在本文中突出显示了通过板,楔形点和停滞点,通过多孔培养基通过多孔培养基,含有陀螺仪微生物的MHD非牛顿纳米流体的两维稳定流的数值干预措施在本文中突出显示。主要是针对三种不同的在板,韦奇和滞留点的不同几何条件的边界条件的小子数,生物对象,布朗感染,嗜热和热发电的影响,以巩固热和纳米流体浓度保守的保守方程。通过考虑各种相关参数的影响,即热循环,布朗运动,prandtl数量,热量产生,化学反应,化学反应,生物对流和磁性对象,以图形方式分析成果,用于动量,温度,温度,温度,纳米颗粒体积分数以及Motile Microorgariss的密度和局部构成的局部性以及静止效果。相关性变换用于获得普通微分方程的系统,并通过基于射击技术通过MATLAB使用BVP4C来求解方程。
这项工作的目的是评估航天器材料在使用寿命结束后会发生什么。本文介绍了航天器外部材料和空间环境的影响。本文是对航天器材料退化和地球静止轨道 (GEO) 空间碎片形成的持续研究的结果。在本文中,结合同时进行的紫外线、粒子辐射和热循环,将 20 年的 GEO 剂量分布应用于一组外部航天器材料。这些材料包括 MLI 组件、Velcros 固定和航天器涂装。对这些暴露在模拟空间环境中的外部航天器材料的评估证实了 MLI、Velcros 固定和涂装的退化、分层机制和颗粒污染的临界性。空间辐射(粒子、紫外线)和热循环的协同作用使材料老化并产生机械应力,导致脆性表面、裂缝和分层的产生。这些现象对暴露的表面造成严重损坏,改变表面的热光特性,并可能导致空间碎片的产生。具体来说,实验结果显示了内部 MLI 层的分层和 Velcros 的严重退化。
摘要。在本文中,提出了定向能量沉积过程中晶粒生长的快速模拟。控制微观结构确实对于获得所需的宏观行为至关重要。我们对温度的快速宏观模拟进行了晶粒生长的占主导地位。所提出的方法重新提出了最新贡献的耦合:(i)DED中的温度模拟,(ii)基于定向的镶嵌更新方法的晶粒生长模型的介质模型,以及(iii)晶粒生长的晶粒晶粒生长模型。一般策略是在整个过程中计算温度场作为时间的函数。在本节目中未解决初始结晶,并引入了任意的初始微观结构以测试模型。计算了由于热循环而引起的晶粒结构的随机演变,并且在整个部分中都遵循了最终的晶粒结构统计。所提出的模型非常快地可以启用大零件的模拟,并且可以执行参数研究或优化循环以调整过程参数。
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散,它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而,在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯,需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移,而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里,我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性,为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中,霍尔量子化保持在阈值磁场之上,在 2 n ΩΩ − 1 以内,小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度,而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散,它允许在较小的载流子密度下有效实现量子霍尔效应。然而,在碳化硅 (SiC) 上要实现有前景的可扩展外延石墨烯,需要分子掺杂来补偿来自 SiC 基底的电子转移,而分子掺杂在环境条件下通常不稳定。在这里,我们采用有机电子器件中常见的经典玻璃封装来钝化分子掺杂外延石墨烯以抵抗空气中的水和氧分子。我们研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性,为期近 1 年。在近 1 年的多次热循环中,霍尔量子化保持在阈值磁场之上,在 2 n ΩΩ − 1 以内,小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度,而普通的未封装设备在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
电子包由放置在套管中的印刷电路板(PCB)组成。电子电路板应在不同条件下正确运行,包括热循环,振动和机械冲击。印刷电路板需要进行电气分析,并在机械上进行优化的性能。在本文中,PCB的有限元分析(FEA)是在ANSYS中进行的,并利用模态测试对结果进行了验证。确定了PCB的固有频率和模式形状,还评估了机械冲击对PCB的影响。结果表明,PCB在0-1000 Hz范围内具有三个共振频率。使用ANSYS软件获得了与每个固有频率相关的模式形状。这些数据可用于疲劳寿命估计和机械冲击分析。在这项工作中,也通过使用Steinberg的方法来估算正弦和随机振动下电线和焊接接头的疲劳寿命估计。结果表明,根据标致标准,随机振动比谐波振动对焊点和电线的疲劳寿命的影响更大。此外,结果在随机振动和谐波振动中都通过标致标准资格。
BT 基板。封装在中介层和 BGA 基板之间有底部填充环氧树脂,并用无铅焊料进行凸块处理。标准可靠性测试是按照 JEDEC 条件“B”进行的热循环,温度为 –55 至 125 摄氏度,每小时两次。测试结果表显示在本文末尾。对于所有可靠性测试,都要对要测试的样品进行 0 次预筛选。读数在 250 次循环、500 次循环、750 次循环和 1000 次循环时完成。高频电容测量不同值的小值旁路电容器可一起使用以进行阻抗频率整形。较小值的电容器可用于非旁路应用,并提供更高的有效工作频率。下面和图 6 中绘制的是 0.304 nfd 和 14.8 nfd 电容器样本在 1 MHz 至 6 GHz 范围内测试的结果。 SR点分别约为1.4 GHz和175 Mhz。
混合元素粉末是金属增材制造中预合金粉末的一种新兴替代品,因为用它们可以生产的合金范围更广,而且由于不开发新原料而节省了成本。在本研究中,通过在 BE Ti-185 粉末上进行 SLM,同时通过红外成像跟踪表面温度并通过同步加速器 X 射线衍射跟踪相变,研究了 SLM 过程中的原位合金化和同时发生的微观结构演变。然后,我们进行了事后电子显微镜检查(背散射电子成像、能量色散 X 射线光谱和电子背散射衍射),以进一步了解微观结构的发展。我们表明,虽然放热混合有助于熔化过程,但激光熔化只会产生合金区域和未混合区域的混合。只有通过在热影响区进一步热循环才能实现完全合金化,从而获得一致的微观结构。 2021 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可协议 ( http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ ) 开放获取的文章。
摘要 - 在这项研究中,提出了六边模制面板级芯片尺度套件(PLCSP)的设计,材料,过程,组装和可靠性。重点放在PLCSP的重新分布层(RDL)上的制造,并在具有多个设备晶圆的大型临时面板上。因为所有打印的电路板(PCB)面板均处于矩形形状,因此某些设备的晶片将其切成两个或更多件,以便将面板充分利用。因此,它是非常高的吞吐量。因为所有过程/设备都是PCB流程/设备(而不是半导体过程/设备),所以这是一个非常低成本的过程。在RDL的工厂后,PCB面板中的晶片被脱落。随后是焊球安装并制造了带有RDL的原始设备晶片的六边模制PLCSP。介绍了滴测试和包括PLCSP的失败分析的结果。通过非线性温度和时间依赖的有限元模拟进行六面模制PLCSP PCB组件的热循环。
摘要 较大的朗道能级间距源于石墨烯中准粒子的线性能量动量色散,这使得在较小的电荷载流子密度下可以有效实现量子霍尔效应。然而,在碳化硅 (SiC) 上具有发展前景的可扩展外延石墨烯需要分子掺杂,而分子掺杂在环境条件下通常是不稳定的,以补偿来自 SiC 衬底的电子转移。在这里,我们采用了有机电子器件中常见的经典玻璃封装,以使分子掺杂的外延石墨烯对空气中的水和氧分子钝化。我们已经研究了玻璃封装设备中霍尔量子化的稳定性近 1 年。经过近一年的多次热循环,霍尔量子化保持在阈值磁场之上,小于 3.5 n ΩΩ − 1 的测量不确定度,而普通未封装的器件在空气中放置 1 个月后明显显示出与标称量子化霍尔电阻的相对偏差大于 0.05%。
