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World File Search System电子辐射
研究使用 TeO2-WO3-Bi2O3-MoO3-SiO 基玻璃屏蔽伽马射线和电子辐射的效率，以保护电子电路免受电离辐射的负面影响
摘要：本文探讨了碲化物玻璃中的 MoO 3 和 SiO 添加剂对在辐射背景或宇宙辐射增加的条件下工作的电子微电路的屏蔽特性和保护的影响。之所以选择 MoO 3 和 SiO 掺杂剂，是因为它们的特性（包括绝缘特性）可以避免辐射损伤引起的击穿过程。这项研究的意义在于提出使用防护玻璃保护电子电路中最重要的组件免受电离辐射负面影响的方法，电离辐射可能会导致故障或导致电子设备不稳定。使用标准方法评估伽马和电子辐射的屏蔽效率，以确定放置在屏蔽后面并受到不同剂量辐照的微电路的阈值电压（∆U）值的变化。结果表明，玻璃结构中 MoO 3 和 SiO 含量的增加可使伽马辐射屏蔽效率提高高达 90%，同时在长时间暴露于电离辐射的情况下仍能保持微电路性能的稳定性。根据所得结果，我们可以得出结论：使用基于 TeO 2 –WO 3 –Bi 2 O 3 –MoO 3 –SiO 的防护玻璃非常有希望为在背景辐射或宇宙辐射增加的条件下工作的微电路和半导体器件的主要部件提供局部保护。
电子辐射对分层量子材料的影响
摘要。对量子时代的技术进步需要安全的通信，量子计算和超敏感的传感能力。分层量子材料（LQM）具有显着的光电和量子性能，可以将我们引入量子时代。电子显微镜是在原子和纳米尺度上测量这些LQM的首选工具。另一方面，LQM的电子辐照可以修改各种材料特性，包括产生结构缺陷。我们回顾了不同类型的结构缺陷，以及电子弹性和非弹性造成的诱导过程。使用电子辐照的LQM的光电和量子性能的控制，包括创建单光子发射器。鼓励通过其他分层材料封装来保护电子辐射引起的LQM损坏。我们最终深入了解挑战和机会，包括使用电子束创建新的结构。
航空电子辐射硬度保证（RHA）指南
3D Three-dimensional ADC Analog-digital Converters Ag Silver APEX Advanced Photovoltaic Experiment APS Active Pixel Sensor ASET Analog Single-event Transient ASIC Application-specific Integrated Circuit BCH Bose–Chaudhuri–Hocquenghem BiCMOS Bipolar CMOS BJT Bipolar Junction Transistor BNL Brookhaven National Laboratory BoK Book of Knowledge Br Bromine CAD Computer-aided Design CCA Circuit Card Assembly CCD Charge-coupled Device CGS centimeter–gram–second CIS CMOS Image Sensor CL Confidence Level CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor CONOPS Concept of Operations COTS Commercial off the Shelf CRRES Combined Release and Radiation Effects Satellite CRUX Cosmic Ray Upset Experiment CTE Charge Transfer Efficiency DC Direct Current DDD Displacement Damage Dose DRAM Dynamic随机访问记忆DRM设计参考任务DSEE破坏性的单事件效应DSET DESED数字单事件瞬态DSNE设计规范，用于测试的EDAC错误检测和校正EEEE EEEE电气，电子，机电和电位电流ELDRE，并增强了低剂量评分的敏感性
电子辐射手册 (Rev. A) - 德州仪器
在 TI 的 29 年职业生涯中，Robert Baumann 发现 10B 与低能宇宙中子的反应是数字电子产品的主要可靠性风险，并制定了缓解方案，将产品故障率降低了近十倍。从 1993 年到 1998 年，他参与了 TI 在日本的 Mihomura Fab 和 Tsukuba 研发中心的晶体管和辐射效应可靠性以及高级故障分析。回到达拉斯后，他领导了先进技术可靠性小组的辐射效应项目。他共同领导了 SIA 的专家小组，该小组成功地与美国政府进行了谈判，修改了对先进商业技术构成严重出口限制风险的 ITAR 出口管制法。Baumann 是 JEDEC（JESD89、89A）行业标准的主要作者之一，该标准针对陆地环境辐射特性，并因此荣获 JEDEC 主席奖。2012 年，他转入高可靠性产品组，专注于改进辐射效应的特性、建模和报告。Baumann 当选为 TI 和 IEEE 院士。他合著并发表了 90 多篇论文和演讲、两本书的章节，并拥有 15 项美国专利。Baumann 于 2018 年从 TI 退休。
电子辐射手册 (Rev. A) - 德州仪器
在 TI 的 29 年职业生涯中，Robert Baumann 发现 10B 与低能宇宙中子的反应是数字电子产品的主要可靠性风险，并制定了缓解方案，将产品故障率降低了近十倍。从 1993 年到 1998 年，他参与了 TI 在日本的 Mihomura Fab 和 Tsukuba 研发中心的晶体管和辐射效应可靠性以及高级故障分析。回到达拉斯后，他领导了先进技术可靠性小组的辐射效应项目。他共同领导了 SIA 的专家小组，该小组成功地与美国政府进行了谈判，修改了对先进商业技术构成严重出口限制风险的 ITAR 出口管制法。Baumann 是 JEDEC（JESD89、89A）行业标准的主要作者之一，该标准针对陆地环境辐射特性，并因此荣获 JEDEC 主席奖。2012 年，他转入高可靠性产品组，专注于改进辐射效应的特性、建模和报告。Baumann 当选为 TI 和 IEEE 院士。他合著并发表了 90 多篇论文和演讲、两本书的章节，并拥有 15 项美国专利。Baumann 于 2018 年从 TI 退休。