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微电子电路第 8 版 - 牛津学习链接
********问题：P7_31 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD VG 0 0 NMOS0P18 + L=0.5u + W=12u + M=1 V2 VDD 0 1Vdc I1 VDD VD DC 200u R1 VG VD 22MEG TC=0,0 R2 0 VO 15k TC=0,0 C1 VD VO 1 TC=0,0 C2 VI VG 1 TC=0,0 V3 VI 0 AC 1 +SIN 0 10m 1k 0 0 0 ******* 主电路从这里结束********************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ************************************* .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.8 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=450 LAMBDA=0.05 TOX=4.08E-9 PB=0.9) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
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******** D1N4148 模型从此处开始**************** .model D1N4148 D(Is=2.682n N=1.836 Rs=.5664 Ikf=44.17m Xti=3 Eg=1.11 Cjo=4p + M=.3333 Vj=.5 Fc=.5 Isr=1.565n Nr=2 Bv=100 Ibv=100u Tt=11.54n) ******** D1N4148 模型从此处结束****************
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********问题：P17_8 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VO VIN 0 0 NMOS0P065 + L=65n + W=130n + M=1 M2 VO VIN VDD VDD PMOS0P065 + L=65n + W=260n + M=1 V1 VDD 0 1Vdc V2 VIN 0 +PULSE 1 0 0.25n 0.001n 0.001n 0.5n C1 0 VO 4f ******* 主电路从这里结束**************
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******** Analysis begins here**************** .OP .TRAN 0.01mS 2mS *.AC DEC 20 1 100K .PROBE .END ******** Analysis ends here**************** For part (f), copy the netlist given below and paste it into a text file and save it with *.cir extension.********Problem: P11_37(f) *************** ******* Main circuit begins here************* V_DD VDD 0 1Vdc I3 VO VSS DC 100uAdc I2 VD4 VSS DC 300uAdc I1 VS12 VSS DC 200uAdc V_SS 0 VSS 1Vdc M1 VD1 VSIG VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + M = 1 M2 VDD VG2 VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 M3 VD1 VD1 VDD VDD VDD VDD VDD VDD PMOS0P18 + L = 0.36U + L = 0.36U + W = 32u + M = 1 M = 1 M = 1 M4 PMOS0P18 + L = 0.36U + W = 96U + M = 1 M5 VDD VD4 VO 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 V1 VSIG 0 AC 0 AC 0 + SIN 0 + SIN 0 10M 1K 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 I4 VO 0 DC 0AC 0AC 0AAC 0AAC 0AAC 0AAC + SIN 0AAC + SIN 0AAC 0AAC + SIN 0 0A 0 0A 0 0 1K 0 0 1K 0 0 0 0 0 0 0 M1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 c = 2 5.39meg TC = 0,0 *******主电路在这里结束*****************************************************************************************
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********问题：P10_22 **************** ****** 主电路从这里开始************** IBIAS VG23 0 DC 100uAdc RSIG VSIG VG1 20k TC=0,0 VS VSIG 0 AC 10m +SIN 0.58 2m 1k 0 0 0 V1 VDD 0 1.8Vdc M1 VO VG1 0 0 NMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M2 VO VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 M3 VG23 VG23 VDD VDD PMOS0P18 + L=0.4u + W=5u + M=1 CGS 0 VG1 17.5f CGD VO VG1 3.2f ******* 主电路从这里结束*************** ***************** PMOS 模型从这里开始 ******************************* .model PMOS0P18 PMOS(Level=1 VTO=-0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.8 + LD=0 WD=0 UO=118 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.45 MJSW=0.29 CGDO=3.43E-10 JS=4.0E-7 CGBO=3.5E-10 + CGSO=3.43E-10) ***************** PMOS 模型从这里结束 ***************************************** ***************** NMOS 模型从这里开始 ****************************** .model NMOS0P18 NMOS(Level=1 VTO=0.4 GAMMA=0.3 PHI=0.84 + LD=0 WD=0 UO=473 LAMBDA=0.2 TOX=4.08E-9 PB=0.9 CJ=1.6E-3 + CJSW=2.04E-10 MJ=0.5 MJSW=0.11 CGDO=3.67E-10 JS=8.38E-6 CGBO=3.8E-10 + CGSO=3.67E-10) ***************** NMOS 模型到此结束 *****************************************
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********问题：P9_4 **************** ****** 主电路从这里开始************** M1 VD1 VG1 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 M2 VD2 0 VS VDD PMOS0P18 + L=0.5u + W=29u + M=1 R1 VSS VD1 4k TC=0,0 R2 VSS VD2 4k TC=0,0 I1 VDD VS DC 0.2mAdc V1 VDD 0 0.9Vdc V2 VG1 0 0.25Vdc V3 0 VSS 0.9Vdc ****** 主电路从这里结束**********************************************
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3. 需要注意的是，M1 的 V OV 指定为 0.15 V，因此根据计算，V1 的直流偏置值应为 0.55V。这将使 M1 接近三极管区域，因此 VO 的信号摆幅将受到限制。这是因为问题解决方案中的计算结果没有考虑由于沟道长度调制 (LAMBDA) 而流动的电流。由于 NMOS 的 LAMBDA 大于 PMOS，因此它将输出端的工作点拉低至地。由于 L 非常小，因此这里的影响非常显著。因此，V1 的直流偏置略低于 0.53V。4. 执行瞬态分析并绘制 V(VO) 和 V(VI)。找到电路的增益。增益为 21.7 V/V。
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********问题：P5_59 **************** ****** 主电路从这里开始************** V_sup VCC 0 2 M4 VCC VCC V2 V2 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M1 V1 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M2 VCC VCC V1 V1 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 M3 V2 V1 0 0 NMOS0P5 + L=0.5u + W=0.5u + M=1 ******* 主电路从这里结束**********************************************
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********问题：P6_49 **************** ****** 主电路从此处开始*************** Q1 VC VB 0 QECL RB VCC VB 12.1k TC=0,0 RC VC VCC 1.35k TC=0,0 V1 VCC 0 5Vdc ****** 主电路从此处结束******************************************* *********** ECL BJT 模型从此处开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从此处开始*******************************
EE438：电子电路基础 - UT Direct
使用半导体器件分析和设计电子电路。二极管、双极结型晶体管和金属氧化物半导体晶体管的基本器件物理和小信号建模；工作区域和偏置；基本开关电路；单级和多级放大器设计和分析；放大器的输入和输出阻抗特性；频率响应；交流和直流耦合技术；差分放大器和输出级。实验室工作包括测试信号的生成和采集；电流、电压和阻抗测量；传递函数测量；以及频谱测量和分析。一学期每周三个讲座小时和三个实验室小时。