引言。量子振幅的复相位在量子算法[1-6]和量子传感[7]中起着至关重要的作用。许多算法需要测量两个量子态之间的相对相位[8-17]。用于此目的的常见子程序是 Hadamard 检验,它通过干涉将相位信息转换为概率[18]。尽管实验取得了令人瞩目的进展,但由于实现所需的受控酉运算的挑战,Hadamard 检验在大多数应用中仍然遥不可及。在本文中,我们提出了一种替代方法来确定某些状态之间的复重叠,该方法不使用辅助量子位或全局受控酉运算。与其他无辅助方案 [12,19] 不同,我们的方法不需要准备与参考状态的叠加,而叠加极易受到噪声的影响[20-25]。我们的方法不是基于干涉,而是基于复分析原理。所提出的方法适用于(广义)Loschmidt 振幅形式的重叠
摘要 —本文介绍了互连和阻尼分配无源性控制 (IDA-PBC) 原理在固态变压器 (SST) 的端口控制相量哈密顿 (PCPH) 模型中的应用(该模型由三个阶段组成,即交流/直流整流器、双有源桥式转换器和直流/交流逆变器)。使用动态相量概念为每个单独的阶段建立 SST 的 PCPH 模型。与其他 PBC 方法相比,IDA-PBC 提供了额外的自由度来求解偏微分方程。根据每个阶段控制器设计的目标,获得系统的期望平衡点。闭环系统性能实现恒定输出直流母线电压和单位输入功率因数的调节。整个系统的大信号仿真结果验证了为获得控制器而引入的简化,并验证了所提出的控制器。控制器的稳健性通过 20% 的负载扰动和 10% 的输入扰动得到证明。为了验证所提出的方法及其有效性,使用 Opal-RT 和 dSPACE 模拟器进行硬件在环仿真。
LaAlO 3 /SrTiO 3 和 LaTiO 3 /SrTiO 3 异质结构表现出由电子密度控制的复杂相图。 [1,2] 虽然系统在低密度下处于弱绝缘状态,但当通过静电门控(采用背栅、侧栅或顶栅结构)添加电子时,就会出现超导性[1,3,4](图1)。当载流子密度(n 2D)增加时,超导 T c 升至最大值 c max T ≈ 300 mK,然后随着掺杂的进一步增加而降低。由此产生的圆顶状超导相图类似于在其他超导体家族中观察到的相图,包括高 T c 铜酸盐、Fe 基超导体、重费米子和有机超导体。 [5,6] 在氧化物界面相图中,普遍观察到两个明显的掺杂点:低密度下的量子临界点 (QCP),它将弱绝缘区与超导区分开;最佳掺杂下的最大临界温度点 (c max T),它定义了欠掺杂区与过掺杂区之间的边界。尽管进行了大量研究,但对这两个点的起源尚无共识。在 LaAlO 3 /SrTiO 3 异质结构中,电子
摘要:采用异种金属丝电子束增材制造技术在不锈钢基体上混合 5、10 和 15 vol.% Ti-Al-Mo-ZV 钛合金和 CuAl9Mn2 青铜,研究了制备的合金的微观结构、相和力学性能。结果表明,含 5 vol.% 钛合金的合金形成了不同的微观结构,含 10 和 15 vol.% 钛合金的合金也形成了不同的微观结构。第一种合金的特征是结构成分为固溶体、共晶金属间化合物 TiCu 2 Al 和粗大 γ 1 -Al 4 Cu 9 。它具有增强的强度并在滑动试验中表现出稳定的氧化磨损。另外两种合金还含有由于 γ 1 -Al 4 Cu 9 热分解而出现的大花状 Ti(Cu,Al) 2 树枝状晶粒。这种结构转变导致复合材料的灾难性脆化和磨损机制从氧化变为磨料。
图 1-b 显示了 n-Si 的衍射图案样品。它不同于n-Si的衍射图案具有 SiO 2 层的样品,在 X 射线衍射图上 2θ≈17.4° 处没有漫反射,结构反射 (111) α 的强度分别降低了 2.5 倍、三阶 (333) α 的强度降低了 1.7 倍,结构反射 (002) 的强度降低了,反射 (313)、(513) 和 (620) 的强度也增加了几个百分点,它们在 n-Si 衍射图谱的光谱中产生了衍射偏移样品在较小角度的一侧。晶粒尺寸和晶格参数由 n-Si 的 (111) 结构线的半宽度确定分别为 58 nm 和 а Si =0.5419 nm,略小于样品 n -Si 的晶格参数(а Si =0.5426 nm)SiO 2 层。但这会导致 n-Si 结构反射发生偏移衍射图案朝向较小的散射角。
图 2. (a) 热丝 CVD 装置中的 CVD 工艺示意图。(b) 石墨烯生长后的铜箔光学显微照片,显示三个晶粒 G1、G2 和 G3。(c) 铜箔上 HF-CVD 石墨烯的典型拉曼光谱。(d) 2D 谱带强度的拉曼图和 (e) (b) 红色方块所包围区域的 2D 和 G 谱带强度比。[图片改编自 Ref. 27]
摘要:范德华磁性材料最近被发现,引起了材料科学和自旋电子学的极大关注。制备原子厚度的超薄磁性层具有挑战性,而且大多是通过机械剥离来实现的。在这里,我们报告了磁性范德华 NiI 2 晶体的气相沉积。在厚度为 5 − 40 nm 的 SiO 2 /Si 衬底上和六方氮化硼(h-BN)上生长出单层厚度的二维(2D)NiI 2 薄片。温度相关的拉曼光谱揭示了原生 2D NiI 2 晶体中直至三层的稳健磁相变。电测量显示 NiI 2 薄片具有半导体传输行为,开/关比高达 10 6。最后,密度泛函理论计算显示 2D NiI 2 中存在层内铁磁和层间反铁磁有序。这项工作为外延二维磁性过渡金属卤化物提供了一种可行的方法,也为自旋电子器件提供了原子级薄材料。关键词:二维磁体、范德华材料、气相沉积、拉曼光谱、相变 A
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旁遮普工程学院(等同于大学)(PEC)起源于 1921 年在拉合尔成立的穆加尔普拉工程学院,1953 年迁至现校区,成为旁遮普大学的附属 PEC。该学院于 2003 年通过 MHRD 通知成为等同于大学的学院,并于 2009 年更名为 PEC 理工大学。它是一所资助机构,由印度政府昌迪加尔联邦属地管理。该学院拥有 146 英亩的广阔而虔诚的校园,也是昌迪加尔建筑学院的所在地。学术和行政流程与印度的 IIT 相似。学院由充满活力的理事会管理,由著名实业家 Sh. Rajinder Gupta 担任主席。学院由一名任期 5 年的理事领导;该职位相当于大学副校长。该学院提供 11 个本科 B. Tech.、01 个 B Des 课程和 14 个研究生 M. Tech. 课程,涵盖工程和技术的各个学科。成为大学后,该学院还开设了工程、科学、管理、人文和社会科学等各个学科的博士学位课程。本科和研究生课程的录取分别通过国家级考试 JEE(Mains)和 GATE。学院设有 11 个学术部门、2 个中心和 2 个卓越中心。