加速过渡到碳中立性的另一种重要成分是可再生氢。是由可再生电的水电解产生的,现在这种气体是脱碳目标的核心:它可以以氢(或甲烷化过程后的甲烷)的形式存储可再生的电力,并脱碳,用于当前大量使用氢(氢,炼油厂,化学物质,以及其他难以以其他方式脱碳的工业领域(钢铁行业)。最后,可再生氢有望逐步有助于迁移率的脱碳,无论是随着合成燃料(海上,航空)的发展还是随着配备有燃料电池的“零排放”车辆的发展而发展的道路行动性。
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1 https://ghgprotocol.org/sites/default/default/dandards/dandards/ghg-protocol-revise.pdf(第25页)2 https://ghgprotocol.org/sites/defiles/defiles/defiles/defiles/files/files/dandards/andandards/dandards/ghg-protot-colot-colot-colot-cocol-revise.pdf(Page 8888)1 https://ghgprotocol.org/sites/default/default/dandards/dandards/ghg-protocol-revise.pdf(第25页)2 https://ghgprotocol.org/sites/defiles/defiles/defiles/defiles/files/files/dandards/andandards/dandards/ghg-protot-colot-colot-colot-cocol-revise.pdf(Page 8888)
•其分子具有相同的特性,无论生产方法如何•安全标准和法规是色盲和技术不可知的•分裂,因此通过颜色编码来歧视生产途径是错误的方法•脱碳是关键词!
1.1机器设计硕士学位(2年释放)申请人必须是工业和制造工程学学士学位学士学位,生产工程,机械工程,机械工程,化学工程,化学工程或任何同等荣誉学位。拥有相关的工程实践经验将是一个额外的优势。 1.2石化技术硕士学位(2年释放)申请人必须是化学和工艺系统工程,工艺工程,化学工程,燃料工程,生产/工业和制造工程或任何等效荣誉学士学位的技术荣誉学士学位。 1.3电信和无线系统技术硕士学位(2年释放)申请人必须是电子工程,电信工程,电子和仪器工程,电子和通信工程或任何等价荣誉学士学位的技术荣誉学士学位。 1.4计算机集成制造技术硕士学位(2年释放)申请人必须是工业和制造工程,材料技术和工程,电子工程,化学工程/技术或任何同等荣誉学位的工业和制造工程学士学位学士学位。 拥有相关的工程实践经验将是一个额外的优势。拥有相关的工程实践经验将是一个额外的优势。1.2石化技术硕士学位(2年释放)申请人必须是化学和工艺系统工程,工艺工程,化学工程,燃料工程,生产/工业和制造工程或任何等效荣誉学士学位的技术荣誉学士学位。1.3电信和无线系统技术硕士学位(2年释放)申请人必须是电子工程,电信工程,电子和仪器工程,电子和通信工程或任何等价荣誉学士学位的技术荣誉学士学位。1.4计算机集成制造技术硕士学位(2年释放)申请人必须是工业和制造工程,材料技术和工程,电子工程,化学工程/技术或任何同等荣誉学位的工业和制造工程学士学位学士学位。拥有相关的工程实践经验将是一个额外的优势。拥有相关的工程实践经验将是一个额外的优势。
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首席研究者已经对GO纳米片的基本物理特性和应用进行了研究。在GO纳米片和GO膜中的离子电导率中,我们发现离子电导率超过了Nafion的电导率。在还原形式的情况下,RGO,还通过还原方法成功控制了P型,N型和解体半导体特性的降低形式。此外,GO的氧官能团是负电荷的,杂种是通过与各种金属离子的静电相互作用形成的,并且发现以RGO杂种,金属氧化物和金属纳米颗粒的降低形式在RGO纳米片上支持。在GO和RGO纳米片的合成中,使用液体等离子体掺杂了各种原子,并且通过热液合成和Freeze-Drysing从GO和RGO纳米片形成的3D结构也成功。因此,着重于研究获得的材料中的钻石相变,我们首先合成了N-RGO的氮掺杂钻石。尽管结果是初步的,但我们观察到在纳米颗粒相中T C = 30 K的Meissner效应,而在大量相中,T C = 130 K。此外,从高温和高压在高压中合成的钻石显示出T C = 65 K的铁磁过渡。此外,它们还致力于合成硼掺杂和氧气掺杂的钻石。这些结果表明,在掺杂的钻石中开发各种功能材料的有效性,并且有必要迅速促进掺杂或表面修饰的钻石的研究和开发。
* 巴塞尔大学物理系,Klingelbergstrasse 82, 4056 Basel,瑞士(michel.calame@unibas.ch;blaise.jeanneret@metas.ch)摘要 — 石墨烯是一种由碳原子以六边形晶格排列的单原子厚度材料,由于其有趣的电气和机械特性而被广泛吹捧为新的神奇材料 [1]。特别是在石墨烯中观察到的量子霍尔效应 (QHE) 为新的量子电阻标准开辟了道路。我们的研究重点是化学气相沉积 (CVD) 石墨烯的 QHE 和拉曼表征。在本文中,我们描述了石墨烯薄膜的 CVD 生长、它们向基材的转移以及使用拉曼光谱和电传输测量对其进行表征。索引词 — 石墨烯 (G)、化学气相沉积 (CVD)、铜 (Cu)、量子霍尔效应 (QHE)。引言 2004 年发现石墨烯后不久 [2],石墨烯薄膜在室温和极高磁场中表现出非常清晰的 QHE 特征 [3]。这一观察结果引发了电工计量界的热烈讨论,人们设想开发一种新型初级电阻标准。如今,人们已经在石墨烯薄膜上实现了量子霍尔电阻 (QHR) 的精确测量,精度达到了前所未有的 8.6 × 10 -11 μΩ/Ω [4]。这些结果是在 Si/C 单晶基板上生长的石墨烯薄膜上获得的。另一个有前途的测量方法是使用