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我们在使用定制的互补金属 - 氧化物 - 氧化流程过程制造的绝缘子纳米线上,在硅中报告了双极栅极绘制的量子点。双极性是通过将栅极延伸到固有的硅通道上的高度掺杂的N型和P型末端来实现的。我们利用能够向硅通道提供双极载体储层的能力,以证明使用相同的电极来重新定义,并用相同的电极,带有孔或电子的双量子点。我们使用基于栅极的反射测量法来感知电子和孔双量子点的点间电荷过渡(IDT),从而实现了电子(孔)的最小整合时间为160(100)L s。我们的结果提供了将电子旋转与硅中电孔旋转的长相干时间相结合的机会。
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引言硅光子学和三维 (3-D) 集成是实现更高性能计算设备的新兴技术。与传统电互连相比,使用光子元件的几个主要优势是更低的功耗、更低的延迟和更高的带宽。此外,硅光子学与当前的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术完全兼容,这使得可以直接过渡到集成电路 (IC) 制造 [1-4]。3-D IC 技术通过晶圆(或芯片)堆叠实现了硅光子学与传统 CMOS 技术的异构集成 [5-9]。异构晶圆堆叠是通过直接氧化物晶圆键合和称为氧化通孔 (TOV) 的 3-D 互连来实现的。直接氧化物晶圆键合为下游处理提供了强大的物理系统,并实现了高吞吐量的可制造性。此外,与传统的硅通孔 (TSV) 相比,后通孔方案中集成的 TOV 对 Si 光子学至关重要,因为它们的通孔电容较低,在此工艺中测得每个通孔的电容为 1.45 fF,从而
背景和目的:避免海马 - 整个脑放射疗法(HA-WBRT)可能是一个耗时的过程,与常规的全脑技术相比,因此有可能限制广泛利用。因此,我们通过利用计算机断层扫描(CT)基于计算机的商业自适应放射疗法(ART)平台和工作流程来创建和交付不含患者特定于患者的无模拟HA-WBRT,通过剂量 - 体积指标和时间来评估了In In In In In In In In In inico临床可行性。材料和方法:这项研究包括了十名先前接受过具有锥束计算机断层扫描(CBCT)成像的中枢神经系统癌症治疗的患者。CBCT是模拟第一部分板载成像的自适应图像。在MRI上定义的初始轮廓与CBCT匹配。在线艺术是在第一部分制定治疗计划的。将这些无模拟计划的剂量 - 体积指标与每个患者CT仿真数据集中的标准工作流程HA-WBRT计划进行了比较。记录了自适应计划会话的定时数据。结果:对于所有十名患者,无模拟的HA-WBRT计划通过在线艺术工作流程成功地制定了所有限制。在自适应计划中,海马中位数100%为7.8 Gy(6.6 - 8.8 Gy),而标准工作流计划中的8.1 Gy(7.7 - 8.4 Gy)。由于海马约束(6/10自适应分数)和亚最佳目标覆盖范围(6/10自适应片段),所有计划都需要在第一部分进行自适应。自适应课程的中间时间为45.2分钟(34.0 - 53.8分钟)。结论:通过计划质量指标和时间安排在临床上可行的无模拟Ha-wbrt在临床上是可行的。