硅氧

新机制用于氧化天然硅氧化物。

摘要：金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化型晶体管晶体管（MOSFET）的持续微型化需要不断保存的栅极氧化物的厚度。但是，超薄硅氧化物纤维的结构在很大程度上取决于氧化机制。使用反应性原子模拟，我们在这里演示了如何通过氧化温度和氧化能量控制此类结构的氧化机制。特别是，我们研究了高热氧与1-5 eV的高热氧与薄的SiO X（X≤2）膜，其天然氧化物厚度约为10Å。我们分析了氧渗透深度概率，并与裸露的Si（100）{2×1}（C -Si）表面的过度热氧化的结果进行比较。详细讨论了依赖温度的氧化机制。我们的结果表明，在低（即房间）温度下，穿透的氧气主要驻留在氧化物区域，而不是在Sio X |中。 C -SI接口。然而，在较高的温度下，从约700 K开始，发现氧原子可以穿透并通过氧化物层扩散，然后在C -SI边界处进行反应。我们证明了高温氧化类似于热氧化，可以在高温下通过交易 - 谷林模型来描述。此外，还分析了在氧化过程中发生的缺陷创造机制。■简介这项研究对于金属 - 氧化物 - 氧化物 - 氧化氧化物氧化物的制造很有用，因为它连接了可以在实验中直接控制的参数（氧气温度，速度）与硅氧化物结构。