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World File Search System硅带隙
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
纳米级
更多类似石墨烯的2D系统，例如Xenes和Xanes（其中x =硅，德语等），4 - 6个过渡金属二分法（例如，MOS 2，WS 2，Mose 2，WSE 2），7,8六角硼硝酸盐，9 mxenes（例如，过渡金属碳化物和硝酸盐），10个黑磷，11和2d钙钛矿12,13已合成。其中，硅纳米片由于与当前基于SI的纳米技术的预期兼容性而引起了极大的关注。硅纳米片在石墨烯类似硅烯之间存在分歧，该石墨烯类似硅由混合的SP 2 /SP 3-杂化硅原子组成，14和氢末端的石墨烯的类似物，所谓的硅烷，SP 3-氢化硅原子。15作为SP 3-杂交对硅的有利，16硅不稳定，因此仅在底物上外恋生长，例如，AG（111）或IR（111）。17 - 22通过在低温下用浓盐酸从ZINTL二相钙（CASI 2）从ZINTL相（CASI 2）的钙阳离子去钙阳离子来制备更稳定的硅硅烷（氢终止的硅质，SINS-H）。6 Sins-H具有独特的电子，机械和光学特性。根据理论研究，SINS-H是一种半导体材料23，具有应变带隙，24,25，而其原子
光驱动鳍片场效应晶体管 - OE 期刊
红外探测与现代微电子技术的融合为紧凑型高分辨率红外成像提供了独特的机会。然而，作为现代微电子技术的基石，硅由于其带隙为 1.12 eV，只能探测有限波长范围（< 1100 nm）内的光，这限制了其在红外探测领域的应用。本文提出了一种光驱动鳍片场效应晶体管，它打破了传统硅探测器的光谱响应限制，同时实现了灵敏的红外探测。该装置包括用于电荷传输的鳍状硅通道和用于红外光收集的硫化铅薄膜。硫化铅薄膜包裹硅通道形成“三维”红外敏感栅极，使硫化铅-硅结处产生的光电压能够有效调节通道电导。在室温下，该器件实现了从可见光（635 nm）到短波红外区域（2700 nm）的宽带光电探测，超出了常规铟镓砷和锗探测器的工作范围。此外，它表现出 3.2×10 −12 的低等效噪声功率
六方氮化硼超表面实现全可见光谱高品质纳米光子学
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10]，而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是，由近场增强驱动的应用，如生物分子传感，依赖于高共振品质因数（Q）（定义为共振波长除以线宽），因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知，共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性，因此推动了基于高折射率材料体系（如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓）的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性，但由于它们的带隙能量处于中间水平，因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制，在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是，对于可见波长范围，存在大带隙和无损材料的竞争
气隙互连的机械稳定性
芯片包装相互作用包装的影响是整体上互连结构遭受特殊的外部应力。以塑料翻转包裹为例；在填充底漆之前，最高的热载荷发生在模具固定期间。对空气间隙结构的CPI效应进行了250°C的反射温度的无PB-焊料。包装中的基板是有机的，模具尺寸为8x8 mm 2。在略有不同的3D有限元模型上，多级子模型技术和VCCT用于计算最外层焊球下相关接口处的裂纹驱动力。[8,9]在蚀刻停止/钝化（ESL）和低k介电或气隙之间，在每个金属水平上放置在每个金属水平上放置的Horizontal裂纹计算错误。每个裂纹宽0.1 µm，长2 µm，在接线方向上延伸，如图4所示。在完整的低K集成方案中，由于SIO2和低K层之间的弹性不匹配，在M3间的裂纹3中，ERR最高。首先检查了空气间隙实施的效果，用于跨层次的全气隙结构，在该结构中，空气间隙取代了M3的所有金属间介电（IMD）。这导致裂纹3中的ERR中的大约5倍急剧增加。应注意的是
立方卤化物 KCaCl3 钙钛矿在压力下的紫外至可见带隙工程用于光电应用：来自 DFT 的见解
Linh 等人 35 发现用离子半径较大的碱金属（M = Li、Na 和 K）取代（Bi 0.5 M 0.5 ）TiO 3 会增加其直接带隙。将 MCaF 3（M = K、Cs）中的 K 位取代为 Cs 位，可将带隙从间接变为直接，从而改善光学特性。36 Gillani 等人还报道将碱土金属（Mg、Ca、Ba）掺杂到 SrZrO 3 中可使带隙从间接变为直接。37,38 此外，利用静水压力将带隙从间接变为直接被证明是有益的，就像在许多立方钙钛矿中所看到的那样。 39 – 44 通过施加外部压力，卤化物立方钙钛矿 CsBX 3 (B ¼ Sn, Ge; X ¼ Cl, Br) 的带隙减小到零，从而导致半导体到金属的转变。45 – 49 在静水压力下，还对 Ca 基立方碱金属卤化物钙钛矿 KCaX 3 (X ¼ F, Cl) 50,51 和 ACaF 3 (A ¼ Rb, Cs) 进行了第一性原理研究。52,53
以壳聚糖为新型还原剂合成硅量子点
硅 (Si) 是电子工业中一种成功的活性材料。其特有的间接带隙限制了基于光发射的应用。然而，这种半导体最近因其纳米尺度上的新颖特性而引起了研究人员的关注，例如可调光致发光响应 [1]、低毒性 [2] 和生物相容性 [3]。自从室温下在多孔硅薄膜上发射以来，纳米结构硅的光致发光 (PL) 研究有所增加 [4]。硅量子点具有广泛的潜在应用；它们已被用于提高太阳能电池的效率 [5]、制造发光二极管 (LED) [6]、非线性光学和安全通信加密 [7]。根据多份报告，SiQD 具有延长的荧光寿命。这一特性在使用荧光生命成像显微镜 [8] 和生物成像 [9] 进行细胞成像时尤为有用。因此，这些硅量子点特性的融合为潜在的生物医学应用开辟了一条新途径。如今，硅纳米粒子通常被称为 SiQD。该主题的一个重大突破是将这些 SiQD 的发光与其尺寸和电子结构变化联系起来的报告；量子限制效应 (QCE) 与此现象有关 [10]。因此，最近对合成 SiQD 的新途径的研究有所增加；化学和物理方法是合成技术的核心分类。物理方法采用以下方法
铜和金属的激光辅助制造与改性...
为了寻找新的和替代能源，太阳能电池（SC）是环保，可持续和可再生能源的源泉。因此，提高SC的效率和降低成本是非常重要的任务，这些任务与太阳能的光伏转换密切相关。相应地，预计光伏元素的第三代磁盘有效，稳定和通过环保，节能和低成本技术产生。半导体纳米材料，尤其是金属氧化物和硅量子点[1-9]发挥了重要作用。这些材料对于光伏设备特别感兴趣，这是由它们的光学和电子特性归因于其表面和量子大小效应的解释。在吸收光层中应用半导体NP的应用是由诸如较大的表面积以有效吸收光吸收的大型表面积，负责提高功率转换效率的电荷载体的缩短[10]，以及依赖尺寸的带量[11-13]的收集长度[11-13]，允许其最大的调谐太阳能谱（符合太阳能光谱范围）（ev）（1.4 ins 1-1-14）。在适合此带隙能的材料中，最广泛使用的是硅，GAAS，
硅纳米带中一维狄拉克费米子的观测支持信息
为了阐明 SiNRs/Ag(110) 中 1D 狄拉克带的起源，我们将 SiNRs/Ag(110) 的展开能带结构投影到不同的原子层，如图 S4(a)-S4(d) 所示。可以看出，狄拉克带主要位于表面 Si 层，在最顶层的 Ag 层只有少量的剩余信号。最顶层 Ag 层中的剩余信号表示 Si 和 Ag 之间的有限能带杂化。第 8 个 Ag 层仅包含 Ag(110) 的体能带，如图 S4(c) 所示。通过比较图 S4(a) 和 S4(c)，我们还可以得出结论，狄拉克带附近强度较高的能带来自 Ag(110) 的体能带。事实上，由于我们计算中的平板几何形状，这些能带来自 Ag 体 sp2 能带的子能带。为了研究狄拉克能带的轨道组成，我们将展开的能带结构投影到 Si s 和 Si ad 原子的不同轨道上，如图 S4(e)-S4(l) 所示，发现狄拉克能带主要由 Si spz 轨道组成。这些结果与我们的 TB 分析结果一致，即 Si s 和 Si ad 原子的 pz 轨道是解耦的。