通过等离子体聚合沉积的底漆的粘合剂粘合，并负责加深对多材料层压板（电池）界面上按需脱骨特性的理解。候选人必须前往欧洲国家（卢森堡和西班牙）。地点：IPREM（法国西南部的波城）。任务：候选人将负责分析和表征等离子聚合沉积的底漆的粘合性。他将必须了解项目中研究的多材料层压板界面的按需脱骨特性。主要职责：通过表面表征和润湿性/粘合性来表征底漆的粘合特性以及等离子聚合过程对基材结构和化学成分的影响。
快速热退火对纳米级 MOSFET 技术中超薄高 k HfO2 薄膜性能影响的研究
研究了快速热退火对射频溅射系统沉积的高 k HfO 2 超薄膜结构和电学性能的影响。分别在氧气和氮气环境下研究了薄膜特性以获得最佳快速热退火温度，以获得作为 MOS 器件结构的最佳电学效果。使用傅里叶变换红外光谱 (FT-IR) 详细研究了温度诱导退火对 HfO 2 /Si 界面的影响。分别通过椭圆偏振仪、XRD 和 AFM 研究了薄膜厚度、成分和微观结构，并显示了退火对这些参数的影响。采用 Si/HfO 2 /Si MOS 电容器结构研究了退火电介质薄膜的 I-V 和 C-V 特性。结果表明，在氮气环境下采用快速热退火 (RTA) 的 HfO 2 /Si 堆栈比在氧气环境下表现出更好的物理和电学性能。结果表明，RTA 改善了 HfO 2 /Si 的界面特性和 HfO 2 超薄膜的致密化。在氮气和氧气中分别以 700 C 退火后，沉积的薄膜为非晶态和正交晶系。我们发现，氮气退火样品的等效氧化物厚度、界面态密度、电容-电压滞后和漏电流均有所降低；此外，在正电压偏置和温度应力下，电荷俘获也几乎可以忽略不计。本文对结果进行了介绍和讨论。2011 Elsevier BV 保留所有权利。
CO2，CH4和N2O排放来自...
*长期至中期泄漏的风险（从“产品”和/或“添加剂”和/或“包装”中污染的风险）；陆地或海洋农业生态系统的碳和/或营养损失；改变海洋中的氧气水平；对废物部门的影响；关于废物/生物量沉积的国家法规/法律；确保在生产系统中计算生物量和与生产相关的温室气体的损失；双重计数（类似于HWP）的国际贸易和潜在问题；验证：如果海洋可能是可行的，则在陆地上应有可能。
PQFN GAN设备可靠组装的焊料模具设计指南
转移和回光后，沉积的焊球合金量是孔径k，孔是焊接开口的总面积，T是其厚度，k是焊料粘贴系数。用于脚趾土地图案a脚趾，焊接量大约为脚趾的焊料。焊接连接组件以外的脚趾除以基于剩余的沉积焊料量确定焊料对峙高度。通过此逻辑，可以计算每个引线的焊料对峙高度（SOH），如等式5所示。
利用化学浴沉积法合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质
使用化学浴沉积合成 ZnO 薄膜并研究物理化学性质 Pooja B.更多，1 Sanjay B. Bansode，1 Mariya Aleksandrova，2 Sandesh R. Jadkar 1 和 Habib M. Pathan 1，* 摘要 在目前的研究中，我们在 70°C 温度下通过化学浴沉积法 (CBD) 在 FTO（氟掺杂氧化锡）基板上合成了 ZnO 薄膜。X 射线衍射研究表明，ZnO 薄膜具有六方纤锌矿结构，沿 (002) 方向有纹理。此外，扫描电子显微镜证实了沿垂直（c 轴）方向取向的微米级棒的形成。此外，还检查了各种光学和光电化学 (PEC) 特性。从紫外-紫外光谱分析可知，ZnO 薄膜的光学带隙为 3.1 eV。光致发光光谱显示，沉积的薄膜在紫外区具有尖锐的发射，在可见光区具有宽发射，这可能与 ZnO 中的缺陷有关。电化学阻抗谱表明，在光照下，ZnO 薄膜表现出较高的光电流密度的 PEC 性能。计时电流法显示，光电流密度随时间变化的稳定性测试为 60 μA/cm 2 。此外，莫特-肖特基曲线证实，沉积的 ZnO 薄膜为 n 型，载流子密度为 8.55×10 18 cm -3 。
研究温度对MGSE结构的影响...
在这项研究中，我们使用电化学沉积技术来合成MGSE材料。硝酸镁六水合物（MG（NO 3）2 .6H 2 O）和硒（IV）氧化物（SEO 2）是电化学浴系统的一部分。在2θ角，MGSE材料显示的衍射角为15.669 o。在2θ= 15.669 O，16.452 O，17.426 O，23.489 O和27.592 O时衍射峰分别与002、100、100、100、111、112、112和212的MGSE材料的衍射平面相对应。膜厚度从112.81降低到104.42 nm，MGSE的前体温度升高。随着膜的电导率从1.01增加到1.17 s/m，电阻率从98.09降低到85.42 ohm/cm。在紫外线范围内，膜显示出较高的透射率，超过70％。在50 O C下进行沉积的膜表现出最高的透射率，平均在可见和近红外光谱中为72％。每个沉积膜的反射值超过15％。沉积的膜的能量带隙范围为1.75至2.56 eV。随着温度的升高，能带隙也增加。这项研究中发现的带隙能量范围非常适合在1.75 eV上方吸收太阳能辐射，这是太阳能电池吸收层的理想选择。简介
应变中的铁电和电荷传输特性...
图 1. (4,4-DFPD) 2 PbI 4 薄膜的制备和通过 XRD 和 AFM 进行表征。a) 通过滴铸、旋涂和旋涂并伴有真空极化处理沉积 (4,4-DFPD) 2 PbI 4 2D 钙钛矿薄膜的示意图。b) 制备的薄膜的 XRD 图案。插图显示了 Williamson-Hall 图，用于分析薄膜中的应变无序性。通过 c) 滴铸、d) 旋涂和 e) 旋涂并伴有真空极化处理沉积的薄膜的 3D 表面形貌 AFM 图像。
纳米级时间相关电介质击穿 (nanoTDDB ...
新沉积的介电材料的质量控制是 nanoTDDB 使用的另一个例子。具体来说，当使用原子层沉积 (ALD) 制备薄氧化膜时，需要对该过程进行微调以产生可重复的结果。这里用 ALD 制备二氧化硅膜，并用椭圆偏振法测量其厚度。由于在晶圆的不同位置观察到一些膜厚度变化，因此使用 Jupiter XR AFM 进行 nanoTDDB 测量以测量膜的电性能。使用 AFM 软件中编程的自动程序在晶圆的各个位置进行测量。
针对脑铁累积性遗传性神经退行性疾病的精准治疗
伴有脑铁沉积的神经退行性疾病 (NBIA) 是一组罕见但极具破坏性的遗传性神经系统疾病，其共同特征是认知和运动能力逐渐下降，以及基底神经节铁沉积增加。婴儿和儿童期最常见的疾病是β-螺旋桨蛋白相关神经退行性疾病 (BPAN)、泛酸激酶相关神经退行性疾病 (PKAN)、磷脂酶 A 2 相关神经退行性疾病 (PLAN) 和线粒体膜蛋白相关神经退行性疾病 (MPAN)。还报道了其他几种不太常见的 NBIA 疾病，目前已提出 15 种伴有脑铁沉积的神经退行性疾病的单基因病因。这些疾病具有共同的神经放射学特征，即在特定的 MR 序列上基底神经节信号低强度，这可显示磁共振磁敏感现象，表明矿化过度（T2 加权、T2* 加权、磁敏感度加权和回波平面成像 b0 扩散成像数据集）[1]，一些疾病还与尸检分析中的铁积累等神经病理学发现有关。随着时间的推移，越来越明显的是，这些放射学特征与广泛的神经系统和神经退行性疾病有关，包括线粒体细胞病、遗传性肌张力障碍（例如由 KMT2B 和 VPS16 突变导致的肌张力障碍）和溶酶体疾病（GM1 神经节苷脂沉积症、α 岩藻糖苷沉积症）[2–5]，尽管对于其中许多疾病，尚未报道与尸检研究的相关性。因此，对 NBIA 疾病的准确分类仍不确定。