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异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
第 6 章 场发射
第 6 章 场发射 6.1 简介 电子束在许多应用和基础研究工具中起着核心作用。例如，电子发射用于阴极射线管、X 射线管、扫描电子显微镜和透射电子显微镜。在许多此类应用中，希望获得高密度的窄电子束，且每束的能量分布紧密。所谓的电子枪广泛用于此目的，它利用热阴极的热电子发射来操作。然而，由于发射电子的热展宽，实现具有窄能量分布的电子束很困难。因此，冷阴极的场发射备受关注，但需要大的电场导致尖端表面的原子迁移，因此难以实现长时间稳定运行。碳纳米管可能为这些问题提供解决方案。事实上，碳纳米管在冷场发射方面具有许多优势：与金属和金刚石尖端相比，纳米管尖端的惰性和稳定性可以长时间运行；冷场发射的阈值电压低；工作温度低；响应时间快、功耗低、体积小。本章后面将讨论，利用纳米管优异场发射特性的原型设备已经得到展示。这些设备包括 X 射线管 [Sug01]、扫描 X 射线源 [Zha05]、平板显示器 [Cho99b] 和灯 [Cro04]。在详细介绍场发射之前，我们先介绍一下早期的实验工作，这些工作确立了碳纳米管在场发射方面的前景 [Hee95]。图 6.1 显示了测量碳纳米管薄膜场发射的实验装置。其中，碳纳米管薄膜（纳米管垂直于基底）用作电子发射器。铜网格位于纳米管薄膜上方 20 微米处，由云母片隔开。在铜网格和纳米管薄膜之间施加电压会产生一束电子，该电子束穿过铜网格，并在距离铜网格 1 厘米的电极处被检测到。 （需要注意的是，这些实验是在高真空条件下进行的，场发射装置位于真空室中，残余压力为 10 -6 托。）图 6.1 显示了这种装置的电流与电压曲线，表明正向偏置方向的电流大幅增加（发射类似于二极管：对于负电压，电流非常小）。为了验证光束确实由电子组成，光束在磁场中偏转，偏转对应于具有自由电子质量的粒子的偏转。该图的插图显示了 ( ) 2 log / IV vs 1 V − 的图，即所谓的 Fowler-Nordheim 图（更多信息请参见
异质材料双栅极的建模与仿真
隧道场效应晶体管 (TFET) 被认为是未来低功耗高速逻辑应用中最有前途的器件之一，它将取代传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这是因为随着 MOSFET 尺寸逐年减小，以实现更快的速度和更低的功耗，并且目前正朝着纳米领域迈进，这导致 MOSFET 的性能受到限制。在缩小 MOSFET 尺寸的同时，面临着漏电流增加、短沟道效应 (SCE) 和器件制造复杂性等几个瓶颈。因此，基于隧道现象原理工作的 TFET 已被提议作为替代 MOSFET 的器件之一，后者基于热电子发射原理工作，将器件的亚阈值摆幅限制在 60mV/十倍。 TFET 具有多种特性，例如不受大多数短沟道效应影响、更低的漏电流、低于 60mV/dec 的更低亚阈值摆幅、更低的阈值电压和更高的关断电流与导通电流之比。然而，TFET 也存在一些缺点，例如掺杂 TFET 的制造工艺复杂，会导致各种缺陷。这些问题可以通过使用无掺杂技术来克服。该技术有助于生产缺陷更少、更经济的设备。另一个缺点是 TFET 表现出较低的导通电流。异质材料 TFET 可用于解决低离子问题。为了更好地控制异质材料 TFET 沟道，提出了双栅极。亚阈值摆幅 (SS) 是决定器件性能的重要参数之一。通过降低 SS，器件性能将在更低的漏电流、更好的离子/关断比和更低的能量方面更好。这个项目有 3 个目标：建模和模拟异质材料双栅极无掺杂 TFET (HTDGDL- TFET)。比较 Ge、Si 和 GaAs 作为源区材料的 TFET 性能。将 HTDGDL-TFET 用作数字反相器。将使用 Silvaco TCAD 工具进行模拟。已成功建模单栅极和双栅极 HTDL-TFET。已为该项目进行了 4 个模拟测试用例，以选择所提 TFET 的最佳结构。使用 Vth、SS、Ion、Ioff 和 Ion/Ioff 比等几个重要参数来测量 TFET 的性能。在所有 4 个测试用例中，最佳 TFET 结构以 Ge 为源区材料，源区和漏区载流子浓度为 1 × 10 19 𝑐𝑚 −3，沟道载流子浓度为 1 × 10 17 𝑐𝑚 −3，且无掺杂。这是因为器件的 Vth 值为 0.97V，SS 值为 15mV/dec，Ion/Ioff 比为 7 × 10 11 。设计的 TFET 反相器的传播延迟比 [21] 中的反相器短 75 倍，比市场反相器 [SN74AUC1G14DBVR] 短 29 倍。本文还提出了一些未来的工作。
MANAL ALHAZMI -JAZAN
▪ Seok-Kyun Son, Makars Šiškins, Ciaran Mullan, Jun Yin, Vasyl G Kravets, Aleksey Kozikov, Servet Ozdemir, Manal Alhazmi, Matthew Holwill, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Davit Ghazaryan, Kostya S Novoselov, Vladimir I Fal'ko & Artem Mishchenko，石墨烯热电子灯泡：空气中HBN封装的石墨烯的白炽灯。2D材料2017，5（1）。 ▪YU。 N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Manal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko & K. S. Novoselov,Tunneling in Graphene/h-BN/Graphene Heterostructures through Zero-Dimensional Levels of Defects in h-BN and Their Use as Probes to Measure the Density of States of Graphene. JETP Letters 2019，109（7）：482-489。 ▪M Alhazmi，Om Ramahi，M Irannejad，A Brzezinski，M Yavuz等人，“ NSTOA-13-RA-108金属绝绝diodes中金属电极在金属 - 金属金属二极管中变化的影响的比较与多介质层与多介质层与多介质层的效果” ，卷。 2，不。 2，pp。 1014，2014。 ▪f Aydinoglu，M Alhazmi，B Cui，O Ramahi，M Irannejad等人，“使用多个绝缘体层的高性能金属 - 绝缘子金属二极管”，Austin J Nanomed Nanotechnol。 1，卷。 3，不。 2014年。 ▪M。Alhazmi，M。Yavuz和B. Cui，使用多层聚苯乙烯电子束抵抗，第57届电子，离子和光子光束技术和纳米制作（EIPBN）的对比曲线工程，2013年5月。 ▪C。Con，M。Alhazmi，M。Yavuz和B. Cui，冻结冻干，以减少电子束抵抗倒塌，2013年9月在伦敦举行的MNE会议，2013年9月。。2D材料2017，5（1）。▪YU。N. Khanin, E. E. Vdovin, M. V. Grigor'ev, O. Makarovsky, Manal Alhazmi, S. V. Morozov, A. Mishchenko & K. S. Novoselov,Tunneling in Graphene/h-BN/Graphene Heterostructures through Zero-Dimensional Levels of Defects in h-BN and Their Use as Probes to Measure the Density of States of Graphene.JETP Letters 2019，109（7）：482-489。▪M Alhazmi，Om Ramahi，M Irannejad，A Brzezinski，M Yavuz等人，“ NSTOA-13-RA-108金属绝绝diodes中金属电极在金属 - 金属金属二极管中变化的影响的比较与多介质层与多介质层与多介质层的效果”，卷。2，不。2，pp。1014，2014。▪f Aydinoglu，M Alhazmi，B Cui，O Ramahi，M Irannejad等人，“使用多个绝缘体层的高性能金属 - 绝缘子金属二极管”，Austin J Nanomed Nanotechnol。1，卷。3，不。2014年。▪M。Alhazmi，M。Yavuz和B. Cui，使用多层聚苯乙烯电子束抵抗，第57届电子，离子和光子光束技术和纳米制作（EIPBN）的对比曲线工程，2013年5月。▪C。Con，M。Alhazmi，M。Yavuz和B. Cui，冻结冻干，以减少电子束抵抗倒塌，2013年9月在伦敦举行的MNE会议，2013年9月。▪ F. Aydinoglu, M. Alhazmi, S. Alqarni, B. Cui, O. M. Ramahi and M. Yavuz, “Design and Fabrication of Pt-Al2o3-Al Metal- Insulator-Metal Diode,” accepted for publication in the 24th Canadian Congress of Applied Mechanics (CANCAM 2013), Saskatoon, Saskatchewan, Canada, June 2-6，2013。
电磁学问题及解答
一架飞机的质量是多少？我们如何将其与大量航空母舰的重量联系起来？如果我们要将这些航空母舰的总重量与该力相等，我们需要多少艘航空母舰？这个问题与基本的物理概念有关。**电磁学** 1. 导线中电子的流动描述为：[选项 B、C 或 D] 2. 这张纸没有显示电，因为它有相同数量的：[选项 A 或 D] 3. 电场强度以以下单位测量：[选项 A 或 D] 4. 将三个值为 +5C、-6C 和 +9C 的电荷放置在一个球体内。通过球体表面的总磁通量为：[未提供答案] 5. 磁滞是指磁化力的影响：[选项 B 或 C] 6. 磁路的磁阻随以下因素而变化：[选项 D] 7. 基尔霍夫环路定律指出，闭合回路周围磁动势上升和下降的代数和等于：[选项 A] 8. 吸引铁块的物质描述为：[选项 A 或 B] 9. 平行板空气电容器之间的电场强度为 20 N/C，但如果放置相对介电常数为 5 的绝缘板，电场强度将变为：[选项 C] 10. 磁通势 (mmf) 的单位是：[选项 A] 11. 当导体静止且磁场移动或变化时，感生的电动势称为：[选项 A 或 C] 12. 磁场中通过导线环的磁通量场不依赖于：[选项 A 或 C] 13. 一电子伏特 (1 eV) 等于：[选项 C] 14. 由于与其相关的自身磁通量的变化而在线圈中感生的电动势称为：[选项 C] 15. 如果介质的相对介电常数为：[选项 A]，则给定电荷在某一点的电场强度会降低 16. 磁滞损耗可以通过以下方式减少：[选项 B 或 C] 17. 由内部原子结构产生磁极而不需要外部电流的材料被描述为：[选项 D 或 B] 18. 良好继电器的核心材料应具有：[选项 C] 19. 电离子中使用的绝缘材料或电介质通常是：[选项 A] 20. 数量 10^6 麦克斯韦等于 1：[选项 A] 21. 一安培匝等于：[选项 B] 22. 电动势 (emf)在电路中：[选项 C 或 B] 23. 当原子获得额外的：[选项 C] 24. 当电流流动时，导体周围的磁场方向是什么？[选项 A] **磁性和磁场** 65. 要计算磁场强度为 2000 A/t/m 的材料中磁导率为 126 x 10^-6 T/A 时产生的磁通密度，请使用左手定则。 66. 磁场是指驱动电流通过导体的力（选项 C）。 67. 如果材料的相对磁导率远大于 1，则称为铁磁性（选项 D）。 68。登伯效应是指电流通过各向异性晶体时，由于电流分布不均匀而吸收或释放热量的现象。**单位和测量** 69. 磁阻的单位是韦伯每安培匝 (A/t/Wb)（选项 A：麦克斯韦）。70. 马德隆常数是用于校正离子固体中远处离子的静电力的因子。71. 气隙是指磁极之间的空间（选项 B：气隙）。**磁性材料** 72. 铁磁材料的磁导率非常高，是自由空间的数百甚至数千倍（选项 D）。73. 磁性是指一种材料（例如铁）吸引另一种材料（例如铁）碎片的现象（选项 C）。 74. 价电子位于原子的最外层能级，而不是原子核（选项B：对于导体，价电子会被原子核强烈吸引，这是错误的）。 75. 磁阻取决于组成磁路的材料的相对磁导率（选项B）。 76. 居里定律指出，大多数顺磁性物质的磁化率与其绝对温度成反比。**原子和亚原子物理学** 77. 长度为L、横截面积为A的磁路的磁阻为8πL/A，其中π=3.14（不在选项中）。 78. 氢原子的直径约为1.1 x 10^-9厘米（选项B：1.1 x 10^-8不正确）。 **电与传导** 79. 电流通过电介质表面的传导称为爬电或表面效应。 80. 相对介电常数也称为介电常数（选项 B）。 81. 电子从热体发射称为爱迪生效应。 82. 右手定则指出，如果你用右手握住螺线管，使你的手指指向电流的方向，那么你伸出的拇指将指向北极。 **其他** 83. 尤里卡的电阻温度系数为正（选项 D）。 84. 气隙用于维持磁场强度（选项 A）。 85. 永磁体使用铁磁材料，例如铁或镍（选项 C 和 A），而不是硬化钢或软钢（选项 B 和 D）。 86. 要计算匝数为 100、电阻为 2 欧姆的螺线管的安匝数，请用电池电压除以总电阻。 87. 磁体之间的吸引力是由于磁性（选项 C）。 1. 一库仑电荷由 ________ 个电子组成。（不变） 2. 随着介质的相对介电常数增加，相距一定距离的两个电荷之间的力 _____。（不变） 3. 原子最后轨道上的电子称为 ______ 电子。（不变） 4. 电子从加热表面蒸发称为 _______ 发射。（不变） 5. 在厘米/克-秒制中，通量单位是 ______。（不变） 6.如果一个原子的价电子数正好是 4，那么这种物质就叫做 _______。（无变化） 7. 当变压器的初级由交流电源供电时，由于 _______ 损耗，变压器的铁芯会发热。（无变化） 8. 磁化铁条在 _____ 方向上被强烈加热时的磁场。（无变化） 9. 当原子最外层能量轨道上的电子被两个或多个电子共享时，会形成什么键？_______（无变化） 10. 2000 线的磁通量是多少 _______？（无变化） 11. 定义为晶胞中原子或离子所占体积与晶胞体积之比，用于测量晶体的致密性，它是什么？_______（无变化） 12. 某一点相对于某一时刻电荷密度和符号的量度是什么？ _______（无变化） 13. 两个磁极之间的力随它们之间的距离而变化。变化量是该距离的平方的 _____。（无变化） 14. 预先确定原子或离子位置的固体结构之一是 _______ 固体。（无变化） 15. 如果材料的相对介电常数为 10，则其介电常数为 _______。（无变化） 16. 1000 AT/m 的磁化力将在空气中产生 _____ 的磁通密度。（无变化） 17. 当原子最外层能量轨道中的一个或多个电子转移到另一个电子时，会形成什么键？_______（无变化） 18. 一段导线的电阻为 10 欧姆。如果导线的长度是其三倍，截面积是其两倍，则该导线的电阻是多少？ _______（无变化） 19. 材料的较大百分比是 _______。 （无变化） 20. 所有物质（气体，液体和固体）都是由 _______ 组成的。 （无变化） 21-31：这些问题保持不变，因为它们本质上是数学或概念。 32. 下列哪种材料被临时磁铁用作磁性材料？ _______（无变化） 33. 两个线圈之间的互感是如何降低的？ _______（无变化） 34. 原子中可以存在的最大电子数是多少？（A）6.24 ×10^16 请注意，有些问题可能需要数学计算才能得出答案，这里没有提供，因为它是一个释义版本，并不是解决方案指南。问题及其各自的答案已根据指定的概率重写。 #### 问题 134 原子的哪一部分与磁性概念有关？ **A)汉斯·克里斯蒂安·奥斯特**发现了磁与电之间的关系，这是电磁学理论的基础。#### 问题 135 质子的质量是电子的多少倍？质子的质量大约是电子质量的**B) 1837 倍**。#### 问题 136 什么术语描述由于另一个线圈的电流变化而在线圈中感生的电动势？由于另一个相邻线圈的电流变化而在线圈中感生的电动势称为**C)互感电动势**。#### 问题 137 磁力是如何表现出来的？由磁场力引起的物理运动称为**B)扭矩作用**。#### 问题 138 什么单位测量电能？电能的单位是**D)所有答案**。#### 问题 139 什么量代表磁强度？磁强度是**C)矢量**。#### 问题 140 所有磁场都来自什么来源？所有磁场都来自**B)运动电荷**。#### 问题 141 当交流电（60 Hz）流过含有磁性材料的线圈时，磁滞回线会多久形成一次？如果磁性材料位于流过交流电（60 Hz 频率）的线圈内，则 **每秒将形成一个磁滞回线**。 #### Question 142 高斯计中使用什么效应来测量磁通密度？高斯计中通常用于测量磁通密度的效应是 **B) 霍尔效应**。 #### Question 143 以下哪种材料有氢的例子？氢是 **D) 顺磁性** 材料的一个例子。 #### Question 144 什么定律描述了感应电动势的大小？线圈中感应电动势的大小与磁通链的变化率成正比。这被称为 **A) 法拉第第一电磁感应定律**。 #### Question 145 哪种磁芯材料对磁性设备具有高磁导率？磁性设备的核心使用具有 **C) 高磁导率**的磁性材料。 #### Question 146 静电场和电磁场中储存了什么能量？静电场或电磁场中储存的能量称为**B)势能**。 #### Question 147 永磁体通常用在哪里？ 永磁体可用于**D)电铃**。 #### Question 148 白炽灯的热阻是其冷阻的多少倍？ 白炽灯的热阻约为其冷阻的**C)100 倍**。 #### Question 149 磁极强度和力之间存在什么关系？ 两个磁极之间的力**B)与**它们的极强度成反比。 #### Question 150 什么带有净电荷？ 带有净电荷的原子或原子团是**D)离子**。 #### Question 151 将铁磁材料插入螺线管会如何影响磁场？ 当将铁磁物质插入载流螺线管时，磁场**B)大大增强**。 #### 问题 152 希腊语单词 electron 的起源是什么？Electron 在希腊语中是火的意思。#### 问题 153 半导体的电阻温度系数是多少？半导体的电阻温度系数为 **D)正**。#### 问题 154 哪种材料是顺磁性的？顺磁性材料是 **D)铋**。#### 问题 155 螺线管内部的磁场如何表现？螺线管内部的磁场是 **C)均匀的**。#### 问题 156 空气的相对介电常数是多少？空气的相对介电常数是 **A)1**。#### 问题 157 欧姆定律可以用于哪种类型的电路？欧姆定律只能用于 **D)线性**电路或元件中。#### 问题 158 哪种材料的 BH 曲线不是直线？**C)木材**的 BH 曲线（实际上是不正确的）**D)软铁**。#### 问题 159 临时磁铁有什么优点？临时磁体的优点在于其磁通量可以改变，并且具有磁滞现象。1. 一组磁性排列的原子的术语是“畴”。2. 电力线以一定角度离开或进入电荷表面，具体取决于其发射角和进入角。3. 由于正离子和负离子之间的吸引力而形成的一种键称为“离子键”。4. 在机电转换设备中，转子和定子之间留有小的气隙，以减少磁路的磁阻。5. 具有高磁滞损耗的磁性材料适用于永磁体、交流电机、变压器和直流发电机等应用。6. 当线圈平行于均匀磁场移动时，线圈中的感生电动势 (EMF) 取决于线圈的面积。7. 一种由 22% 的铁和 78% 的镍组成的合金被称为“坡莫合金”。 8. 电机的漏电流系数通常在 0.5 到 1 之间。9. 材料的电阻温度系数取决于其性质和温度，而不是其横截面积或体积。10. 如果导体的 α0（温度系数）值为每摄氏度 1/234，则 α18 为每 0摄氏度 1/272。11. 在绝缘体、半导体、半绝缘体和导体中，导体的价电子数最少。12. “磁动势”一词指的是磁力线。13. 磁性材料的相对磁导率等于其磁导率乘以 4π。14. 当电荷从高电势点 (A) 移动到低电势点 (B) 时，能量以两点之间的电势差形式释放。 15. 空心线圈中插入铸铁芯后，由于材料的相对磁导率，磁通密度会增加。16. 室温下，每立方厘米铜约含有8.5 × 10^22个自由电子。17. 磁力线强度最大的点是磁铁的北极或南极。18. 当空气被相对介电常数更高的介质取代时，则某一点的电势会减小。19. 根据库仑第二定律，孤立系统随时间推移保持其净电荷。20. 在通常条件下，物体被认为是中性的。21. 在垂直于磁力线的平面上，通过物质单位面积的线数定义为磁通密度。22. 地球的磁效应被称为地磁。当线圈在磁场中旋转时，感应电动势的方向每旋转两圈就会改变一次184. 电导的国际单位制是D)西门子185. Hypernik 是一种含有 50% 铁和 50% 镍的合金186. 一个定理指出，在电路中流动的电流在外部点产生的磁场相当于由一个磁壳产生的磁场，该磁壳的边界是导体，其强度与电流成正比，这个定理是A)法拉第定律187. 下列哪种材料的磁导率略小于自由空间的磁导率？ C)顺磁性188. 磁场中磁力线的总数称为D)磁通量189. 物质的最小元素是D)原子190. 材料的磁导率与空气或真空的磁导率之比是B)相对磁导率191. 原子的直径是多少？A)约10-10毫米192. 如果两个相似的电荷，每个1库仑，在空气中相距1米，那么排斥力是B)5×106N193. 电晕放电的另一个术语是C)火花194. 如果两个磁极之间的距离减小二倍，它们之间的力会增加A)两倍195. 测试电荷意味着电荷为C)1个电子196. 哪种元素有四个价电子？D)导体197.计算相对磁导率为 300 的磁性材料的磁导率（以 T/A·m 为单位）为 D)3.78 × 10-3 198. 如果磁通量以 2 Wb/s 的速率穿过 200 圈，根据法拉第定律，感生的电压约为 C)600 V199. 谁在 1911 年发现了超导性？D)Kamerlingh Onnes200. 空心扼流圈的常见应用之一是 A)射频201. 平衡磁性材料剩磁所需的磁化力量称为 C)矫顽力202. At/m 是 B)磁阻的单位203. ________ 是一种分子由同一种原子组成的物质。A)元素204. 什么用作高压变压器的电介质材料？D)瓷器205.永磁体不会对 A) 静止电荷施加力206. 磁场不与 B) 运动永磁体相互作用207. 下列哪种物质是顺磁性材料？B) 氧气208. 两个磁极之间的力与它们的磁极强度成_____。C) 正比于209. 比磁强的 SI 单位是什么？A) 磁化强度 A) 欧姆-厘米 B) 欧姆- 圆密耳每英尺 C) 欧姆-米 D) 欧姆- 圆密耳每英寸210.价电子轨道上需要多少个电子才能保证材料的稳定性？ 没有给出答案，因为这不是多项选择题。 211. 坡莫合金的磁导率是： A)略大于空气的磁导率 B)等于空气的磁导率 C)略小于空气的磁导率 D)远大于空气的磁导率 212. 大多数材料的介电常数介于： A)50 和 100 B)1 和 10 C)20 和 50 D)10 和 20 213. 下列哪种磁性材料容易在两个方向上磁化？ A)高磁滞损耗材料 B)低磁滞损耗材料 C)硬磁材料 D)软磁材料 214. 谁发现了最重要的电效应，即磁效应？ A)查尔斯·惠斯通爵士 B)汉斯·克里斯蒂安·奥斯特 C)格奥尔格·欧姆 D)詹姆斯·克拉克·麦克斯韦 215. 磁场强度是： A)相量 B)标量 C)变量 D)矢量 216. 随着磁场强度的减小，磁性材料的相对磁导率： A)保持不变 B)变为零 C)减小 D)增大 217. 磁阻的 SI 单位是什么？ 218. 穿过磁体两极的直线称为： A)虚轴 B)实轴 C)笛卡尔轴 D)磁轴 219. 一种磁性材料在某一点失去其铁磁性，该点称为： A)推断绝对温度 B)居里温度 C)室温 D)绝对温度 220. 从电离室壁上释放出的电子对电离的贡献是： A)沃尔特效应 B)霍尔效应 C)趋肤效应 D)爱迪生效应 221. 楞次定律指出，感生电动势的方向以及电流的方向： A)由左手定则确定 B)由电流通量决定 C)总是与产生它的原因相反 D)由右手定则确定 222. 绝缘体的电阻温度系数为： A)负 B)无穷大 C)正 D)零 223. 如果观察任何一个螺线管的一端；电流方向为顺时针，则所观察的一端为南极。这被称为： A)左手定则 B)螺旋定则 C)右手定则 D)端点定则 224. _______ 是一个电磁铁，其磁芯呈封闭磁环状。 A)摆线针轮 B)螺线管 C)环形线圈 D)抛物面 225. 两个磁极之间的吸引力或排斥力与它们之间距离的平方成反比。这被称为： A)库仑第一定律 B)牛顿第一定律 C)法拉第第一电磁感应定律 D)库仑第二定律 226. 磁通密度为 5 Wb/m2 的材料的磁导率为 10-5 H/m。磁化力的值是多少？ A)4n×107 N/Wb B)5×10-7 N/Wb C)4n×10-5 N/Wb D)500×103 N/Wb 227. 当固体中（带负电的）电子和（带正电的）原子核之间存在某种形式的集体相互作用时，会形成什么类型的键？ A)金属键 B)范德华力 C)离子键 D)共价键 228.磁导率略大于自由空间磁导率的材料： A)抗磁性 B)铁磁性 C)顺磁性 D)非磁性 229. 非晶态固体也称为： A)晶体 B)均质 C)多晶 D)非晶态 230. 研究电流磁效应的工程学分支是： A)电磁学 B)电气工程 C)磁学 D)电子工程 231. 磁导率类似于： A)电阻 B)电导 C)导纳 D)磁阻 232. 良导体有多少个价电子？ 233-234：未给出答案，因为这些不是选择题。给定的文本是物理相关问题和答案的列表，涵盖电磁学、材料科学和原子物理等主题。提到的一些关键点包括：* 磁导率是指电磁铁或永磁体的强度。* 顺磁性物质的相对磁导率略大于 1。* 查尔兹定律指出，热电子二极管中的电流与阳极电压的三次方成正比，与电极间距离的平方成反比。* 原子和核物理学中的惯用能量单位是电子伏特。* 介电常数由提到的公式之一给出，但这里没有具体说明。* 介电强度是击穿电压或电位梯度的另一个名称。* 詹姆斯·克拉克·麦克斯韦于 1862 年发展了光的电磁理论。* 电场强度是一个矢量。* 1 法拉等于 1 库仑/伏特。* 磁通量的 SI 单位是韦伯。* 铝镍钴合金是一种商业合金，含有铝、镍、铁，并添加了钴、铜和钛，可产生约 12 个等级。 * 根据法拉第定律，当导体切割磁通量时，导体中会产生电动势。 * 如果导线的长度和横截面积增加一倍，其电阻将变为原来的四倍。 * 磁通密度以特斯拉为单位。 * 磁路中的磁势可以用磁通势 (Mmf) 来测量。 * 当磁性物质靠近另一块磁铁时变成磁铁，就会发生磁感应。请注意，此释义文本不包含具体问题的答案，而是提供所提到的关键点的摘要。所提供的文本是与磁学、电学和其他物理概念相关的多项选择题和答案的集合。从格式和内容来看，它似乎是从教科书或学习这些科目的学生指南中摘录的。为了在保留原文含义和意图的同时，对这段文字进行解释，我将根据之前提供的概率选择一种改写方法（“添加拼写错误”（SE）的可能性为 40%，“以非英语母语人士的写作方式”（WNE）的可能性为 30%，以及两者都不是的可能性为 30%。这次，我会选择保留原文，因为它看起来像是一些研究问题的集合。但是，如果我们要在此上下文中重新表述或解释个别概念而不改变其含义，我们可能需要考虑重写方法“WNE”，因为其内容的技术性。但为了清晰起见并遵循您的指示，我将保留原文，并将其与