2D材料令人兴奋，其中构图和原子布置在属性中起着决定性作用。发现新2D材料的潜在途径是从层压的3D相开始。常见的方法是将单个或几个原子层从具有强的化合物中剥落，具有强平面键和弱平面外键。剥落过程是通过机械力或离子交换和渗透肿胀促进的。[1,3,8]这包括均带有范德华或氢键之间的材料，例如石墨，MOS 2，H-BN和金属氧化物。尤其是，针对2D金属氧化物的注意力是由于其吸引人的功能而刺激的，并且富含结构和化学多样性以及电子特性。[9]它们的大量可能的氧化态对于实现较大的伪容量[8]的优势是与碳纤维和硫化物更高的化学稳定性相结合的，这对于增强电极的耐用性是可取的。[10]此外，氧化钛（TiO 2）纳米片具有适合光催化的特征，并允许逐层自组装。[11]仍然，新型合成途径是可取的，同时保持目标功能。除了机械剥落外，选择性蚀刻（也称为化学去角质）已被证明是从层压中层中层次较强的层压父3D晶体合成2D材料的替代途径。旗舰示例是2D MXENES，[5]由M n + 1 x n t z的通用公式描述，其中m是早期过渡金属，x为c和/或n，t z表示表面终止官能团，-o，-o，-oH，-f和cl。[12-14] MXENES通常是由A-Group元素的选择蚀刻来产生的，主要是来自父级最大相位，这是一大批原子层压板，迄今为止有150多个成员。[15]通过选择性蚀刻A层，实验研究已经确定了大约30种不同的MXENE，包括合金MXENES，显示出很高的计量物，用于从能量存储和催化到