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反复暴露氟津兰杀菌剂会影响基因表达曲线，但在非目标有害生物上没有任何成本
Saifullah，S.，Margus，A.，Kankare，M。，＆Lindström，L。（2022）。反复暴露于氟氮目杀菌剂会影响基因表达曲线，但在非目标害虫上没有任何成本。昆虫科学，29（5），1373-1386。 https://doi.org/10.1111/1744-7917.13013
您的大脑在食物上
我在这本书中提出的主要观点是，您消耗的任何东西 - 您服用的药物，吃的食物 - 都可以表现出神经元的行为，然后，随后，您的思维和感觉。在说明这一点的过程中，我研究了神经科学家目前对大脑中特定药物和食物的行为的了解，并试图通过展示如何通过“喂养”来改变其工作来改善自己的大脑的不深刻。i描述了几种新晶状体系统，包括它们在大脑中的基本作用，并探索各种物质（无论它们是否种植提取物，坚果，蘑菇，香料，巧克力或药物和招募药物）如何影响这些神经递质的生产，从而从神经元中释放出神经元，并从最终的mate Intraction和Excrition中释放出来。我还讨论了大脑在某些经历中的作用，例如幻觉，宗教信仰，痛苦和衰老过程，以及这些经历受我们消耗的影响的程度。in
在核心兼容的底物上确定性地在六角硼氮化物中创建量子发射器
摘要：托有室温单光子发射器（SPE）的二维六角硼（HBN）有望用于量子信息应用。朝着HBN实际应用的重要一步是按需，位置控制的SPE。报告的用于确定性创建HBN SPE的策略要么依赖于与综合光子学不兼容的基材纳米图案，要么利用可能引入不可预测的HBN损害或污染的辐射源。在这里，我们报告了一种无辐射和光刻的途径，以确定性地通过纳米引导使用原子力显微镜（AFM）激活HBN SPE。该方法适用于二氧化硅 - 硅底物上的hbn扁曲，可以很容易地集成到片上光子设备中。对于多个凹痕尺寸，所达到的SPE收率高于30％，并且在400 nm左右的凹痕显示最大产量为36％。我们的结果标志着HBN SPE与光子和等离子设备的确定性创建和整合的重要一步。关键字：HBN，单光子发射器，原子力显微镜，纳米凹痕，片上积分■简介
磁铁溅射技术，用于分析RF溅射功率对沉积在SIO2/SI底物上的铝薄膜微结构表面形态的影响
摘要在这项研究中，铝（Al）薄膜使用RF磁铁溅射技术沉积在SIO 2 /Si底物上，以分析RF溅射功率对微观结构表面形态的影响。采用不同的溅射RF功率（100-400 W）形成薄膜。使用X射线衍射模式（XRD），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和傅立叶转换红外（FTIR）光谱研究，研究了沉积的Al薄膜的特征。X射线衍射（XRD）结果表明，低溅射功率的沉积膜具有无定形性质。通过增加溅射功率，观察到结晶。AFM分析结果表明，300 W的RF功率是增强最光滑的Al薄膜的最佳溅射功率。FTIR结果表明，不同的RF功率会影响沉积膜的化学结构。SEM结果表明，通过增加旋转功率，可以导致在底物表面形成孤立的纹理。总而言之，RF功率对沉积膜的性质，尤其是结晶和形状有重大影响。
b“机械：烘干机通风口长度、防火挡板位置以及穿透组件的适当额定值，在平面图上清楚列出额定组件、室外空气/通风计算、平面图上正确的 UL 组件细节、1 型罩和相关管道系统的详细平面图（如适用）、气体管道图（系统上的总 Btu、管道材料、系统压力、调节器位置、管道距离）、百叶窗和风扇位置、管道系统、管道探测器位置、指示新鲜空气、供应、回流和排气位置和 cfm 的空气分配装置、16' 建筑物上的永久屋顶通道、所有 HVAC 设备的位置，提供所有 HAVC 设备的详细时间表”
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基于菠菜的光催化剂，用于在基于聚酰亚胺基底物上的微观电路
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van der waals底物上3D半导体的催化介导的外观
在开发新的设备和功能时，在不同结构和键合的材料之间形成了良好的控制界面。特别重要的是二维材料和三维半导体或金属之间的外延或低缺陷密度接口，其中界面结构在场效果中影响电导率以及光电设备的电导率，纺丝和典型的超元诱导的纤维传递。外延，因此已经证明了范德华键入底物上的几种金属的界面结构。在这种底物上的半导体外延很难控制，例如在石墨烯上Si和GE的化学蒸气沉积过程中。在这里，我们展示了一种催化介导的het-伴随的方法，以实现三维半导体的外延生长，例如van der waals键入的材料，例如石墨烯和六边形硼硝基。外在通过固体金属纳米晶体从底物“转移”到半导体纳米晶体，很容易在底物上排列并催化半导体的对准核的形成。原位透射电子显微镜使我们能够阐明此过程的反应途径，并表明固体金属纳米晶体可以在温度明显低的温度下催化半导体的生长，而不是直接化学蒸气沉积或由液体催化剂液滴介导的沉积。我们将GE和SI增长作为模型系统讨论，以探讨这种异互隔开的细节及其对更广泛材料的适用性。
纳米结构的镍 - 果胶 - 荷兰合金在钛底物上生长的
能源系统和工程系，大江吉布克科学技术学院（DGIST），50-1 Sang-ri，Hyeongpung-Myeon，Dalseong-Gun，Dalseong-Gun，Daegu，Daegu，42988，
![与三个传入波混合的三波混合：信号式的相干衰减和增强参数放大器的增强
了解开发过程中大脑健康的社会决定因素
Robert Kasumba -CDN
将光与核自旋气体耦合，其两光子线宽为五millihertz
aurosilane -siau4 -cdn
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草稿研讨会议程 - CDN
门泄漏电流和时间依赖于商业1.2 KV 4H-SIC功率MOSFET的电介质分解测量
保护和... -CDN 的量子微波工程
b"10 By contrast, from expressions (10) and (11), the distribution of the markup conditional on the lowest cost is Pr[ C (2) /C (1) \xe2\x89\xa4 m | C (1) = c 1 ] = 1 \xe2\x88\x92 exp \xe2\x88\x92 ( m 1 /\xce\xb8 \ XE2 \ x88 \ x92 1）\ xce \ xa6 c \ xce \ xb8 1。在单元持续货物上的技术异质性的指定\ XAC \ XAC \ x81cation，此后广泛使用了这种方法。”
sic 中NV中心的射频信号的量子传感
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与三个传入波混合的三波混合：信号式的相干衰减和增强参数放大器的增强 了解开发过程中大脑健康的社会决定因素 Robert Kasumba -CDN 将光与核自旋气体耦合，其两光子线宽为五millihertz aurosilane -siau4 -cdn 捕获并逆转量子跳跃中部 - cdn 草稿研讨会议程 - CDN 门泄漏电流和时间依赖于商业1.2 KV 4H-SIC功率MOSFET的电介质分解测量 保护和... -CDN 的量子微波工程 b"10 By contrast, from expressions (10) and (11), the distribution of the markup conditional on the lowest cost is Pr[ C (2) /C (1) \xe2\x89\xa4 m | C (1) = c 1 ] = 1 \xe2\x88\x92 exp \xe2\x88\x92 ( m 1 /\xce\xb8 \ XE2 \ x88 \ x92 1）\ xce \ xa6 c \ xce \ xb8 1。在单元持续货物上的技术异质性的指定\ XAC \ XAC \ x81cation，此后广泛使用了这种方法。” sic 中NV中心的射频信号的量子传感 b''
基于三波混合的参数放大器是电磁信号处理的基本过程[1]，无论是在光学和微波频域中。最近，随着量子信息科学的出现，三波混合为单个光子水平[2，3]的测量提供了一个基本的构建块，在此至关重要的是，非线性混合过程纯粹是消除的。一类重要的参数放大器利用三波混合来通过向下转换较高的频率泵场的转换来扩大传入的信号场。放大过程涉及在角频率下传入的泵photon！p以频率分为传出的信号和怠速光子！s和！i，在哪里进行。p¼！sÞ！i。自非线性光学元件早期以来，就已经知道了经典级别的三波混合过程原则上是可逆的和相位敏感的。在三波混合的情况下，这是最容易看到的，这是通过制作不耗尽的泵近似，从而导致信号和惰轮的线性两端口散射矩阵。通常仅在信号端口的输入中运行非排定副标，从而导致相位呈现相位的放大器，并带有功率增益，G 0。However the S matrix has two eigenvectors corresponding to inputs on both signal and idler port, with reciprocal eigenvalues given approximately by 2 ffiffiffiffiffiffi G 0 p , 1 = 2 ffiffiffiffiffiffi G 0 p , the former corresponding to coherent amplifica- tion of signal and idler with power gain 4 G 0 , and the latter to coherent attenuation (CA).在CA中，信号和惰轮都用正确的相对相施加，并且它们连贯地组合到泵频率，从而导致功率衰减1 = 4 g 0;这是相干扩增的时间转换过程。直到最近，还没有几乎无损的微波放大器，可以通过此简单的矩阵来很好地建模。但是，我们在这里使用的约瑟夫森参数转换器（JPC）几乎是无损的，并且性能限制了量子[5，6]。连贯的衰减和扩增