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World File Search System环境辐射
在模拟的环境辐射和微生物孵育条件下研究单个羧酸盐富含甲基甲基分子的稳定性
了解环境溶解的有机物（DOM）依赖于能够导航其固有复杂性的方法的发展。尽管分析技术一直在不断提高，从而改善了散装和分级DOM的见解，但单个化合物类别的命运几乎不可能通过当前技术跟踪。以前，我们报道了羧酸盐富含甲基分子（CRAM）化合物的合成，该化合物与以前可用的标准相比，与DOM共享更相似的分析特征。在这里，我们采用我们的合成式烤箱化合物并将它们与选择的一组策划的一组购买的分子以及选择的生物学或化学相关性的附加策划的一组购买的分子一起，采用我们的合成的CRAM化合物，将常规使用DOM用作批量材料。辐照实验通常表明，在饱和碳主链上仅携带羧酸和/或酒精的化合物对光化学降解具有最具耐药性，但在DOM的存在下，某些具有CRAM样式和化学功能的化合物也更稳定。在微生物孵化中，在各种水生环境中8个月后，我们的所有合成cram均完全稳定。这些实验集为环境中提议的CRAM的稳定性提供了支持，并提供了一个平台，可以使用该平台，可以使用多种多样的分子来帮助探测DOM的稳定性。
监管指南
根据 10 CFR 20.1301“公众个体剂量限值”，许可运营对公众个体的总有效剂量当量 (TEDE) 每年不得超过 1 毫西弗 [1 mSv，或 100 毫雷姆 (mrem)]。铀燃料循环设施（不包括运输和处置）还必须遵守美国环境保护署 (EPA) 在 40 CFR 第 190 部分“核电运营环境辐射防护标准”中制定的规定（参考12）。此外，10 CFR 20.1101(d) 要求持照人（除受下文讨论的 10 CFR 50.34a“控制废水中放射性物质释放的设备的设计目标——核动力反应堆”约束的持照人外）限制空气中放射性物质的释放，以使公众受到的最高个人剂量不超过每年 0.1 mSv (10 mrem)。
监管指南
根据 10 CFR 20.1301“公众个体剂量限值”，经许可的核电站对公众个体的总有效剂量当量 (TEDE) 每年不得超过 1 毫西弗 [1 mSv，或 100 毫雷姆 (mrem)]。铀燃料循环设施（不包括运输和处置）还必须遵守美国环境保护署 (EPA) 在 40 CFR 第 190 部分“核电站运行环境辐射防护标准”（参考文献 10）中制定的规定。此外，10 CFR 20.1101(d) 要求持照人（除受下文讨论的 10 CFR 50.34a“控制废水中放射性物质释放的设备的设计目标 - 核动力反应堆”约束的持照人）限制空气中放射性物质的释放，以使公众所受最高个人剂量不超过每年 0.1 mSv (10 mrem)。
计划 - ICRP 放射学系统研讨会...
主席，NCRP，7910 Woodmont Avenue，Suite 400，马里兰州贝塞斯达 20814；电话（301）657-2652，分机 19；传真（301）907-8768 摘要 - 我很高兴有机会在由 ICRP 组织的这次重要的放射防护研讨会上作介绍性发言，ICRP 是 NCRP 的特别联络组织。在辐射防护和测量相关领域发表的报告和评论列于 http://NCRPpublications.org。NCRP 最近的工作集中在几个领域，包括（列出过去五年的出版物）（1）美国人口电离辐射暴露的特征（报告编号 160）；（2）医学中的辐射防护（报告编号 168、159、155）； (3) 受放射性核素污染人员的治疗（报告号 166、161、156）；(4) 应对核或放射恐怖主义事件（报告号 165，评论号 19）；(5) 外部和内部剂量测定及剂量重建的不确定性（报告号 164、163、158）；(6) 航天任务中的辐射防护（报告号 167、153）（7）操作辐射安全（报告号 162）；(8) 环境辐射（报告号 154）。NCRP 与 ICRP 在辐射防护和基础辐射科学的这些及相关领域有许多共同利益。ICRP 的多位成员是 NCRP 董事会和科学委员会的成员。NCRP 期待着扩大与 ICRP 的合作。
电子辐射手册 (Rev. A) - 德州仪器
在 TI 的 29 年职业生涯中，Robert Baumann 发现 10B 与低能宇宙中子的反应是数字电子产品的主要可靠性风险，并制定了缓解方案，将产品故障率降低了近十倍。从 1993 年到 1998 年，他参与了 TI 在日本的 Mihomura Fab 和 Tsukuba 研发中心的晶体管和辐射效应可靠性以及高级故障分析。回到达拉斯后，他领导了先进技术可靠性小组的辐射效应项目。他共同领导了 SIA 的专家小组，该小组成功地与美国政府进行了谈判，修改了对先进商业技术构成严重出口限制风险的 ITAR 出口管制法。Baumann 是 JEDEC（JESD89、89A）行业标准的主要作者之一，该标准针对陆地环境辐射特性，并因此荣获 JEDEC 主席奖。2012 年，他转入高可靠性产品组，专注于改进辐射效应的特性、建模和报告。Baumann 当选为 TI 和 IEEE 院士。他合著并发表了 90 多篇论文和演讲、两本书的章节，并拥有 15 项美国专利。Baumann 于 2018 年从 TI 退休。
电子辐射手册 (Rev. A) - 德州仪器
在 TI 的 29 年职业生涯中，Robert Baumann 发现 10B 与低能宇宙中子的反应是数字电子产品的主要可靠性风险，并制定了缓解方案，将产品故障率降低了近十倍。从 1993 年到 1998 年，他参与了 TI 在日本的 Mihomura Fab 和 Tsukuba 研发中心的晶体管和辐射效应可靠性以及高级故障分析。回到达拉斯后，他领导了先进技术可靠性小组的辐射效应项目。他共同领导了 SIA 的专家小组，该小组成功地与美国政府进行了谈判，修改了对先进商业技术构成严重出口限制风险的 ITAR 出口管制法。Baumann 是 JEDEC（JESD89、89A）行业标准的主要作者之一，该标准针对陆地环境辐射特性，并因此荣获 JEDEC 主席奖。2012 年，他转入高可靠性产品组，专注于改进辐射效应的特性、建模和报告。Baumann 当选为 TI 和 IEEE 院士。他合著并发表了 90 多篇论文和演讲、两本书的章节，并拥有 15 项美国专利。Baumann 于 2018 年从 TI 退休。
用于极端空间的 B4C-Al 金属基复合材料...
极端太空环境，例如太空真空、辐射、极端热环境和热循环、锯齿状月球尘埃、微重力、微流星体和轨道碎片 (MMOD)、推力羽流喷射物及其协同不利影响，都是对外行星和卫星进行安全和可持续太空探索的艰巨挑战。长时间的太空辐射暴露会使材料和结构变脆，而磨蚀性的锯齿状尘埃颗粒会严重磨损和侵蚀运动部件，导致过早失效。为了应对甚至缓解这种潜在的故障，需要坚固而特殊的材料，以使包括 Artemis 计划在内的 NASA 任务可持续进行，并将服务和维修需求降至最低。本研究报告称，含硼夹杂物 B 4 C 可以显著提高铝合金 (Al6061) 的耐磨性和辐射屏蔽/抗性，从而延长其在极端太空环境中的使用寿命。随着 B 4 C 夹杂物的增加，拉伸强度在室温和高温 (200˚C) 下都增加高达 20 vol%，而热导率则随着 B 4 C 浓度的增加而逐渐降低。与纯 Al6061 相比，当 Al6061 中添加 50vol% B 4 C 时，中子屏蔽效能提高了 110 倍以上。还利用在线太空辐射评估工具 (OLTARIS) 计算研究了银河宇宙射线 (GCR) 和太阳粒子事件 (SPE) 下的屏蔽效能。通过添加 B 4 C，可有效抑制通过 Al6061 基质的二次辐射引起的不利影响，从而提高对 GCR 和 SPE 的屏蔽效能。B 4 C 中硼的存在是增强对中子、GCR 和 SPE 环境辐射屏蔽能力的主要原因。
Sahaj Solar Limited
出口商，交易者，购买者，卖方，雇用购买者，租赁者，发电，分销和传输工厂的维修工，与可再生能源产品有关的工厂，设备和设备混合系统，太阳能电池板和逆变器，太阳能电动板环境辐射监控系统，远程乡村电气化，太阳能潜水器和表面泵，太阳能屋顶系统（网格连接和独立类型），其他各种与太阳能相关的产品，以及各种相关的产品，以及将EPC的EPC合同与所有类型的可再生工厂和电源工厂和电动工厂相关的工作，以及电源工厂和电源型系统，以及工厂和泵式泵送系统，以及泵送系统，以及泵送系统，以及泵送系统，以及泵送系统，以及泵送系统，既有电源，则可以使用泵送系统，并进行泵送系统，以及泵送系统设备。*该公司通过在08-07-2023举行的公司成员的第14届年度股东大会上通过特殊决议来代替公司的旧对象，修改了其主要对象条款。To carry on manufacturing, processing, generating, accumulating, distributing, stocking, transferring, marketing, selling, servicing, engineering, contracting, erecting, commissioning, managing, maintaining, utilizing and renting, as developer, manufacturers, consultants, collaborators and advisors for all and every kind of plants, systems, equipment, products, components, assemblies and subassemblies related to generation use, application and utilization of other renewable energy resources, like wind, tidal, bio- mass, geothermal of all and every kind and type including Photovoltaic, cells, windmills, wave motion generators, gobar gas generators and utilizing systems with battery and other renewable energy generating, distribution, and utilizing systems with battery storage, transformers, inverters, charge controllers refrigeration plant and cold storage plant and systems, heat exchangers insulating system including绝缘材料蒸发器冷凝器，并向公用事业公司（电力委员会）或最终用户生产和出售电力。
SIC MOSFET微型探索是由于单个事件倦怠
此材料的间隙允许减少设备尺寸，权重和切换损耗[2]。此外，SIC的高温导热率促进了其在恶劣环境中的使用，例如用于核应用的电源开关（空间，航空，核反应堆和军事）。然而，尽管刚刚设计了第四代SIC MOSFET，但其对空间应用的采用却很少见[3]，[4]。尽管SIC材料具有稳健性，但仍证明了由于空间环境辐射引起的灾难性影响[2-3]。SIC设备对单事件倦怠（SEB）[7] - [10]，单事件门破裂（SEGR）[11]，[12]和单个事件泄漏电流（SELC）[13]敏感。在SIC MOSFET中，由于极端的内部漏极到通过SIC源电场，不合适的电流会诱发热失控。这种现象可以导致功率设备的故障和设备功能的损失。对于破坏性SEB，主要粒子（作为中子，质子或离子）会对设备产生影响，因此可以在内部产生电离二级粒子。沿着该二次粒子，电子和孔对的轨迹。由于对SIC的电场比SI MOSFET中的电场高10倍，因此SIC中的功率密度高100倍，并触发冲击电离。强烈的局部局部，因此高密度电流会产生热瞬态和失控，从而导致灾难性失败。在本文中，对质子辐射引起的SEB诱导的COTS包装的SIC MOSFET的失败分析在设备和死亡水平上呈现。在辐射期间和电辐射应力期间的粒子性质[14]，[15]，[15]，[15]，[15]，能量转移（LET）[8]，设备技术[7]，偏置电压（V DS和V GS）[16]，[17]的影响。先前的研究表明，由于MOSFET漂移层中电场的增加，SEB灵敏度随施加的漏气偏置（V DS）而增加[16]，[17]。在[18]中，作者提出了损害类型（氧化物潜在损害，降解，晶体潜在损害和SEB）类型的地图，作为V DS和LET的函数。在灾难性失败的顶部，对于未表现出SEB的质子辐照的设备，在辐射后应激测试中观察到了辐照诱导的氧化氧化物降解[19]。和重型离子，在SIC MOSFET裸露的SIC Seb区域进行了辐射后v ds扫描后，SiC晶格的分解被揭示[18]。建立了一个故障分析流程图，在每个步骤中介绍了结果，分析和风险评估（用于成功分析）。在分析电I-V特性后，用能量分散性X-射线光谱法（EDX）进行了扫描电子显微镜（SEM）研究，揭示了SIC模具中的局部微探索现象。基于对热爆炸的痕迹的分析，制定了微探索的解释。