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碳化物碳化物电源设备的采用加速...
Markets News 6 Mini-LEDs to challenge OLEDs in high-end display market • GaN device market grows at 12.13% CAGR to $7bn in 2022 Microelectronics News 8 CML buys Microwave Technology • Micross buys KCB Solutions • NEC achieves record output power in 150GHz band using mass- producible GaAs technology Wide-bandgap electronics News 11 Wolfspeed to supply SiC devices for梅赛德斯 - 奔驰EV•CEA和雷诺开发基于WBG的双向板载充电器•Infineon符合与Resonac的SIC材料材料多年供应与合作协议•Finwave加入了美国半导体创新联盟•Navitas•Navitas在塞里卡尼（IC JV）的材料和加工设备中剩余的股份•Meterogation 28 k-Space启动•X. XR XR X.XRFFIR•xrfffir• Epi appoints Neil Gerrard as director of epitaxy LED News 34 Nichia and Infineon launch first fully integrated micro-LED light engine for HD adaptive driving beams • MICLEDI demos red AlInGaP micro-LEDs at CES Optoelectronics News 48 NIST and AIM Photonics collaborating to boost photonic chip designs to 110GHz •Ganvix and BluGlass to co-develop green GaN VCSELS•荷兰联盟投资350万欧元的Lionix•OpenLight任命CEO Optical Communications News 48生产诗人的光学发动机，以100G，200G和400G PHOTOVOLTAICS NEWS 52 FRAUNHOFER ISE ISE ISE ADVANCE ADVANCTION PEROVSKITE PEROVSKITE -SILICON TANDEM Cell and Module to Industrial Maturility Maturility Maturility
R9 RAD硬MOSFET技术 太阳能中的下一级功率密度和硅碳化物MOSFET Infineon的IPCEI PHD助推器 R9 RAD硬P通道Fets AN2018-09- COOLSIC™MOSFET GATE DRIVE的指南... IRHNA57064（JANSR2N7468U2） 优化的传动系统和新的半导体... 小组策略 高级职员产品工程师（w/m/div）职位描述 Infineon一眼> 10％25％10-15％ IRHLNKC797034（JANSR2N7624U3CE）PD-98015A irhnj67230（JANSR2N7591U3）PD-96923G 实习：嵌入式系统程序员（w/m/div）* 员工质量工程师 - 半导体职位描述
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氧化钴装饰的硅碳化物纳米树阵列电极用于微型pepercapacitor应用
摘要：合成了氧化钴（CO 3 O 4）装饰的碳化硅（SIC）纳米树阵列（称为CO 3 O 4 /sIC NTA）电极，并研究了用于微型 - 苏格体配件的应用。首先，由镍（Ni）催化化学蒸气沉积（CVD）方法制备了良好的SIC纳米线（NWS），然后由Co 3 O 4的薄层和层次CO 3 O 4 nano-nano-luper-Clusters组成，分别是在侧面和最高的sic nw上制造的。SIC NWS上Co 3 O 4的沉积使电极/水溶液界面的电荷转移由于其在CO 3 O 4装饰后极为亲水的表面特性而在电极/水性电解质界面上受益。此外，CO 3 O 4 /SIC NTA电极由于其稳固的结构而沿SIC纳米线的长度提供了方向的电荷传输路线。通过使用CO 3 O 4 /SIC NTA电极进行微轴心电容器的应用，以10 mV s-1扫描速率以10 mV s-1扫描速率以循环伏安法测量获得的面积电容达到845 mf cm-2。最后，还通过循环伏安法的循环测试评估了电容耐用性，以高扫描速率为150 mV s -1，对于2000个循环，表现出极好的稳定性。
碳化物中固有缺陷的理论研究...
图。2。示意图说明了对带电缺陷的DFT超级电池计算的远程筛选能量的评估。（a）带电荷Q的批量缺陷具有介电筛选，该筛选有限地扩展，刻有正方形，表明计算超级电池的范围。（b）DFT Supercell在超级电池并行教的全净电荷Q中汇总，通过从超级电池边缘绘制电子来筛选近场的区域，从而降低边缘区域。（c）等效体积球，半径为R Vol，需要评估远程筛选能量。（d）R皮肤减少了此半径以解释未经筛选的细胞体积，从而导致R JOST定义的JOST经典介电筛选。
超电压碳化物碳化物设备的性能，需求和限制
2D材料令人兴奋，其中构图和原子布置在属性中起着决定性作用。发现新2D材料的潜在途径是从层压的3D相开始。常见的方法是将单个或几个原子层从具有强的化合物中剥落，具有强平面键和弱平面外键。剥落过程是通过机械力或离子交换和渗透肿胀促进的。[1,3,8]这包括均带有范德华或氢键之间的材料，例如石墨，MOS 2，H-BN和金属氧化物。尤其是，针对2D金属氧化物的注意力是由于其吸引人的功能而刺激的，并且富含结构和化学多样性以及电子特性。[9]它们的大量可能的氧化态对于实现较大的伪容量[8]的优势是与碳纤维和硫化物更高的化学稳定性相结合的，这对于增强电极的耐用性是可取的。[10]此外，氧化钛（TiO 2）纳米片具有适合光催化的特征，并允许逐层自组装。[11]仍然，新型合成途径是可取的，同时保持目标功能。除了机械剥落外，选择性蚀刻（也称为化学去角质）已被证明是从层压中层中层次较强的层压父3D晶体合成2D材料的替代途径。旗舰示例是2D MXENES，[5]由M n + 1 x n t z的通用公式描述，其中m是早期过渡金属，x为c和/或n，t z表示表面终止官能团，-o，-o，-oH，-f和cl。[12-14] MXENES通常是由A-Group元素的选择蚀刻来产生的，主要是来自父级最大相位，这是一大批原子层压板，迄今为止有150多个成员。[15]通过选择性蚀刻A层，实验研究已经确定了大约30种不同的MXENE，包括合金MXENES，显示出很高的计量物，用于从能量存储和催化到
肺癌 Taguchi优化方法和铜泡沫 基于SCADA系统的智能能源管理在真正的微电网中用于智能建筑应用 激光照射对定向能量沉积中铝粉流的影响 化学科学 超电压碳化物碳化物设备的性能，需求和限制
发现由小分子抑制剂靶向的非小细胞肺癌（NSCLC）的致癌驱动突变和免疫疗法的发展已彻底改变了NSCLC治疗。今天，所有有资格接受治疗的晚期NSCLC的患者而不是非选择性化学疗法（以及较早，疾病较少的疾病的数量增加）都需要快速，全面地筛选生物标志物，以进行一线患者选择靶向治疗，化学疗法或免疫治疗（有或没有化学疗法）。为了避免不必要的重新生双皮单击，一线治疗前的生物标志物筛查还应包括从二线开始可起作的标记； PD-L1表达测试在开始治疗之前也是必须的。人口差异存在于致癌驱动器突变的频率中：EGFR突变在亚洲比欧洲更频繁，而相反的KRAS突变是正确的。除了经过批准的一线疗法外，还在临床试验中研究了许多新兴疗法。生物标志物测试的指南因国家的数量而有所不同，并且需要大量的分子筛选策略预期增加。为了满足诊断需求，已经实施了用于单驱动器突变的快速筛选技术。改进基于DNA和RNA的下一代测序
通过原子随机性计算碳化物的熵
高熵碳化物 (HEC) 备受关注，因为它们是超高温和高硬度应用的有希望的材料。为了发现具有增强屈服强度和硬度的碳化物，需要基于机制的设计方法。在本研究中，提出了位错核原子随机性作为提高硬度的机制，其中位错核处不同元素之间的随机相互作用使位错更难滑移。基于密度泛函理论计算了 a ∕ 2 ⟨ 1 ̄ 10 ⟩ {110} 刃位错的 Peierls 应力，其中通过增加位错核处的元素数量来增加原子的随机性。结果表明，Peierls 应力在统计上随着元素数量的增加而增加，表明加入更多元素可能会产生更高的硬度。基于这一指导原则，我们制备了三种八阳离子 HEC（Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、X、Y）C（X、Y = Mo、W、Cr、Mo 或 Cr、W），其成分由从头计算的形成焓和熵形成能力决定。单相致密陶瓷均表现出约 40 GPa 的高纳米压痕硬度。位错核心处不同元素之间的随机相互作用为提高结构陶瓷的硬度提供了一种机制。