IMEC正在扩展其硅光子平台“ ISIPP”的功能,并具有经过验证的混合激光积分界面,从而使IIII-V激光器和放大器的高通量晶片尺寸翻转芯片组装能够。与开发合作伙伴Sivers Photonics和ASMPT合作,参考接口设计和组装过程是为来自Sivers INP 100产品平台的Flip-Chip键合DFB激光器而创建的,其精度为0.5μm,使得可重复的耦合损失在2DB和Waveguide-couped-couped and As高度符合40mmw。该技术现在可以通过原型运行来进行探路和早期产品开发,针对广泛的应用,包括光学通信,光学3D传感(LIDAR),生物光音,高精度计量学,气体传感等。
摘要:环形谐振器是硅光子学中滤波器、光延迟线或传感器的重要元件。然而,目前工厂中还没有低功耗的可重构环形谐振器。我们展示了一种使用低功耗微机电 (MEMS) 驱动独立调节往返相位和耦合的加/减环形谐振器。在波长为 1540 nm 且最大电压为 40 V 的情况下,移相器提供 0.15 nm 的谐振波长调谐,而可调耦合器可以将直通端口处的光学谐振消光比从 0 调节到 30 dB。光学谐振显示出 29 000 的被动品质因数,通过驱动可以增加到近 50 000。MEMS 环在晶圆级上单独真空密封,能够可靠且长期地保护免受环境影响。我们循环机械致动器超过 4 × 10 9
色心是晶体中的点缺陷,可为分布式量子信息处理应用提供通向长寿命自旋态的光学接口。色心量子技术面临的一个突出挑战是将光学相干发射器集成到可扩展的薄膜光子学中,这是在商业代工工艺内进行色心大规模光子学集成的先决条件。本文,我们报告了将近变换限制的硅空位 (V Si ) 缺陷集成到在 CMOS 兼容的 4 H -绝缘体上碳化硅平台中制造的微盘谐振器中。我们展示了高达 0.8 的单发射器协同性以及来自耦合到同一腔模的一对色心的光学超辐射。我们研究了多模干涉对该多发射器腔量子电动力学系统的光子散射动力学的影响。这些结果对于碳化硅量子网络的发展至关重要,并通过将光学相干自旋缺陷与晶圆可扩展的、最先进的光子学相结合,弥合了经典量子光子学之间的差距。
免责声明 - 本信息按“原样”提供,不作任何陈述或保证。Imec 是 IMEC International(根据比利时法律成立的法人实体,名称为“stichting van openbaar nut”)、imec Belgium(由弗兰德政府支持的 IMEC vzw)、imec the Dutch(Stichting IMEC Nederland,由荷兰政府支持的 Holst Centre 的一部分)、imec Taiwan(IMEC Taiwan Co.)、imec China(IMEC Microelectronics (Shanghai) Co. Ltd.)、imec India(Imec India Private Limited)、imec Florida(IMEC USA 纳米电子设计中心)活动的注册商标。
摘要 光子分插滤波器是光纤通信系统中实现波分复用 (WDM) 的关键组件。光子集成领域的最新进展表明,将光子分插滤波器与高性能光子构建块集成在芯片上,可以构建用于 WDM 的紧凑而复杂的光子集成电路。通常,实现基于带有集成加热器或基于自由载流子色散的调制器的微环谐振器来调整滤波器波长。然而,加热器的功耗很高,而自由载流子会导致光吸收损耗,限制了向超大规模电路的可扩展性。我们展示了基于垂直可移动 MEMS 驱动环形谐振器的紧凑型分插滤波器的设计、仿真、制造和实验特性。MEMS 驱动的分插滤波器在 IMEC 的 iSiPP50G 硅光子平台中实现,并使用短后处理流程在晶圆级兼容工艺中安全释放悬浮的 MEMS 结构。该滤波器在 1557.1 nm 处表现出约 1 nm (124.37 GHz) 的直通端口线宽,并且在 27 V 的驱动电压下保持 20 dB 的端口消光和 > 50 dB 的端口隔离。低功耗和紧凑尺寸的结合证明了其适用于光子电路中的超大规模集成。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 International 许可证出版。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物,包括其 DOI。[DOI:10.1117/1.JOM.2.4.044001]
抽象的光子加载量滤波器是在光纤通信系统中实现波长多路复用(WDM)的关键组件。光子整合的最新进展表明,在芯片上将光子附加电源过滤器与高性能光子构建块一起集成的潜力,以构建WDM的紧凑型和复杂的光子积分电路。通常,实现基于具有集成加热器或基于自由载体分散调节器的微环谐振器,以调整滤波器波长。然而,加热器遭受高功耗,自由载体会导致光吸收损失,从而限制了向非常大尺度电路的可扩展性。我们演示了基于垂直移动的MEMS式环共振器的紧凑型加载滤器的设计,仿真,制造和实验表征。在IMEC的ISIPP50G硅光子平台中实现了MEMS驱动的加载滤波器,并使用短的后处理流程实现,以在晶圆级兼容的过程中安全释放悬挂的MEMS结构。滤波器在1557.1 nm处表现出约1 nm(124.37 GHz)的端口宽度,并保留了20 dB的端口灭绝,端口隔离率在驱动电压的27 V下> 50 dB。低功率消耗和紧凑的足迹的组合证明了在光子cirit中非常大规模整合的适用性。©作者。由SPIE在创意共享归因4.0国际许可下出版。[doi:10.1117/1.jom.2.4.044001]全部或部分分发或复制此工作需要完全归因于原始出版物,包括其DOI。
具有铁电极内化(面向A轴或X切片膜)。这样的X切割调节器的好处是在不构图BTO的情况下轻松地在标准的硅光子过程中制造。波导可以由沉积在BTO层的硅或氮化硅制成,并在沉积的BTO层和电极上形成,以形成Te-Mode EO调节剂[13]。然而,沿晶体的X方向应用的磁场访问R 42在BTO材料中经历了极高的介电常数,通常超过1000。这个高介电常数直接转化为EO调制效率的降低。相比之下,沿z-方向应用的字段访问R 33 Pockels组件经历了典型的BTO介电常数小于60。介电载荷的减少可以抵消EO系数的降低。我们为配置制造了Mach-Zehnder调制器,并比较其制造和调节效率的易度性,并证明SI平台上的BTO适合于与硅光子制造兼容的低功率,小型脚印Mach-Zhhnder调制器兼容。
摘要 — 多波段相干通信被视为一种有希望的候选技术,可满足日益增长的更高数据速率和容量需求。同时,相干通信有望在不久的将来进入数据中心领域。随着数据和电信领域的相干数据链路跨越多个光波段,相干收发器设计和流量工程的新方法将成为必需。在本文中,我们提出了一种用于 O 波段和 C 波段的单片集成硅光子相干接收器。该接收器采用 2×2 多模干涉耦合器网络,作为针对 1430 nm(E 波段)优化的 90 ◦ 混合。总功耗为 460 mW,占地面积约为 6 mm 2,光电带宽为 33 GHz。 64 GBd 操作在 O 波段和 C 波段上得到演示,这与 C 波段最先进的硅光子相干接收机相比具有竞争力,并且是 O 波段相干通信迄今为止的最高符号率。
摘要 摘要 集成光子学是下一代信息技术中发展迅速的研究领域,目前的硅光子集成芯片很大程度上受益于现有CMOS工艺的低成本、高密度集成特性,但受限于硅的物理性质,它并不是制作各种光电器件(如激光源、调制器、红外探测器等)的理想材料。因此,异质集成结合CMOS工艺的优势和异质材料体系的优良光电性能,是迈向下一代集成光电子芯片的重要一步。本文介绍了集成光子学在国内外的快速发展,并讨论了该领域的潜在发展方向和机遇。