位点(六边形 h 或准立方 k)。Si(0) 表示不与 NC 原子相邻的 Si 原子数;而 Si(1) 和 Si(2) 分别表示与一个和两个 NC 原子相邻的 Si 原子数。
Al 3s 2 3p 1 12 12 12 FCC a=4.040 3.47 Mg 3s 2 19 19 11 HCP a=3.189; c=5.194 1.52 Si 3s 2 3p 2 9 9 9 金刚石a=5.469 4.54 Ti 3p 6 3d 2 4s 2 15 15 9 HCP a=2.936; c=4.648 5.31 Fe 3d 7 4s 1 17 17 17 BCC a=2.832 4.92 Co 3d 8 4s 1 19 19 13 HCP a=2.491; c=4.025 5.17 Ni 3d 8 4s 2 13 13 13 FCC a=3.518 5.08 Zn 3d 10 4s 2 19 19 11 HCP a=2.637; c=5.072 1.11 Zr 4s 2 4p 6 4d 2 5s 2 15 15 9 HCP a=3.232; c=5.169 6.45 Ru 4d 7 5s 1 19 19 11 HCP a=2.713; c=4.281 7.97 Pd 4d 9 5s 1 12 12 12 FCC a=3.942 3.79 Ag 4d 10 5s 1 12 12 12 FCC a=4.146 2.53
人们对二维过渡金属二硫属化物产生了浓厚的兴趣,这引发了大量使用可扩展气相方法(如化学气相沉积 (CVD) 和原子层沉积 (ALD))对其合成进行实验研究。ALD 通常允许较低的沉积温度,并且化学前体的成核需要与表面功能团发生反应。研究 ALD 建模的常用第一性原理方法是计算拟议反应途径的活化能。在这项工作中,我们使用密度泛函理论 (DFT) 计算了部分电荷密度、局部态密度 (LDoS)、Bader 电荷分析、吸附能和电荷密度差,以研究 MoF 6 在三种氧化物表面(包括 Al 2 O 3 、HfO 2 和 MgO)的成核。我们的研究结果表明,羟基 (OH) 有助于降低 MoF 6 前半周期内的反应势垒并促进前体在氧化物基底上的化学吸附。这一发现得到了氧化物表面高离子性 MF x(M = 金属,x = 1、2、3)键形成的支持。通过比较有羟基和无羟基的表面,我们强调了表面化学的重要性。
由于合金的成分空间几乎是无限的,因此设计耐腐蚀高熵合金 (CR-HEA) 具有挑战性。为此,需要高效可靠的高通量探索性方法。为此,当前的工作报告了一种基于第一性原理的方法,利用功函数、表面能和耐腐蚀性之间的相关性(即,根据定义,功函数和表面能分别与合金固有的耐腐蚀性成正比和反比)。使用由密度泛函理论 (DFT) 计算得出的离散表面能和功函数,评估了 fcc Co-Cr-Fe-Mn-Mo-Ni 功函数和表面能的两个贝叶斯 CALPHAD 模型(或数据库)。然后使用这些模型对不同的 Co-Cr-Fe-Mn-Mo-Ni 合金成分进行排序。观察发现,排序后的合金具有与之前研究的耐腐蚀合金相似的化学特性,这表明所提出的方法可用于可靠地筛选具有潜在良好固有耐腐蚀性的 HEA。
具有C 2 位对称性的[YO 6 ] 9 局域单元。17 Y 2 O 3 晶体在掺杂适当稀土离子后,由于其高热导率和低声子能量,可以作为良好的激光基质材料。18 近年来,Ho 3+ 掺杂的Y 2 O 3 (Y 2 O 3 :Ho)晶体作为一种很有前途的激光材料受到了广泛的研究。19 Laversenne 等人首次利用激光加热基座生长 (LHPG) 技术生长了Ho 3+ 掺杂的Y 2 O 3 单晶。20 此外,他们还特别分析了Y 2 O 3 :Ho的动态激光谐振特性。秦等人研究了Ho 3+掺杂的Y 2 O 3 在532 nm 连续波激光激发下的发光光谱。 21结果表明Ho3+离子在紫外和紫外区(306、390和428nm)有多个荧光跃迁,这些跃迁分别归属为3D3/5I8、5G4/5I8和5G5/5I8的跃迁。Wang等人报道了在2.1mm左右的Y2O3:Ho实现了高输出激光操作,具有低散射损耗和优异的光学质量。22他们的结果表明Ho3+掺杂的Y2O3体系作为激光增益介质在高功率和高效激光应用中展现出诱人的前景。尽管对Y2O3:Ho已经有大量研究报道,但还没有系统的研究来阐明其微观结构和电子特性。本文基于 CALYPSO(粒子群优化晶体结构分析)23 – 27 方法结合 DFT(密度泛函理论),对 Y 2 O 3 : Ho 进行了广泛的结构搜索,获得了基态结构。此外,我们计算并分析了能带结构、态密度和 ELF(电子局域化