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专题前言：脑科学的物理电子学...
DOI: 10.7498/aps.71.140101 类脑计算技术作为一种脑启发的新型计算技术 , 具有存算一体、事件驱动、模拟并行等特征 , 为 智能化时代开发高效的计算硬件提供了技术参考 , 有望解决当前人工智能硬件在能耗和算力方面的 “ 不可持续发展 ” 问题 . 硬件模拟神经元和突触功能是发展类脑计算技术的核心 , 而支持这一切实现 的基础是器件以及器件中的物理电子学 . 根据类脑单元实现的物理基础 , 当前类脑芯片主要可以分 为数字 CMOS 型、数模混合 CMOS 型以及新原理器件型三大类 . IBM 的 TrueNorth 、 Intel 的 Loihi 、清华大学的 Tianjic 以及浙江大学的 Darwin 等都是数字 CMOS 型类脑芯片的典型代表 , 旨 在以逻辑门电路仿真实现生物单元的行为 . 数模混合型的基本思想是利用亚阈值模拟电路模拟生物 神经单元的特性 , 最早由 Carver Mead 提出 , 其成功案例有苏黎世的 ROLLs 、斯坦福的 Neurogrid 等 . 以上两种类型的类脑芯片虽然实现方式上有所不同 , 但共同之处在于都是利用了硅基晶体管的 物理特性 . 此外 , 以忆阻器为代表的新原理器件为构建非硅基类脑芯片提供了新的物理基础 . 它们 在工作过程中引入了离子动力学特性 , 从结构和工作机制上与生物单元都具有很高的相似性 , 近年 来受到国内外产业界和学术界的广泛关注 . 鉴于硅基工艺比较成熟 , 当前硅基物理特性是类脑芯片 实现的主要基础 . 忆阻器等新原理器件的类脑计算技术尚处于前沿探索和开拓阶段 , 还需要更成熟 的制备技术、更完善的系统框架和电路设计以及更高效的算法等 .
分析和预测饱和砂中地铁屏蔽隧道的长期沉降
通常10〜20mm，沿隧道的沉降相对稳定。但是，东部部分的沉降相对较大，其中大多数高于30mm，并且有沉降凹陷。理性分析：沿线西部的地面上有大量建筑设施，这会在隧道所在的层上造成额外的压力，巩固和压缩土壤层。更重要的是，额外的压力的存在等同于埋葬深度的增加，使位置层具有更高的外壳。东部沿线的地面主要位于宽敞的地区，并且没有密集的地面建筑物（例如，沿着东北沿线的地面是一个果园），周围的
纳米硅纳米无定形 - 晶体硅上的电负性异性结构的机理：概述
摘要：在开发高敏感，硬质和健壮的探测器2的过程中，出现了非常浅的无定形硼基结晶硅1异质结，用于低渗透性深度辐射，例如紫外线光光子，例如紫外线光子和低增强电子3（低于1 KEV）（1 KEV）。多年来，人们相信，通过N型晶体硅在N型晶体硅上的化学4蒸气沉积产生的连接是浅的P-N结，但5尽管实验结果无法提供这样的结论证据。直到最近，基于6个量子力学的建模才揭示了该新交界处的独特性质和形成机制7。在这里，我们回顾了理解8 A-B/C-SI界面的启动和历史（此后称为“硼 - 硅交界处”），以及它对9微电学行业的重要性，随后是科学上的新连接感。未来的10个发展和可能的研究方向也将讨论。11
在离子植入和NS脉冲激光退火时激活硅在硅中的发射器
光学主动电信发射器的最新演示表明，硅是固态量子光子平台的引人注目的候选者。尤其是，在常规的热退火后，已在富含碳的硅中显示了称为G中心的缺陷的制造。然而，这些发射器在晶圆尺度上的高收益受控制造仍然需要鉴定合适的热力学途径，从而在离子植入后激活其激活。在这里，我们证明了纳秒脉冲激光退火时高纯硅底物中G中心的激活。该提出的方法通过供应短的非平稳脉冲来实现G中心的非侵入性，局部激活，从而克服了与发射器的结构性亚元能力相关的常规快速热退火的局限性。有限元的分析突出了该技术的强大非平稳性，提供了与常规更长的热处理相对于常规的较长热处理的根本不同的缺陷工程能力，为嵌入在集成光子电路和波导的集成光子电路和波导中的发射器的直接和受控制造铺平了道路。
Sibelco 2023 年年度报告
受太阳能快速增长的推动，我们完成了与 Diatreme Resources 合资企业的第二笔总投资，金额为 4900 万澳元。Diatreme Resources 是澳大利亚一家新兴的高纯度硅砂生产商，其产品用于制造光伏太阳能电池板和其他特种玻璃产品。另外两项合作的进展进一步凸显了 Sibelco 材料在应对气候变化方面将发挥的重要作用。这两项合作包括与加拿大 Avalon 成立一家新的合资公司，为技术玻璃和陶瓷市场供应透锂长石（一种锂矿物），以及交付第一批用于碳封存的橄榄石，这是我们与 Eion 合作的激动人心的新阶段（见第 65 页）。
通过液态硅诱导重建控制大面积 4° 偏离 4H-SiC 硅面的宏观步进
摘要。在 SiC/Si/SiC 夹层结构中，使用 1550°C 熔化的 Si 研究了 4°off 4H-SiC 表面的重建。尽管系统地获得了与液态 Si 接触的整个区域的宏观阶梯形貌，但使用原始 4H-SiC 晶片时发现台阶呈波浪形。在处理过的表面上进行表面重建时，台阶的规则性和直线性得到显著改善：在重新抛光的表面上，在某些情况下发现台阶是规则和笔直的，而在原生外延层上则始终观察到这种情况。经过 2 小时的重建过程后，获得了最佳的台阶规则性，平均宽度为 ̴ 3-5 µm。将处理面积从 1.44 cm 2 增加到 4 cm 2 不会影响结果，这表明该工艺具有良好的可扩展性。
电场对硅基单分子层的影响
图 2 . a) 新鲜状态下 S-1 SAM 的 AFM 形貌图像。b) 对 SAM S-1 施加 0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。c) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。d) 新鲜制备的 SAM S-1 上水滴的静态图像。e) 对 SAM S-1 施加 +0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。f) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。 S-1 SAM 的 XPS 高分辨率 Si 2p 光谱（g）新鲜制备、（h）在 +0.6 V 下氧化，和（i）在 + 1.5 V 下氧化。
硅阳极：快速充电锂离子电池的视角
摘要：锂离子电池（LIB）技术支持的电源被认为是最适合公共和军事用途的电源。电池质量始终是一个关键问题，因为电动发动机和便携式设备将功率耗尽算法用于安全性。对于在公共应用中实际使用LIB，低热量产生和快速充电是必不可少的要求，但是到目前为止，这些功能仍然不令人满意。尤其是，在快速充电条件下，慢速LI +插入动力学，锂镀层和自热生成常规的石墨阳极液体是障碍，这是公众需求对这些电池使用的障碍。使用基于硅的阳极与快速反应动力学和快速LI +扩散有关，具有在不久的将来呈现适合公共使用的LIB的巨大潜力。从这个角度来看，强调了开发基于硅的阳极材料来实现具有快速充电能力的LIB的挑战。
无定形硅的亚稳定性问题
无定形硅及其合金，由于其物质及其生产性，在近年来引起了迅速增长的兴趣。非晶技术比晶体技术的主要优势大大降低了成本，以至于某些消费者应用，例如太阳能电池，薄纤维晶体管等。太阳能电池在电信中涉及远离电网的基站电力电力。然而，基于A-SI的设备的表现受光，高能量颗粒，载体注入，载体在A-SI相互之间的堆积和热淬灭[1]引起的可逆，亚稳态变化的限制[1]。所有这些效应都是通过退火到高度高温而可逆的，并且所有这些效应都被相同的降解机制引起[2]。由于在A-Si：H中发现了亚稳态效应，因此有强有力的间接证据表明氢和掺杂剂的作用仍然缺乏完全的证明。证据主要源于在与亚竞争效应相同的温度下观察到的氢运动。缺陷退火的活化能与氢二氮的活化能相当。此外，掺杂趋势是相同的 - 掺杂剂会导致较大的水力差异系数也导致了更快的缺陷弛豫。另一方面，氢通过削减由粘结障碍引起的大量悬挂键缺损而使掺杂成为可能。亚稳态变化的种类和大小取决于氢和掺杂剂这种磷或硼。这些效果取决于在掺杂的氢化无定形硅中，存在两个不同现象的共膜质：悬挂键密度的可逆增加和掺杂效应的可逆增加。
2SB1261 PNP 硅外延平面晶体管
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