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World File Search System硅带隙
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。
全文（PDF）
摘要。串联结构已引入光伏（PV）市场，以提高功率转换效率（PCE）。以同义或异缝格式的单连接细胞的PCE被剪辑至与吸收材料带隙相关的理论极限。将单连接细胞扩展到多结构结构可穿透这些限制。有希望的串联结构之一是硅拓扑上的钙钛矿。si连接在应用带隙工程方面的情况下用作上面的钙棍夹层的反裸单元。在此，我们采用BATIO 3 /CSPBCL 3 /MAPBBR 3 /CH 3 NH 3 PBI 3 /C-SI串联结构进行研究。在串联PV中，可以调整各种输入参数以最大化PCE，从而大大增加输入组合。如此庞大的数据集直接反映了模拟广泛组合和计算时间所需的计算要求。在这项研究中，我们使用3×10 6分的数据集播种了我们的随机机器学习模型，并在SCAP中使用光电子数值模型播种。机器学习可以估计所提出的串联结构的最大PCE极限约为37.8％，这是裸露的SI细胞报告的两倍以上。
在无模拟海马避免硅的硅试验中
背景和目的：避免海马 - 整个脑放射疗法（HA-WBRT）可能是一个耗时的过程，与常规的全脑技术相比，因此有可能限制广泛利用。因此，我们通过利用计算机断层扫描（CT）基于计算机的商业自适应放射疗法（ART）平台和工作流程来创建和交付不含患者特定于患者的无模拟HA-WBRT，通过剂量 - 体积指标和时间来评估了In In In In In In In In In inico临床可行性。材料和方法：这项研究包括了十名先前接受过具有锥束计算机断层扫描（CBCT）成像的中枢神经系统癌症治疗的患者。CBCT是模拟第一部分板载成像的自适应图像。在MRI上定义的初始轮廓与CBCT匹配。在线艺术是在第一部分制定治疗计划的。将这些无模拟计划的剂量 - 体积指标与每个患者CT仿真数据集中的标准工作流程HA-WBRT计划进行了比较。记录了自适应计划会话的定时数据。结果：对于所有十名患者，无模拟的HA-WBRT计划通过在线艺术工作流程成功地制定了所有限制。在自适应计划中，海马中位数100％为7.8 Gy（6.6 - 8.8 Gy），而标准工作流计划中的8.1 Gy（7.7 - 8.4 Gy）。由于海马约束（6/10自适应分数）和亚最佳目标覆盖范围（6/10自适应片段），所有计划都需要在第一部分进行自适应。自适应课程的中间时间为45.2分钟（34.0 - 53.8分钟）。结论：通过计划质量指标和时间安排在临床上可行的无模拟Ha-wbrt在临床上是可行的。
单一 Al2O3 或 HfO2 单一介电层及其纳米层系统的比较
纳米层压膜是由不同材料交替层组成的复合膜 [1]。这些多层纳米结构因能够调整其机械或物理性质以用于各种特定应用而备受关注。例如，在微电子领域，人们考虑将其用作介电绝缘体 [2,3]。事实上，人们现正致力于制备具有高介电常数和良好化学/热稳定性的多组分体系。特别是 Al 2 O 3 -HfO 2 纳米层压膜似乎是最有前途的体系，可用于硅基微电子器件 [4-9] 以及下一代电力电子器件 [10-15]。能够充分利用 Al 2 O 3 和 HfO 2 单一材料的最合适性质，促使人们研究将它们组合成层压体系。实际上，众所周知，Al 2 O 3 具有极其优异的化学稳定性和热稳定性、大的带隙（约 9 eV）、与不同半导体衬底的带偏移大，但其生长会形成高的氧化物陷阱电荷密度，但其介电常数值并不高（约 9）[16]。对于 HfO 2 介电氧化物，虽然可以实现相当高的介电常数值（约 25），但由于其在相对较低的温度（约 500°C）下从非晶态转变为单斜晶态，因此可靠性较低，并且由于其带隙很小（5.5 eV）所以漏电流密度高[16]。在这种情况下，由两种 Al 2 O 3 -HfO 2 高 k 氧化物组成的纳米层状结构是提高热稳定性和维持高介电常数值的有前途的解决方案。
碳化硅探测器
当今，核物理和粒子物理实验活动的前沿需要具有高能量、能够在高通量（高达 . / ' ）和高速率下工作的紧凑型探测器，以便测量非常罕见现象的截面[1-4]。碳化硅 (SiC) 因其出色的抗辐射性能代表了探测器技术的新挑战。由于其成分，SiC 是一种宽间接带隙半导体，并且是两组 IV 元素（硅和碳）的二元相图中唯一稳定的化合物。在所有宽带隙半导体中，碳化硅是目前研究最深入的一种，也是在高温电子器件、生物医学传感器 [5]、紫外光传感器 [6]、粒子和 X 射线探测器等广泛设备应用领域中最有潜力达到市场成熟的一种。 SiC 还被认真考虑作为硅的有效替代品，用于生产抗辐射设备，因为它可以将硅探测器的优异性能（效率、线性度、分辨率）与更大的抗辐射能力、热稳定性和对可见光的不敏感性结合起来。根据原子在晶格中的堆叠顺序，SiC 可以出现在各种类型的晶体结构中，这种特性被称为“多型性”。SiC 有 200 多种不同的多型体；3C、4H 和 6H 结构是微电子应用中最常见和最受欢迎的结构。每种多型体都有自己的物理特性，例如能带隙，范围从 3C 中的 2.36 eV 到 4H 中的 3.23 eV。4H-SiC 被认为最适合高功率、高频率和高温应用。用于设备应用的低缺陷材料通常通过 CVD（化学气相沉积）技术生长外延层获得。外延也允许高度
气隙监测系统 - Giga Tech srl
出于经济原因，机械用户的当前趋势是延长其旋转机械的使用寿命并提高工厂的可用性和可靠性。正在实施工厂寿命延长计划，而不是更换 20 到 30 年的机器，以使机器运行到其原始使用寿命甚至更长。由于机器的正常运行时间和可靠性对于发电站运营商来说是重中之重，因此安装有效的状态监测系统是一个非常重要的问题。满足峰值电力需求的抽水蓄能电站对发电机转子和定子施加了严重的热应力和机械应力。操作实践涉及每天两次或两次以上启动和关闭机器，这可能导致过早老化和与周期相关的定子绕组因材料中的高温度梯度而劣化。转子变形或转子径向偏差引起的振动问题促使许多大型发电机操作员安装一种有效的方法来测量静态和动态气隙。动态气隙监测是在水力发电机运行时测量转子到定子距离的过程。
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出于经济原因，机械用户的当前趋势是延长其旋转机械的使用寿命并提高工厂的可用性和可靠性。正在实施工厂寿命延长计划，而不是更换 20 到 30 年的机器，以使机器运行到其原始使用寿命甚至更长。由于机器的正常运行时间和可靠性对于发电站运营商来说是重中之重，因此安装有效的状态监测系统是一个非常重要的问题。满足峰值电力需求的抽水蓄能电站对发电机转子和定子施加了严重的热应力和机械应力。操作实践涉及每天两次或两次以上启动和关闭机器，这可能导致过早老化和与周期相关的定子绕组因材料中的高温度梯度而劣化。转子变形或转子径向偏差引起的振动问题促使许多大型发电机操作员安装一种有效的方法来测量静态和动态气隙。动态气隙监测是在水力发电机运行时测量转子到定子距离的过程。
改善浪费的超声波扫描时隙
研究表明，浪费的扫描预约数量在统计上显著改善了需要进行 DNA 扫描的患者数量。以前，整体 DNA 扫描率相当于总扫描次数的 3%。现在，这一比例已降至 1%。平均 DNA 扫描次数已从每周 15 次减少到每周 6 次（DNA 扫描次数减少了 40%）。这相当于每月大约两天半的扫描时间。降低 DNA 扫描率释放了扫描能力，以便进行需要的紧急扫描，使患者能够在需要时接受检查，并降低了延误可能造成的风险。
随机平移不变哈密顿量及其谱隙
在量子多体物理学中，基态上方谱隙的存在对基态关联和纠缠特性具有重大影响 [1, 2, 3, 4]。谱隙的闭合也与拓扑量子相变的发生密切相关，因为量子相的现代定义依赖于通过 Hastings 的准绝热演化概念存在的带隙汉密尔顿量路径 [5, 6, 7]。在汉密尔顿量的各种“局部”扰动下谱隙的稳定性是一个活跃的研究领域 [8, 9, 10, 11, 12]，为了利用这些稳定性结果，拥有广泛的带隙汉密尔顿量网络用于进一步的稳定性分析当然是有益的。一般来说，有关谱隙的问题是物理学中许多最具挑战性的未决问题的核心。两个例子是霍尔丹的猜想，即反铁磁海森堡链的自旋值为整数时存在谱隙[13,14]，以及杨-米尔斯质量间隙，这是一个千年难题。有关谱隙相关性的更多背景信息，请参阅[15,7]。鉴于谱隙的存在具有很强的物理意义，人们对确定严格推导谱隙的数学技术有着浓厚的兴趣。已经发现，除极少数例外，只有特殊的无挫折哈密顿量才适合严格推导。
宽带隙电力电子战略框架
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