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World File Search System热电子
利用真空同时转换热和光...
光电效应和热电子效应在说明性实验中结合在一起，以证明太阳光和热可以同时转化为电能。当电子从阴极发射并被阳极收集时，阳极和阴极费米能级之间会产生化学势差。当电子通过负载返回发射极费米能级时，可以提取功。当电子未被热化时，它被称为“热”电子。Ross 及其同事预测，热载流子转换系统的 AM1.5 效率极限为 66%，高于纯热系统的 52% 或量子系统的 33%（例如光伏电池）。本研究旨在提供一种易于复制的实验格式来探索这些概念。作为适合学生实验室的示例，商业真空光电管被用作量子和热能转换器。由 Ag 2 O:Cs 组成的 S1 光电阴极在低温下使用，T o 100 � C，以证明加热和照明光电管转换的功率大于在黑暗中加热或在室温下照明下获得的功率。虽然此示例中的转换效率和功率产量很小（约10 � 3 %），但实验展示了如何同时利用两种形式的太阳能。它还促进了对太阳能转换器进行评估的热力学方法。本文讨论了使用铯化 III/V 材料（例如InGaAsP:Cs）作为光电阴极作为实现高效热电子器件的可能研究途径。r 2004 Elsevier B.V. 保留所有权利。
均质、微米级高能量密度物质……
短脉冲激光-固体相互作用为研究复杂的高能量密度物质提供了独特的平台。我们首次展示了固体密度微米级 keV 等离子体在高达 2 × 10 21 W/cm 2 的强度下被高对比度、400 nm 波长激光均匀加热的现象。X 射线发射的高分辨率光谱分析表明，在 1 µ m 的深度内均匀加热至 3.0 keV。粒子内模拟表明产生了均匀加热的 keV 等离子体，深度达 2 µ m。靶内深处的显著体积加热和高度电离离子的存在归因于少数 MeV 热电子被捕获并在靶鞘场内进行回流。这些条件使得能够区分高能量密度环境中电离势降低的原子物理模型。
分裂栅极 n 沟道 STI-LDMOS 晶体管中热载流子应力退化的 TCAD 模拟
本文报道了对具有 STI 结构的硅基分裂栅 n 沟道 LDMOS 晶体管中热载流子引起的退化机制的联合实验和模拟分析。在这种情况下，电子可以获得足够的动能来在硅/氧化物界面处产生带电陷阱，从而引起器件退化并导致器件电参数发生变化。特别地，已经通过实验在室温下表征了线性状态下的导通电阻退化。通过使用旨在重现退化动力学的物理模型，在 TCAD 模拟框架内重现了热载流子退化。研究了不同应力条件下的电子分布函数及其对分裂栅偏压的依赖性，从而定量了解了热电子在被测器件热载流子退化机制中所起的作用。
乔丹物理学杂志
共和国。 Doi ： https://doi.org/10.47011/13.2.9 收到日期：2019 年 11 月 28 日；接受日期：2020 年 2 月 20 日 摘要：本文讨论了两项关于树脂涂层场发射阴极的研究之间的异同。本文比较的两部作品的标题是：复合绝缘体微点阴极的热电子发射和实验场发射阴极的制备和表征方法。在文中，对这两项研究进行了回顾和背景介绍，指出并评论了这种阴极的优势特点。比较主要集中在制备方法上，包括在阴极尖端沉积薄膜和涂层本身的表征。还讨论了涂层对场发射的影响。 关键词：冷场发射，Epoxylite 478，Epoxylite EPR-4。介绍
重掺杂磷注入 4H-SiC 上的 Ni 肖特基势垒
意大利微电子与微系统研究所 (CNR_IMM)，第 VIII 大街，5 号工业区，95121 卡塔尼亚，意大利摘要研究了在重掺杂（ND >10 19 cm -3 ）n 型磷注入碳化硅 (4H-SiC) 上形成的 Ni 肖特基势垒的电行为，重点研究了正向和反向偏压下的电流传输机制。肖特基二极管的正向电流-电压特性表明，主要的电流传输是热电子场发射机制。另一方面，反向偏压特性不能用独特的机制来描述。事实上，在中等反向偏压下，注入引起的损伤是导致漏电流温度升高的原因，而随着偏压的增加，纯场发射机制趋近于。讨论了重掺杂层上的金属/4H-SiC 接触在实际器件中的潜在应用。关键词：4H-SiC，电气特性，电流传输，肖特基器件