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World File Search System硫嗪
在2,5-二甲基替嗪的硅方法中，从海洋生物到神经退行性疾病
在本文中，我们介绍了2,5-二甲苯哌嗪的新生物学活性的硅研究，从海洋生物到神经退行性中枢神经系统的神经退行性疾病，再到阿尔茨海默氏症，亨廷顿和帕金森氏症。通过获得的MA/B，β/γ-分泌酶Cox-1/2酶靶靶标获得的结构相似性分析，研究了总共35 dkps，与内源性底物相比，与内源性底物相比，获得了分子对接研究，与内源性抑制剂相比，与参考抑制剂相比，发现了对多巴胺水平和降低型β-amy pege 2的潜在，并使其具有较高的水平，并降低了pege pege 2，而pege 2ge222神经退行性疾病。DKP4，DKP23和DKP25作为6种酶和DKP15的抑制剂，DKP19，DKP21，DKP21，DKP26和DKP33，用于β-凝聚酶，特定于β-抗凝蛋白，其余的具有多核电潜力，表明DKP环通过替代品或单位替代。最后，DKP在体内的生物积累较低，没有毒性，越过血脑膜的高可行性和对中枢神经系统的活性，这使它们成为寻找针对神经退行性疾病的替代品的有趣分子。
用于红色胶体量子点发光二极管的双功能电子传输剂
摘要：磷化铟 (InP) 量子点使不含重金属、发射线宽窄且物理上可弯曲的发光二极管 (LED) 成为可能。然而，高性能红色 InP/ZnSe/ZnS LED 中的电子传输层 (ETL) ZnO/ZnMgO 存在高缺陷密度，沉积在 InP 上时会猝灭发光，并且由于陷阱从 ETL 迁移到 InP 发光层而导致性能下降。我们推测，ZnS 外壳上 Zn 2+ 陷阱的形成，加上 ZnO/ZnMgO 和 InP 之间的硫和氧空位迁移，可能是造成这一问题的原因。因此，我们合成了一种双功能 ETL（CNT2T，3 ′，3 ′″，3 ′″″-(1,3,5-三嗪-2,4,6-三基)三(([1,1 ′-联苯]-3-腈))，旨在局部和原位钝化 Zn 2+ 陷阱并防止层间空位迁移：小分子 ETL 的主链包含三嗪吸电子单元以确保足够的电子迁移率（6 × 10 − 4 cm 2 V − 1 s − 1），具有多个氰基的星形结构可有效钝化 ZnS 表面。我们报告的红色 InP LED 具有 15% 的 EQE 和超过 12,000 cd m − 2 的亮度；这代表了基于有机 ETL 的红色 InP LED 中的记录。■ 简介
厄贝沙坦和氢氯噻嗪 150 毫克
厄贝沙坦和氢氯噻嗪是两种活性物质厄贝沙坦和氢氯噻嗪的组合。厄贝沙坦属于一类被称为血管紧张素 II 受体拮抗剂的药物。血管紧张素 II 是人体产生的一种物质，它与血管中的受体结合，使血管收紧。这会导致血压升高。厄贝沙坦可阻止血管紧张素 II 与这些受体结合，从而使血管松弛，血压降低。氢氯噻嗪是一类药物（称为噻嗪类利尿剂）中的一种，它会导致尿量增加，从而导致血压降低。厄贝沙坦和氢氯噻嗪中的两种活性成分共同作用，比单独使用任何一种更能降低血压。
对香烟中的吡嗪的研究以及如何使用添加剂来增强烟草成瘾
访问和使用高质量，完整数据对于AI性能，准确性和可靠性至关重要。17在澳大利亚，包括正式立法和政策在内的数据法规通常被视为数据共享的障碍。澳大利亚统计局LED人士综合数据资产（PLIDA）和澳大利亚卫生与福利研究所LED国家健康数据中心（NHDH）是可用健康数据资产的示例。这些数据资产可以洞悉澳大利亚卫生局势和卫生的社会决定因素，并在司法管辖区进行协作努力，以改善数据可访问性和共享。学者和行业是AI健康数据的主要用户，但是学者可能会有机会通过2022年的数据可用性和透明度法来促进健康数据。
发现了一种新型三氟甲基重氮嗪抑制剂...
摘要：SARS -COV -2 M PRO是一种类似胰蛋白酶的半胱氨酸蛋白酶，在SARS -COV -2的复制和感染中起着相关的作用，SARS -COV -2是冠状病毒，负责COVID -19。M PRO的结合位点的特征是存在催化Cys145，该催化Cys145具有酶的水解活性。因此，迄今为止已提出了几种m pro抑制剂，以与1900型大流行作斗争。在我们的工作中，我们设计，合成和生物学评估了MPD112，这是一种新型的SARS -COV -2 M Pro的抑制剂，该抑制剂携带三氟甲基重氮蛋白部分。MPD112。此外，对PL Pro的抑制测定表明缺乏抑制作用，从而确保了M Pro的化合物的选择性。此外，在酶的结合位点停靠了靶化合物MPD112，以预测硅中已建立的分子间相互作用。mPD112，以评估其对人类细胞活力的影响，表现出良好的耐受性，证明了三氟甲基重任氮杂氨酸部分在SARS -COV -COV -COV -COV -2 M PRONINES的设计和开发中的生物学相容性和活性。
地热发电厂减少冷凝器和冷却塔中的硫矿床
通过Geosol Sulphur分散剂，冷凝器中的硫沉积物和冷却塔中的硫沉积物得以迅速而安全地去除，真空和冷却能力恢复，并大大减少了植物的停机时间。全年，视觉检查没有显示填充物内部水流路径的显着改变。13个月后，对冷凝器进行了彻底检查。它几乎在喷雾器，柱或其他表面上显示任何沉积物。此外，与以前的竞争产品相比，清洁少量存款表面所需的时间和资源要少得多。
锂硫电池：适用于多个领域的轻量化技术
降低电池成本是制造商面临的最大挑战之一。目前电池的成本很大一部分来自镍和钴等金属的成本。8 相比之下，锂硫电池电极所用材料成本相对较低，硫是地球上最丰富的元素之一。锂硫电池规模经济的优势将在更广泛的商业化中实现，特别是在电解质的生产方面。预测表明，这可能会使锂硫电池的性能与锂离子电池相当，但价格不到一半。9 从电池中去除钴等过渡金属也是一个重要的考虑因素，因为采矿存在环境和道德问题，供应安全也存在不确定性。10
芳基硫氰酸酯作为有机的“ CN”来源：圆形...
Cyano群体以其丰富而多样的重新反应而闻名，因此使其成为访问各种官能团的多功能前体，例如羧酸，醛，胺，胺，胺，胺，胺，四唑，阿沙唑和异唑和异质组。和药品。2加上，氰基覆盖的有机化合物在有机电子和相关技术（例如有机太阳能电池（OSC），或者发光二极管二极管（OLEDS）（OLEDS），非线性光学（NLO）（NLO），光转换剂，光转化剂，有机化的cotals和Phototectes cotal和Photots Phototects和Phototsphtphotox cotal中，有机电子和相关技术的多样化起作用起作用。3因此，通过采用一系列氰化试剂来实现cyanation的重要过程。考虑到环境的影响和毒性，从使用常规的cn型试剂（例如KCN，NACN，Zn（CN）₂和K₄[Fe（CN）₆]到相对更安全的金属硫代盐，从使用常规cn染色试剂进行了明显的过渡。4a，这些试剂中的一些产生化学计量的金属废物和/或释放有害的HCN。为了克服这些多年生问题，已经探索了各种非金属有机氰化试剂，用于氰化含有丙酮氰基氢蛋白，三甲基甲硅烷基氰化物（TMSCN），丙烷基丙烯酸酯，丙烷二酸，乙酸乙酯乙酸乙酯，和异西亚酯。4B此外，硝基苯二烯酸和苯甲氰酸酯也被用作金属催化中的有机溶剂。更重要的是，与广泛研究的C – CN键形成相比，构建X – CN键（X = N，S，O）的探索程度较小。8在过去十年中，许多氰化策略
直接观察硫烷天然气的C-核苷酸和萘
图2：具有355 nm激光脉冲的TX-NTL-0（深蓝色）和TX-0（浅蓝色）的机械研究。a）激发后记录100 ns的瞬时吸收光谱。NTL DNA的三胞胎 - 三曲线吸收带被紫色突出显示。b）和c）在不同检测波长和时间尺度下进行时间分解的测量。d）在MECN（虚线）中TX的时间门控77 K发射，在水溶液（250 mM NaCl，10 mm Na-P I Buffer，pH 7.0）中，在水溶液缓冲液（250 mm NaCl，pH 7.0）中进行了10 ms –100 ms（蓝色）（蓝色）和4.0 s至4.3 s（紫色）（紫色）。
硫退火对石墨烯对过渡金属生长的影响
Dichalcogenides (TMDCs) Ahmad Nizamuddin bin Muhammad Mustafa Sami Ramadan 1 , Peter K. Petrov 1 , Huanyu Zhou 1 , Giuseppe Mallia 1 , Nicholas Harrison 1 , Yasir Noori 2 , Shibin Thomas 2 , Victoria Greenacre 2 , Gill Reid 2 , Philip N Bartlett 2 , Kees de Groot 2 , Norbert Klein 1 1 Imperial College London, London, United Kingdom 2 University of Southampton, Southampton, United Kingdom a.bin-muhammad-mustafa21@imperial.ac.uk Two-dimensional (2D) heterostructures composed of graphene and Transition Metal Dichalcogenides (TMDCs) have garnered significant attention owing to their unique physics and potential applications in diverse设备。TMDC，包括MOS 2，WS 2，Mose 2和WSE 2，由于其带隙范围和强烈的轻度 - 互动，因此对电子和光电应用受到了电子和光电应用的青睐。TMDC和石墨烯中都没有悬空键，允许在异质结构中无缝集成，与单物质构型相比，为出色的设备铺平了道路。在使用机械去角质堆叠单个层的同时，化学蒸气沉积（CVD），电沉积和原子层沉积的最新进展为大面积的生长和可伸缩性提供了希望[1] [2]。但是，需要在生长后或生长后的高温暴露，可能会改变石墨烯的特性。我们研究了硫退火对石墨烯对TMDCS生长的电和结构特性的影响。在各种条件下，在温度范围为300-800°C的温度下进行系统退火。参考我们的发现表明，真空退火在石墨烯中诱导蚀刻，这会因硫种类的存在而加剧，从而导致电性能显着降解（图1）。值得注意的是，用自组装单层涂层的石墨烯会减轻这种降解，从而使高质量TMDC在石墨烯上沉积。MOS 2和WS 2对石墨烯的电沉积，然后进行硫退火后处理证明了该策略的功效。这项研究阐明了硫退火在影响石墨烯质量中的关键作用，并为TMDC在石墨烯上的生长铺平了道路，用于高性能电子应用。