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磁铁溅射的无定形硅– SIO2量化纳米胺
规格作为基于差异较小的材料的设计。除了折射指数外，材料还必须满足其他要求，其中的材料在波长范围内具有可忽略的损失。但是，在介电材料中，折射率和吸收边缘是连接的。[1]具有高折射率的材料在长波长下具有吸收边缘，而低折射率材料在短波长下具有吸收边缘。tio 2是具有最高折射率的介电材料，在频谱的可见范围（VIS）中，开始在≈400nm处发射。具有更高折射率的处置材料，而在VIS中保持透明，将具有广泛的实际相关性，因为它将允许使用层较低的层且整体厚度降低的干扰设计。如本文所示，纳米胺的沉积速率超过了TIO 2之一。预计厚度降低和高沉积速率都会导致涂料系统的生产率提高和制造成本降低。除了制造纳米酰胺外，一种将折叠指数与散装材料特性脱离的方法是扫视角度沉积，[2,3]中形成了柱状纤维结构，从而减少了有效的折射率。因此，将在散装层和具有相同材料的柱状结构的层面层之间发生干扰效应。[4,5]。在2016年[7]由于没有不同材料之间的接口，这打开了有趣的效果，例如板极化器或更高的激光损伤抗性。如参考文献所述，一种可比较的方法是由有机膜的离子蚀刻形成的自组织结构。再次，通过蚀刻降低了层的有效折射率，该蚀刻引入了局部和未定位的多孔结构。[6]如果将层用作抗反射设计中的最外层，则此效果是有益的。至于瞥见角度沉积，自组织层的缺点是对环境条件的敏感性提高。一个最近克服两个特征之间联系的概念是量化纳米胺（QNL）的，这是Willemsen，Jupé等人首次报道的。
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谢谢您，Shankar Kumar Selvaraja，博士，副教授，纳米科学与工程中心，印度科学研究所，班加罗尔，印度 560012。手机：+91-94-8128-3513 办公室：+91-80-2293-3342 电子邮件：shankars@iisc.ac.in
溅射多孔 Pt 用于晶圆级制造低温...
1. 莱斯大学电气与计算机工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 2. 莱斯大学应用物理项目，美国德克萨斯州休斯顿 77005 3. 莱斯大学生物工程系，美国德克萨斯州休斯顿 77005 4. 贝勒医学院神经科学系，美国德克萨斯州休斯顿 77030 摘要
磁控溅射技术分析射频溅射功率对SiO2/Si基片上沉积铝薄膜微结构表面形貌的影响
摘要 本研究采用射频磁控溅射技术在SiO2/Si基底上沉积铝（Al）薄膜，以分析射频溅射功率对微结构表面形貌的影响。采用不同的溅射射频功率（100–400 W）来沉积Al薄膜。利用X射线衍射图（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和傅里叶变换红外（FTIR）光谱研究了沉积Al薄膜的特性。X射线衍射（XRD）结果表明，低溅射功率下沉积的薄膜具有非晶性质。随着溅射功率的增加，可以观察到结晶。AFM分析结果表明，300 W的射频功率是生长最光滑Al薄膜的最佳溅射功率。FTIR结果表明，不同的射频功率影响沉积薄膜的化学结构。 SEM结果表明，随着溅射功率的增加，基体表面形成了孤立的纹理。总之，射频功率对沉积薄膜的性质，特别是结晶和形状有显著的影响。
元素GD Plus Glow放电质谱仪
当离子源在降低压力下充满气体的电池中的两个电极之间施加电势差时，就会发生光泽放电。在用于元素分析的配置中，样品充当阴极，其表面被撞击气体离子溅射。溅射颗粒（主要是中性原子）在血浆中下游电离。因为溅射和电离的过程是分离的，尤其是在脉冲模式操作中，因此观察到最小的非光谱基质效应。因此，可以建立相对灵敏度因子（RSF），实现定量分析或使用简单的离子束比（IBR）进行半定量分析来实现完美条件。
功率MOSFET WAFERS的降压 - 电气
Wafer Warpage是半导体制造商面临的基线问题，实际上，在与制造功率金属氧化物半导体磁场效应晶体管（MOSFET）的制造的人中尤为明显。这是因为垂直MOSFET与传统的外侧对应物相比会经历更大的经线效应。wafers超过其临界价值的瓦金（Wafers）在自动处理过程中无法通过吸尘器吸附来削减其临界价值；晶圆上制造的设备也面临可靠性问题。本文介绍了用于减少电源MOSFET晶体经纪的各种机制的分析。通过改变背面金属化（BSM）厚度，膜沉积的溅射功率和晶片温度（即将低温条件引入过程中）来检查扭曲行为。结果表明，当前端制造过程完成后，BSM厚度和晶圆的温度都与晶圆经膜的相关性明显相关。晶圆弓水平与溅射功率的大小直接成比例。当溅射功率降低时，诱发残留应力较小以变形晶片结构。因此，可以调整溅射功率，以确保扭曲效应保持在其临界值以下。关键字：经形，功率MOSFET，残余压力，背面金属化，溅射功率，低温温度
脉冲直流反应溅射 - 新机遇
反应性直流磁控溅射是一种理想的技术，可用于生产具有可控微结构和特性的氧化物、氮化物和碳化物薄膜。随着分压控制技术的出现，可以以接近金属（如 TiN、ZrN）的溅射速率，或至少以比传统 RF 溅射（如 TiO 2 ）更高的速率溅射导电反应产物（氧化物、氮化物和碳化物）。但在沉积非导电材料（如 Al 2 O 3 和 SiO 2 ）方面仍然存在严重的限制，因为在溅射靶上形成非导电层会导致电弧。虽然这些薄膜可以通过 RF 磁控管或 RF 二极管技术溅射，但对于许多应用来说，这种速率是不经济的。电源设计和构造方面的最新电子发展已经产生了能够进行双极脉冲直流操作的商用设备。该设备可以以高速率反应溅射非导电材料。所涉及的频率（kHz 至 100 kHz）比 RF 频率（13.56 MHz）低得多，并且在集成到物理系统方面出现的问题较少。控制和电子干扰问题几乎被消除。我们报告了使用这种商用设备对脉冲直流反应溅射的初步评估。