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b1pf-a大孔偶极磁铁的设计
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使用单个四极质量光谱仪
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低剂量药物组合预防纺锤体极...
摘要 有丝分裂在基于微管的纺锤体控制下，是抗癌治疗的一个有吸引力的靶点，因为癌细胞会经历频繁且不受控制的细胞分裂。破坏有丝分裂的微管靶向剂或有丝分裂激酶或微管马达的单分子抑制剂可以高效杀死癌细胞。然而，这些治疗方法存在严重的缺点：它们还针对经常分裂的健康组织，例如造血系统，并且由于原发性或获得性耐药机制，它们经常失去效力。在癌细胞分裂中出现的另一个目标是它们将有丝分裂纺锤体的极点“聚集”成双极结构的能力。这种机制对于癌细胞的特定存活是必要的，这些癌细胞由于经常存在异常的着丝粒数目或其他纺锤体缺陷而倾向于形成多极纺锤体。在这里，我们讨论了针对纺锤体极点聚集的组合治疗的最新发展，这些治疗专门针对具有异常着丝粒数目的癌细胞，并且由于其组合性质，有可能避免耐药机制。
室内设计中的极简主义概念......
摘要 室内设计专业的历史可以追溯到一百年前，在美国大约可以追溯到 1900 年。虽然我们在当今室内和室外看到的实践和设计元素、图案、主题等可以在全球许多失落的文明中追溯到，例如埃及文明、巴比伦文明、摩亨佐达罗文明等，在这些文明中我们可以看到泥屋或 kaccha 房屋的使用和那个时期的设计图案、美丽的壁画和雕塑，以及青铜和铜器等冶金物品的使用。罗马人和希腊人受到不同古老文明的启发，效仿并在室内使用马赛克地板和壁画等。随后，法国文艺复兴、巴洛克、洛可可和新古典主义艺术运动带来了更高层次的设计思维过程，例如使用彩色玻璃、瓷器和珍珠母等精致材料、精细丝绸和天鹅绒纺织品。从 19 世纪开始，当今的室内设计概念以室内设计师的名义流行起来，室内设计师既注重功能性用具，也注重个性化风格的装饰。室内设计领域经历了漫长的发展历程，从泥土、稻草、茅草和砖房到人造和合成材料，创造了全球新的流行设计理念，也为个人风格树立了榜样。室内设计被定义为一种精炼和增强空间以创造美观环境的艺术。传统上，室内设计更多地是基于艺术和工艺、规范的设计、家居造型、室内装饰和家具。本文旨在阐明以极简主义生活方式为导向的设计的必要性，而不是关注奢华、昂贵和不环保的设计概念，尤其是强调任何建筑或结构的内部和外部。关键词：绿色技术、室内设计、极简主义、可持续生活、环境
GPC-B号149双极情感障碍
基于证据的临床实践指南已通过协定工具进行了审查，以详细说明本指南进行分析（通过英语英文评估指南，对欧洲的研究和评估的缩写），评估了众所周知，该信息众所周知，这些信息既可以评估了众所周知的众所周知的众所周知的信息，又可以评估众所周知的涉及到众所周知的范围。作为有效性的标准。 “良好指南的基本要素”，包括信誉，临床适用性，临床灵活性，清晰度，过程的跨学科性，编程更新和文档。 div>
通过离子无线体内记录皮质活动
图 1 用于体内皮质离子波动记录的无线离子敏感场效应晶体管 (ISFET)。a ISFET 装置的源极和漏极连接到电容器的顶板和底板，与电路并联。b 谐振器的 Q 取决于 ISFET 栅极电极局部的离子浓度。c ISFET 的活性位点通过颅窗嵌入体感皮质表面。d 以无线方式检测到的离子波动在时间域中由 60 秒窗口内谐振器和天线之间的 S11 最小值表示。
新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs 器件耐压分析
摘要 本文通过对有源区耗尽层的分析，首次得出AlGaN/GaN HEMT中耗尽层过程不同于硅功率器件的结论。基于AlGaN/GaN HEMT这种特殊的破坏原理，提出了一种新的RESURF AlGaN/GaN HEMT结构，以降低表面电场，提高击穿电压。该结构在极化AlGaN层中引入两个不同的负电荷区，通过耗尽2DEG来降低高边缘电场；在近漏极加入正电荷，首次降低了漏极高电场峰值。应用ISE仿真软件，在器件中验证了虚拟栅极效应。
针对 130nm 至 28nm CMOS 节点的新型断态 TDDB 建模
在保证速度性能和低功耗要求的超短通道 CMOS 节点中，TDDB 仍然是一个关键的可靠性问题。在交流射频信号操作期间，“关断状态”与“导通状态”模式依次发生，从低频（kHz）到极高频范围（GHz）[1-2]。即使“关断状态”应力通常以比“导通状态”应力更小的速率降低器件性能，但它可能成为器件在射频域和毫米波应用中运行的限制因素，在毫米波应用中，电源电压 V DD 通常是逻辑应用中使用的电源电压的两倍。不仅器件参数漂移可能变得显著，而且还可能触发栅极-漏极区域的硬击穿（BD）。因此，准确评估关断状态 TDDB 的可靠性并深入了解器件级的磨损机制至关重要，因为可以在 28nm FDSOI CMOS 节点的漏极（图 1a、c）和栅极（图 1b、d）电流上观察到击穿事件。由于空穴和电子的碰撞电离 (II) 阈值能量和能垒高度不同，因此导通或关断状态下热载流子 (HC) 的产生及其 V GS / V DS 依赖性在 N 沟道和 P 沟道中明显不同[3] 。通过低栅极电压下的 HC 敏感性对 P 沟道和 N 沟道进行了比较[4]，重点关注注入载流子效率，一方面主要考虑导通状态下的热载流子退化 (HCD) 下的 P 沟道侧，另一方面考虑关断状态下的 N 沟道侧，因为热空穴注入引起的损伤和 BD 敏感性更大。这意味着高能 HC 可能在关断模式下在栅极-漏极区域触发 BD 事件[5-6]，与热空穴效率有关[7] 。
具有再生长接触和截止/... 的 Si 基 GaN HEMT
摘要 — 本研究展示了 Si 衬底上 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的高频和高功率性能。使用 T 栅极和 n ++ -GaN 源/漏接触，栅极长度为 55 nm、源漏间距为 175 nm 的 InAlN/GaN HEMT 的最大漏极电流 ID,MAX 为 2.8 A/mm，峰值跨导 gm 为 0.66 S/mm。相同的 HEMT 表现出 250 GHz 的正向电流增益截止频率 f T 和 204 GHz 的最大振荡频率 f MAX。ID,MAX、峰值 gm 和 f T -f MAX 乘积是 Si 上 GaN HEMT 中报道的最佳乘积之一，非常接近最先进的无背势垒 SiC 上耗尽型 GaN HEMT。鉴于 Si 的低成本和与 CMOS 电路的高兼容性，Si 上的 GaN HEMT 对于成本敏感的应用特别有吸引力。
治疗肠漏症的成分对培养细菌属性的影响
摘要：消费者比以往任何时候都更加了解药草、多酚、蘑菇、氨基酸、蛋白质和益生菌等功能性成分。与酸奶及其益生菌一样，L-谷氨酰胺、槲皮素、榆树皮、蜀葵根、N-乙酰-D-葡萄糖胺、甘草根、舞茸和乳清酸锌已通过肠道微生物群显示出对健康有益。这些成分对酸奶发酵剂细菌特性的影响尚不清楚。本研究的目的是确定这些成分对益生菌特性、对胃液和溶菌酶的耐受性、蛋白酶活性以及嗜热链球菌 STI-06 和保加利亚乳杆菌 LB-12 活力的影响。在培养 0、30、60、90 和 120 分钟时测定耐酸性，在培养 0、4 和 8 小时时分析耐胆汁性。在培养 0、2、4、6、8、10、12、14 和 16 小时时测定微生物生长，在培养 0、12 和 24 小时时评估蛋白酶活性。使用蜀葵根、甘草根和榆树皮可提高嗜热链球菌的耐胆汁性和耐酸性。这些成分对保加利亚乳杆菌在培养 8 小时和 120 分钟时（分别）的耐胆汁性、耐酸性和模拟胃液性特征没有影响。同样，嗜热链球菌和保加利亚乳杆菌的生长不受这些功能成分的影响。使用蜀葵根、N-乙酰-D-葡萄糖胺和舞茸可显著提高嗜热链球菌的蛋白酶活性，而保加利亚乳杆菌的蛋白酶活性不受任何成分的影响。与对照相比，蜀葵根和槲皮素样品在模拟胃液和溶菌酶体外抗性试验中分别具有更高的嗜热链球菌平均对数计数和对数计数。对于保加利亚乳杆菌，甘草根、槲皮素、蜀葵根和榆树皮样品的对数计数高于对照样品。