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引言硅光子学和三维 (3-D) 集成是实现更高性能计算设备的新兴技术。与传统电互连相比，使用光子元件的几个主要优势是更低的功耗、更低的延迟和更高的带宽。此外，硅光子学与当前的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术完全兼容，这使得可以直接过渡到集成电路 (IC) 制造 [1-4]。3-D IC 技术通过晶圆（或芯片）堆叠实现了硅光子学与传统 CMOS 技术的异构集成 [5-9]。异构晶圆堆叠是通过直接氧化物晶圆键合和称为氧化通孔 (TOV) 的 3-D 互连来实现的。直接氧化物晶圆键合为下游处理提供了强大的物理系统，并实现了高吞吐量的可制造性。此外，与传统的硅通孔 (TSV) 相比，后通孔方案中集成的 TOV 对 Si 光子学至关重要，因为它们的通孔电容较低，在此工艺中测得每个通孔的电容为 1.45 fF，从而
300 毫米硅光子学的异质集成...
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