机构名称：
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i n [1]，已报道了多个芯片在重新分布层（RDL）（RDL）上的设计，材料，过程和组装 - 首先是带有风扇淘汰面板级包装（FOPLP）的第一个基材。RDL-第一个底物[1]在临时玻璃载体上制造，由三个RDL组成，其金属层线宽和间距（L/S）等于2/2、5/5和10/10 m m。由于工艺顺序（2/2 m M金属L/sift，5/5 m m秒和10/10 m m三分之一）在制造RDL-第1个基材时，需要将RDL-FIR-FIRSTRATE转移到另一个临时载体上。然后，将第一个临时玻璃载体拆除，并执行芯片到基底键合，以便可以将芯片直接连接到2/2-M M Metal L/S RDL。然而，由于第二辆载体的粘结和第一个载体的拆卸导致了较大的扭曲，因此焊接质量质量的芯片在RDL底物上的产量非常低。因此，在[1]热压缩键中，一次使用一个芯片。在这项研究中，提出了制造RDL底物的新工艺顺序（10/10 m M Metal L/siftim，第一个，5/5 m m秒和2/2 m m三分之二）。在这种情况下，无需将RDL衬底转移到另一架载体上，然后首先通过小强度的热压缩芯片到rdl-substrate键合，然后立即焊接所有芯片的质量。通过滴测试证明了异质集成包的印刷电路板（PCB）组件的可靠性。讨论了结果和失败分析。
用于异质集成
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