自2001年首次示威以来[Gol'tsman等。,应用。物理。Lett。 79,705–707(2001)],超导纳米线单光子探测器(SNSPDS)见证了二十年的伟大发展。 SNSPD是大多数现代量子光学实验中的选择检测器,并且正在慢慢地进入其他光子含有光学的光学领域。 到目前为止,在几乎所有实验中,SNSPD都被用作“二进制”检测器,这意味着它们只能区分0和> = 1个光子,并且丢失了光子数信息。 最近的研究表明,原理证明光子数分辨率(PNR)SNSPDS计数为2-5个光子。 在各种量子式实验中,高度要求光子数分解的能力,包括Hong – Ou-Mandel干扰,光子量子计算,量子通信和非高斯量子态制备。 特别是,由于高质量的半导体量子点(QDS)的可用性,波长850-950 nm处的PNR检测器引起了极大的关注[Heindel等。 ,adv。 选择。 Photonics 15,613–738(2023)]和高性能基于铯的量子记忆[Ma等。 ,J。Opt。 19,043001(2017)]。 在本文中,我们演示了基于NBTIN的SNSPD,具有> 94%的系统检测效率,一个光子的低于11 PS的时间抖动,以及2个光子的低于7 PS。 更重要的是,我们的探测器使用常规的低温电读数电路最多可以解决7个光子。Lett。79,705–707(2001)],超导纳米线单光子探测器(SNSPDS)见证了二十年的伟大发展。 SNSPD是大多数现代量子光学实验中的选择检测器,并且正在慢慢地进入其他光子含有光学的光学领域。 到目前为止,在几乎所有实验中,SNSPD都被用作“二进制”检测器,这意味着它们只能区分0和> = 1个光子,并且丢失了光子数信息。 最近的研究表明,原理证明光子数分辨率(PNR)SNSPDS计数为2-5个光子。 在各种量子式实验中,高度要求光子数分解的能力,包括Hong – Ou-Mandel干扰,光子量子计算,量子通信和非高斯量子态制备。 特别是,由于高质量的半导体量子点(QDS)的可用性,波长850-950 nm处的PNR检测器引起了极大的关注[Heindel等。 ,adv。 选择。 Photonics 15,613–738(2023)]和高性能基于铯的量子记忆[Ma等。 ,J。Opt。 19,043001(2017)]。 在本文中,我们演示了基于NBTIN的SNSPD,具有> 94%的系统检测效率,一个光子的低于11 PS的时间抖动,以及2个光子的低于7 PS。 更重要的是,我们的探测器使用常规的低温电读数电路最多可以解决7个光子。79,705–707(2001)],超导纳米线单光子探测器(SNSPDS)见证了二十年的伟大发展。SNSPD是大多数现代量子光学实验中的选择检测器,并且正在慢慢地进入其他光子含有光学的光学领域。到目前为止,在几乎所有实验中,SNSPD都被用作“二进制”检测器,这意味着它们只能区分0和> = 1个光子,并且丢失了光子数信息。最近的研究表明,原理证明光子数分辨率(PNR)SNSPDS计数为2-5个光子。在各种量子式实验中,高度要求光子数分解的能力,包括Hong – Ou-Mandel干扰,光子量子计算,量子通信和非高斯量子态制备。特别是,由于高质量的半导体量子点(QDS)的可用性,波长850-950 nm处的PNR检测器引起了极大的关注[Heindel等。,adv。选择。Photonics 15,613–738(2023)]和高性能基于铯的量子记忆[Ma等。,J。Opt。19,043001(2017)]。在本文中,我们演示了基于NBTIN的SNSPD,具有> 94%的系统检测效率,一个光子的低于11 PS的时间抖动,以及2个光子的低于7 PS。更重要的是,我们的探测器使用常规的低温电读数电路最多可以解决7个光子。通过理论分析,我们表明,通过提高我们读取电路的信噪比和带宽,可以进一步改善所证明的检测器的PNR性能。我们的结果对于光学量子计算和量子通信的未来都是有希望的。
Excelitas 应用工程师 Matthias Koppitz 表示:“凭借 30 多年开发激光材料加工光学系统的经验,我们种类繁多的电动 LINOS 扩束器因其能够满足最严格的要求而闻名。” “我们适用于 340 nm-360 nm 波长范围的新型 LINOS 扩束器 1x-4x 延续了这一传统。它更小巧紧凑的尺寸和无色阳极氧化处理可确保满足激光系统对各种紫外线应用制造的光子需求的各个方面。” 适用于 340 nm-360 nm 的新型 LINOS 扩束器 1x-4x 将于 2022 年 6 月 21 日至 23 日在德国斯图加特的 LASYS 上展出(Excelitas 展位号 4E13,4 号厅)。欲了解更多信息,请访问产品网页:https://www.excelitas.com/product/linos- motorized-variable-magnification-beam-expander 。
由于普克尔斯效应和克尔效应的结合,电光 (EO) 聚合物的折射率可以通过外部电场改变。在由基质聚合物和嵌入的 EO 发色团组成的客体-主体系统中,普克尔斯效应依赖于可电极化的 EO 发色团的优先空间取向,这通常是通过在施加外部场的同时在高温下极化 EO 聚合物材料而引起的。EO 发色团由通过 π 电子共轭桥相互作用的电子给体和受体基团组成,其特性是 EO 聚合物设计的重要因素。为了最大程度地发挥普克尔斯效应,具有高玻璃化转变温度和分子尺寸相对较大的 EO 发色团的聚合物具有优势,因为它们可以提供最佳的取向稳定性 [ 1 ],这不仅在客体-主体系统中实现,而且在 EO 发色团与主体聚合物共价结合的材料中也实现了 [ 2 ]。在极化过程中,通过热 [ 3 ] 或光化学 [ 4 ] 交联主体聚合物也可提高取向稳定性。电光聚合物在电信领域的应用已被广泛探索 [ 5-7 ],其快速时间响应、低光损耗、高电光活性、稳定性和易于加工等特点已被用于空间光调制器 (SLM) 的开发 [ 8 ]。因此,最近的大部分研究活动都集中在开发近红外波长范围的电光聚合物 [ 9-12 ]。虽然关于可见光范围的电光聚合物的报道相对较少,但此类材料的未来应用可能在于可调光学滤波器和超声波的光学检测,例如用于生物医学光声 (PA) 成像研究的可调法布里-珀罗 (FP) 传感器 [ 13-16 ]。对于此类应用,需要在可见光波长区域具有高度透明性的新型电光聚合物。传统的近红外 EO 发色团虽然通常具有较高的