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World File Search System碳膜
基于非贵金属氧还原催化剂的质子交换膜燃料电池性能
W 窑 cm -2 曰 持续增加到 2.0 bar 袁 功率密度进一步提升 达到 0.94 W 窑 cm -2 ( 图 4E). Chen 等 [47] 报道 Co-N-C 催化剂在空气的燃料电池测试中压力从 0.5 bar 提 升至 2 bar 上 袁 最高功率密度从 0.221 W 窑 cm -2 提升 到 0.305 W 窑 cm -2 ( 图 4F). 文献中记录的非贵金属催 化剂燃料电池测试压力一般不大于 2 bar 袁 在此范 围内催化剂燃料电池的性能随着压力的增加而提 升 袁 压力过大会造成催化剂层结构的破坏并加速 膜电极的退化 . 目前 袁 鲜有对测试过程中气流量影 响的探究 . 从表 1 中发现 袁 大部分基于非贵金属催 化剂的 PEMFC 性能测试是采取固定气流量的方 式 袁 但气流量的选择并没有统一标准 袁 其中空气的 气流量一般等于或大于氧气的气流量 . 4 非贵金属催化剂耐久性分析
火力电厂净零转型为碳捕存电厂发展无碳电力凭证以支持全球
‧‧‧jx Nippon石油和天然气勘探公公全球最大规模燃煤电厂营运的，2017年〜2021年累计捕捉380万吨co 2，皆用于eor
农业食物系统碳足迹评价Carbon footprint assessment of Agri ...
Product CF Report on low-carbon agricultural and rural development in China (2023) 中国农业农村低 碳发展报告
减少食品宠物膜的碳足迹...
由于在聚对邻苯二甲酸酯膜的印刷过程中使用了溶剂，因此与此过程相关的存在很大的环境风险。溶剂大大增加了制造工艺的碳足迹。该摘要解释了一种综合策略，以减少宠物电影制作中溶剂的排放，以应对行业对可持续实践的紧急需求。每个单元中用于计算和将碳排放转换为直接排放的能量被称为“溶剂用法”计算；电碳发射因子用于计算间接排放。每天排放因子：12公斤；每天直接使用溶剂：52.08公斤。 可以使用碳足迹作为对各个部门进行比较的一种手段，因为可以使用各种方法和系统限制。 在打印宠物膜期间消耗的溶剂是因为VOC化合物会影响具有高排放因子的环境。 计算每种颜色的挥发性有机化合物并将其转换为直接碳排放。 整体温室气体（主要是二氧化碳和其他污染物）被称为碳足迹。 电碳排放系数和2400 kg/kW的单位使用用于确定间接碳排放。 碳足迹计算将有助于行业朝着更可持续和友好的环境和绿色地球迈进。每天排放因子：12公斤；每天直接使用溶剂：52.08公斤。可以使用碳足迹作为对各个部门进行比较的一种手段，因为可以使用各种方法和系统限制。在打印宠物膜期间消耗的溶剂是因为VOC化合物会影响具有高排放因子的环境。计算每种颜色的挥发性有机化合物并将其转换为直接碳排放。整体温室气体（主要是二氧化碳和其他污染物）被称为碳足迹。电碳排放系数和2400 kg/kW的单位使用用于确定间接碳排放。碳足迹计算将有助于行业朝着更可持续和友好的环境和绿色地球迈进。
通过碳纳米膜实现超高离子排斥
制造人工膜为人类提供洁净水，关键是制造出大小相似的通道。[2,3] 商业上使用的渗透膜大多由聚合物制成，其分子链通常随机排列，因此孔径分布较宽。[4] 合成纳米导管，如碳和氮化硼纳米管[5–7] 以及通过有机合成制成的孔[8] ，能够在分子水平上控制通道特性，并已被证明可以使水快速高效地流过它们。[5,6] 然而，制造直径小于 1 纳米 [3,9] 的孔隙仍然具有挑战性，这些孔隙可以阻挡 Na + 、K + 和 Cl – 等小离子。此外，将大量平行的通道组装成边界清晰的膜也是一项技术挑战。[3,4] 二维材料的出现为创建这种小通道提供了进一步的途径。近期的例子包括石墨烯中制成的亚纳米孔[10,11]，以及在氧化石墨烯[12]和二硫化钼层之间组装的二维通道[13]。所得膜表现出选择性离子渗透，但仍然缺乏可以阻止所有离子通过的孔结构。因此，开发具有高离子选择性通道的新型二维材料是十分有必要的，这可以为先进的渗透膜奠定基础。为了应对这一挑战，有人提出利用分子自组装技术辅助辐射诱导交联来创建具有明确孔结构的单分子厚的碳纳米膜（CNM）。[14]我们最近报道了分子通过 Au(111) 表面由三联苯硫醇 (TPT) 单层制备的约 1.2 纳米厚的 CNM 进行传输。 [15] 单层纳米薄膜在低能电子作用下会断裂 TPT 前驱体中的 C H 键，将高度有序的分子结构转化为坚固的可转移交联碳网络（图 1a）。这些纳米膜可允许极高的水流量，同时几乎不渗透非极性分子和原子。这归因于亚纳米通道的高面密度（≈ 10 18 m − 2 ，即每平方纳米 1 个亚纳米孔），极性水分子可以通过这些通道以单行传输。[15,16] 因此，通道密度远远超过其他纳米结构膜达到的≈ 10 14 –10 16 m − 2 。[5,10,17] 因此，这些膜代表了一种潜在的新型 2D 膜，可用于实现高性能
用于高压功率、高性能 SiC 器件的先进碳膜
关键词：SiC、注入、碳帽、退火、注入、蚀刻我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过 Applied Producer® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，用于解决 SiC 器件的几个加工难题：特别是，我们讨论了它作为 (i) 灵活、高质量离子注入掩模的优势，以及 (ii) 在离子注入后高温活化退火期间作为平面和 3D SiC 结构的保护帽层。将 APF 薄膜集成到注入和蚀刻处理块中的好处与普通光刻胶 (PR)、PVD C 帽和 SiO 2 HM 等替代方法进行了对比。碳化硅 (SiC) 具有非常吸引人的特性 1，包括宽带隙（3X Si）、高 E 击穿（10X Si）、高热导率（3X Si 或 GaN）。大尺寸衬底（最大 200 毫米）的出现导致了 SiC 基器件的广泛应用，预计 2027 年的 TAM2 市场规模将达到 63 亿美元。然而，SiC 加工面临着一些独特的挑战，需要解决这些挑战才能充分挖掘这种化合物半导体的潜力。在本文中，我们建议使用高级图案化薄膜 (APF®)，这是一种通过应用材料生产者® 沉积的 PECVD 碳基薄膜系列，可解决几个 SiC 器件加工难题：特别是，我们讨论了它作为（i）灵活、高质量的离子注入掩模，（ii）在离子注入后高温活化退火期间平面和 3D SiC 结构的保护性覆盖层，和（iii）用于改善下一代 SiC 器件的 SiC 沟槽硬掩模 (HM) 图案化的薄膜的优势。在注入和蚀刻处理模块中集成 APF 的优势可与常见光刻胶 (PR)、PVD C-cap 和 SiO 2 HM 等替代方法相媲美。
对高温超导薄膜的表面和保护性绝缘膜的研究
高表面特性。tc ba-y-cu-o和通过薄绝缘子过层钝化。Takashi Hirao，Kentaro Setsune和Kiyotaka W asa。中央重新建筑实验室，Matsushita Electric Industrial Co.，Ltd.，3-15，Yagumonakamachi，Moriguchi，Osaka，Osaka 570