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World File Search System碳膜
Archer改进量子碳膜材料并取得进一步进展
在某些合成条件下，自旋寿命已达到 800 纳秒，但需要做一些工作才能在芯片的硅（或其他）基板上重现这一结果。晶圆上的均匀性（确保一致的电气和光学特性）和样品芯片之间的可重复性（可变性）对于重现芯片至关重要。均匀性和可变性都得到了显著改善，标准偏差从 25-100% 降至约 7%。
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。