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原子层沉积 Al2O3 作为热氧化和等离子氧化的屏障
电子邮件：stephane.calvez@laas.fr 简介 原子层沉积 (ALD) 纳米厚的 Al 2 O 3 层或其他电介质层已被证实是一种有效的方法，可用于创建敏感材料封装层，防止其因周围大气中的水分和氧气含量而发生降解 [1,2]。另外，由氧气（分别是水）引起的半导体材料向绝缘体的腐蚀转变，称为干（湿）氧化，通常用于微电子和光子器件以及集成电路的制造，作为引入实现晶圆上光学路由 [3–6] 和/或电连接所需的电和/或光子限制的一种方式。特别是在硅光子器件制造中，后者的工艺通常涉及将硅层在高温或等离子体中暴露于水/氧气中，并通过厚度大于 100 nm 的 SiN x 掩模实现局部氧化保护 [3,4]。在此背景下，我们在此报告了使用 ALD 沉积的 Al 2 O 3 作为节省材料的氧化屏障以防止硅晶片的等离子诱导或高温热氧化的能力的研究。样品制备通过热 ALD 在硅晶片上沉积具有纳米厚度的 Al 2 O 3 薄膜。低压热 ALD 沉积由重复循环组成，每个循环包括 300 ms 的三甲胺铝 (TMA) 脉冲，然后在 N 2 下进行 2800 ms 的吹扫，150 ms 的水蒸气脉冲，以及在 N 2 下进行 6700 ms 的第二次吹扫。这里测试了两个沉积温度，90°C 和 150°C。使用可变角度光谱椭圆偏振法（使用 Accurion EP4 系统）测量所得层厚度。图 1 显示了 Al 2 O 3 厚度随沉积循环次数变化的记录。在 0 个循环时，测量到的厚度对应于天然氧化硅（测量到约 2 纳米）。在 15 个沉积循环之前，成核开始以异质生长（见图 1 插图）。超过 15 个循环后，沉积厚度以每循环生长率 (GPC) 0.19 纳米/循环线性增加，并且与沉积温度的依赖性较弱。随后使用紫外光刻和湿法蚀刻对 Al 2 O 3 涂层样品进行图案化，以获得具有 Al 2 O 3 保护和未保护硅区域的样品。使用稀磷酸（去离子水/H 3 PO 4 (37%) 1/1 溶液）在精确的 67°C 温度下进行层蚀刻，蚀刻速率为 30 纳米/分钟。分别用水和丙酮进行冲洗和清洁。测试了两种类型的氧化：干热氧化和等离子氧化。干热氧化方案包括在 5L/min 的 O 2 流量下从 30°C 开始线性升温（8.2°C/min），然后在 9L/min 的 O 2 流量下以 1000°C 进行恒温步骤，然后在 5L/min 的 O 2 流量下以 -16.3°C/min 的温度衰减。低压 O 2 等离子体氧化在 Sentech Si-500 设备中进行，使用 30 分钟的重复处理，其中样品受到 O 2 等离子体处理，RF 功率为 800W，基板温度保持在 100°C 以下。在这两种情况下，通过成像光谱椭圆偏振法测量处理过的样品的保护区和未保护区的氧化厚度。图 2 左侧显示，如果 Al 2 O 3 厚度大于 ~9 nm（45 个循环），则干氧化不会进行，而对于更薄的覆盖层，干氧化会减少。SEM 横截面（如图 2 中的插图所示）进一步证实了这一观察结果。类似地，观察到等离子体氧化导致氧化物生长遵循平方根定律的时间依赖性（Deal 和 Grove 模型 [7]），但对于（30 次循环）Al 2 O 3 涂层样品部分，其氧化速率降低。
新颖AG2S- ...
Ag 2 S-CdS /Ag /GNP ternary nanocomposite L. R. Gahramanli a,b,* , S. Bellucci a , M. B. Muradov b , M. La Pietra a , G. M. Eyvazova b , C. V. Gomez a , J. Bachmann c a NEXT laboratory, INFN, LNF, Via E. Fermi 54, Frascati, Roma, Italy b Nano Research巴库州立大学实验室，学术Zahid Khalilov街23号，阿塞拜疆C化学与药房部，弗里德里希 - 亚历山大 - 诺斯特里列森 - 埃尔凡尼·纽约人（FAU），弗里德里希·纳克斯坦（FAU），弗里德里希·纳克斯蒂安（FAU），弗里德里希·纳斯特·埃尔恩伯格（FAU），91058 ERLANGEN，NEW TYERES AG/GN ag 2 S-CDS 2 S-CDS 2 S-CD在提出的工作中合成。分别研究了化合物的结构和物理特性。Ag 2 S-CD/AG/GNP纳米复合材料。基于结果，成功合成了Ag纳米线（NWS），然后确定在杂交过程中，acanthite ag 2 s的两个阶段和Ag 2 O的立方晶体系统形成。然后，由混合单斜ag 2 s和六角形CD形成Ag 2 S-CDS NW。在Ag NW的吸收光谱中，在357.3 nm和380.2 nm处观察到主吸光度峰。Ag样品的能量差距（E G）值为3.8 eV。Ag 2 S（2.5、3.8、4.6 eV）和Ag 2 S-CD（2.5、3.8、4.8 eV）的频带隙值具有三重值，这是由于形成了混合结构。（2024年5月5日收到； 2024年7月8日接受）关键字：银NWS，GNP，物理特性，拉曼谱Ag 2 S-CD的拉曼光谱属于锌 - 蓝色期CD的纵向光学（LO）声子模式，对于GNP/PVA表面上的1、2和3次旋转涂层样品已经观察到所有特征性的拉曼峰，属于NWS，属于NWS，属于485.13 cm -1，960.2 cm-1.2 cm。
对上限SIO2和TIO2的比较研究以改进...
Comparative study on capped SiO 2 and TiO 2 to improve efficiency in plasmonic solar cell through modified synthesis approach P. Sarkar a,* , S. Panda b , B. Maji a , A. K. Mukhopadhyay c a Department of ECE, National Institute of Technology, Durgapur-713209, India b Department of ECE, Dr. Sudhir Chandra Sur Institute of Technology & Sports Complex,印度加尔各答-700074，C Margadarshak（导师），AICTE，新德里-110070，印度这项研究研究了等离激元改善对薄膜A-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Si-Sio2纳米颗粒的光子吸收性特性的等离子增强对光子吸收特性的有效性。它还在暴露于阳光的情况下检查了其J-V特性。修饰的Stober方法用于辐照测试，以SIO2 1st剂量不同剂量的反射率较低：0.485mg/ml，SIO2 2nd剂量：0.693mg/ml和Tio2 1st 1st剂量：0.525 mg/ml，Tio2 2nd dose：0.525 ml，Tio2 2nd dose：0.748 ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml g/ml ml。基于二氧化硅的太阳能电池显示出2.45％的效率提高，而基于二氧化钛的太阳能电池与未涂层样品相比提高了0.657％的效率。（2023年9月26日收到； 2024年1月3日接受）关键字：等离子体，二氧化硅，钛，太阳能电池1。引言工业革命改变了能源生产，运输和消费，但它会造成环境破坏和诸如化石燃料之类的自然来源的耗尽。过渡到清洁能源（例如核和可再生能源）可以减少碳排放，但是由于放射性废物的半衰期长，安全存储既有挑战性。绿色能源趋势正在增加。太阳能是一种有希望的可再生能源，具有最小的环境影响和高效率。太阳能光伏行业在2022年达到了295 GW创纪录的交付能力，将全球安装的PV总容量增加到1,198以上TW [1]。研发集中于提高光转换效率并降低成本以满足全球能源需求。当前的全球光伏太阳能电池市场为90％的晶体硅，10％由多晶半导体的薄膜组成[2,3]。薄膜光伏电池由于其材料的低含量，柔韧性，易于整合和适合大规模生产的能力而作为替代品生长[4,5]。薄膜氢化的A-SI太阳能电池的制造成本较低，简单过程和与各种底物的兼容性，但缺乏效率。