无定形硅及其合金,由于其物质及其生产性,在近年来引起了迅速增长的兴趣。非晶技术比晶体技术的主要优势大大降低了成本,以至于某些消费者应用,例如太阳能电池,薄纤维晶体管等。太阳能电池在电信中涉及远离电网的基站电力电力。然而,基于A-SI的设备的表现受光,高能量颗粒,载体注入,载体在A-SI相互之间的堆积和热淬灭[1]引起的可逆,亚稳态变化的限制[1]。所有这些效应都是通过退火到高度高温而可逆的,并且所有这些效应都被相同的降解机制引起[2]。由于在A-Si:H中发现了亚稳态效应,因此有强有力的间接证据表明氢和掺杂剂的作用仍然缺乏完全的证明。证据主要源于在与亚竞争效应相同的温度下观察到的氢运动。缺陷退火的活化能与氢二氮的活化能相当。此外,掺杂趋势是相同的 - 掺杂剂会导致较大的水力差异系数也导致了更快的缺陷弛豫。另一方面,氢通过削减由粘结障碍引起的大量悬挂键缺损而使掺杂成为可能。亚稳态变化的种类和大小取决于氢和掺杂剂这种磷或硼。这些效果取决于在掺杂的氢化无定形硅中,存在两个不同现象的共膜质:悬挂键密度的可逆增加和掺杂效应的可逆增加。
主要关键词